全自動(dòng)互感器校驗(yàn)儀 微型互感器校驗(yàn)儀 電流互感器現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試儀
該裝置由HN17A極速互感器校驗(yàn)儀、電流負(fù)載箱、控製櫃、電流互感器測(cè)試臺(tái)等幾個(gè)部分組成。在保持原技術(shù)特點(diǎn)的前提下，在電流互感器的快速測(cè)量、測(cè)試點(diǎn)的快速、以及負(fù)荷箱、變比的互感器覆蓋等方麵有了很大的提高。

半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓製造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝後測(cè)試組成，晶圓製造和芯片封裝討論較多，而測(cè)試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化，下麵集中介紹集成電路芯片測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、製造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測(cè)試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對(duì)Wafer劃片槽（ScribeLine）測(cè)試鍵（TestKey）的測(cè)試，通過電性參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成製程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測(cè)廠的依據(jù)，測(cè)試方法是用ProbeCard紮在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)上，由WATRecipe自動(dòng)控製測(cè)試位置和內(nèi)容，測(cè)完某條TestKey後，ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey，直到整片Wafer測(cè)試完成。

 主要特點(diǎn)     

1、該互感器檢定裝置細(xì)調(diào)節(jié)采用了程控源技術(shù)，使測(cè)試點(diǎn)的更加快速、準(zhǔn)確。

2、該互感器檢定裝置在多隻電流互感器測(cè)量速度方麵有了質(zhì)的提高，在3-5分鐘的時(shí)間裡可測(cè)量十二隻任何變比的電流互感器。

3、極速互感器檢定裝置配置了1A、5A的標(biāo)準(zhǔn)電流互感器，電流負(fù)荷箱配置了1A、5A負(fù)載值2.5VA-80VA，電壓負(fù)載箱配置了100V、100/1.732負(fù)載值從1.25VA-158.75VA基本上可滿足用戶的要求。負(fù)載箱在測(cè)量時(shí)可進(jìn)行自動(dòng)切換。

 4、此互感器檢定裝置可進(jìn)行互感器的規(guī)程和非規(guī)程的測(cè)量，測(cè)量時(shí)用戶可對(duì)任何百分點(diǎn)的測(cè)量。

RaytekMMMT測(cè)溫儀可以很巧妙地避免上述問題的發(fā)生。它的優(yōu)勢(shì)集中在以下三個(gè)方麵：選擇正確波長的儀器是在RaytekMMMT應(yīng)用成功的關(guān)鍵。波長短原則可能不適用。如果火焰比較臟，RaytekMMMT傳感器將取得比較好的測(cè)溫效果。如果使用一個(gè)波長較短的設(shè)備，火焰對(duì)測(cè)溫儀將有很大影響，產(chǎn)生一個(gè)較高的溫度。提供一個(gè)模擬輸出溫度，用戶可以在金屬在正確溫度時(shí)控製加熱的火焰。加熱周期可以被減少並減少過熱，產(chǎn)品溫度不合格情況是可以避免的。技術(shù)參數(shù)

2、測(cè)量範(fàn)圍：
   同相分量（%）：0.0001~200.0       分辨率：0.0001
   正交分量（分）：0.001~700.0       分辨率：0.001
   阻抗（W）：0.0001~20.0         分辨率：0.0001
   導(dǎo)納（ms）：0.0001~20.0        分辨率：0.0001