實(shí)踐表明，諸如FLIRX6900sc的高性能的熱像儀比FLIRE40的經(jīng)濟(jì)型熱像儀的精度效果要好，我們?nèi)孕枰鲂┕ぷ鱽?lái)更好地解釋這一觀察結(jié)果。實(shí)驗(yàn)室測(cè)量值和±1?C或1%精度我們發(fā)現(xiàn)在觀察已知發(fā)射率和溫度的物體時(shí)，熱像儀實(shí)際產(chǎn)生的溫度測(cè)量值。此類物體一般指代為“黑體”。在引用已知發(fā)射率和溫度的物體的理論概念前，你可能聽(tīng)說(shuō)過(guò)這個(gè)術(shù)語(yǔ)。黑體的這一概念也用來(lái)指代一些實(shí)驗(yàn)室設(shè)備。.位於美國(guó)佛羅裡達(dá)州尼斯維爾的FLIR溫度記錄校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室。
HN380B水內(nèi)冷發(fā)電機(jī)絕緣電阻測(cè)試儀

水內(nèi)冷發(fā)電機(jī)測(cè)試儀HN380 2500v變頻地網(wǎng)接地電阻測(cè)試儀產(chǎn)品用途
   水內(nèi)冷發(fā)電機(jī)絕緣電阻測(cè)試儀 於水內(nèi)冷發(fā)電機(jī)的測(cè)量試驗(yàn)，也可用於試驗(yàn)室或現(xiàn)場(chǎng)做絕緣測(cè)試試驗(yàn)。輸出電流大於75mA。輸出電壓5000V。內(nèi)含微電流測(cè)量係統(tǒng) 、數(shù)字升壓係統(tǒng) 。用一條高壓線和一條信號(hào)線連接試品即可測(cè)量。測(cè)量自動(dòng)進(jìn)行，結(jié)果由大屏幕液晶顯示，並將結(jié)果進(jìn)行存儲(chǔ)。

內(nèi)冷發(fā)電機(jī)絕緣電阻測(cè)試儀 技術(shù)參數(shù)
    準(zhǔn)確度： ±10%
    測(cè)量範(fàn)圍：0.1M～200GΩ
    試驗(yàn)電壓：2500V ;5000V  
    短路電流：≧25mA
    測(cè)量時(shí)間：1分鐘～10分鐘（與測(cè)量方式有關(guān)）
    電    源：180～270VAC  ,50Hz/60Hz±1% (市電或發(fā)電機(jī)供電)
    工作環(huán)境：溫度-10～40℃，相對(duì)濕度20～80％Simplelink傳感器控製器是的16位處理單元(CPU)核心，在活動(dòng)模式、待機(jī)模式和啟動(dòng)耗能階段均隻消耗極低功率。如圖2所示，該傳感器控製器包括模擬和數(shù)字外圍設(shè)備，它們專為實(shí)現(xiàn)功率而進(jìn)行了優(yōu)化。利用這些外圍設(shè)備和2MHz時(shí)鐘模式，使得該控製器非常適合感應(yīng)式測(cè)量應(yīng)用，從而實(shí)現(xiàn)功率：，基於感應(yīng)式測(cè)量原則，可以在100Hz時(shí)達(dá)到低至3.9μA的平均電流消耗值。欲了解詳情，請(qǐng)參閱流量表應(yīng)用示例，閱讀“采用CC13x2R無(wú)線MCU的單芯片流量表解決方案。

HN380B水內(nèi)冷發(fā)電機(jī)絕緣電阻測(cè)試儀於水內(nèi)冷發(fā)電機(jī)的測(cè)量試驗(yàn)，同時(shí)也可用於試驗(yàn)室或現(xiàn)場(chǎng)做絕緣測(cè)試試驗(yàn)。輸出電流大於45mA。可達(dá)75mA。輸出電壓2500V和5000V兩檔。內(nèi)含高精度微電流測(cè)量係統(tǒng)、數(shù)字升壓係統(tǒng)。隻需要用一條高壓線和一條信號(hào)線連接試品即可測(cè)量。測(cè)量自動(dòng)進(jìn)行，結(jié)果由大屏幕液晶顯示，並將結(jié)果進(jìn)行存儲(chǔ)。

一、主要特點(diǎn)

1． 采用32位微控製器控製，全中文操作界麵，操作方便。

2． 適用於測(cè)量水內(nèi)冷發(fā)電機(jī)的絕緣電阻、吸收比（R60s/R15s）和極化指數(shù)（R10min/R1min）的測(cè)試。自動(dòng)計(jì)算吸收比和極化指數(shù)，可自動(dòng)顯示R15s、R60s、R10min、收比（R60s/R15s）和極化指數(shù)（R10min/R1min）,並自動(dòng)儲(chǔ)存15秒、1分鐘、10分鐘的數(shù)據(jù)便於。巴特沃斯濾波器拓?fù)淝斜妊┓驗(yàn)V波器拓?fù)鋱D分彆對(duì)應(yīng)他們的端口阻抗與駐波比。巴特沃斯濾波器的SmitVSWR及S21切比雪夫?yàn)V波器的SmitVSWR及S21這裡可以清楚的看到在圓環(huán)中，兩種濾波器不同頻率下的阻抗並不相同，巴特沃斯濾波器伴隨著頻率的增加，阻抗偏離匹配點(diǎn)；而切比雪夫?yàn)V波器因?yàn)橛兄C振電路引起阻抗的突變的，所以阻抗會(huì)圍繞在匹配點(diǎn)附近小範(fàn)圍變化，這就導(dǎo)致切比雪夫?yàn)V波器的可用頻段比巴特沃斯濾波器更多。

3． 輸出電流大，短路電流大於45mA。輸出電壓2500V和5000V兩檔，可測(cè)高達(dá)2萬(wàn)兆的絕緣電阻。不需對(duì)水極化電勢(shì)進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)節(jié)。（備選）

4． 高壓發(fā)生模塊采用全封閉技術(shù)，內(nèi)部有保護(hù)電阻，**可靠。

5． 抗乾擾能力強(qiáng)，能滿足超高壓變電站現(xiàn)場(chǎng)操作。

6． 測(cè)試完畢自動(dòng)放電，並實(shí)時(shí)監(jiān)控放電過(guò)程。

功能及特點(diǎn)二．

 技術(shù)條件及指標(biāo)
1． 電源電壓：AC220 ± 10%
2． 輸出電壓：DC2500V /5000V± 10% 選配項(xiàng)
3． 量 程：0.0000Ω ~ 1000GΩ
4． 環(huán)境溫度：-10℃ ~ +40℃
5． 環(huán)境濕度：≤75%RH半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓製造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝後測(cè)試組成，晶圓製造和芯片封裝討論較多，而測(cè)試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化，下麵集中介紹集成電路芯片測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、製造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測(cè)試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對(duì)Wafer劃片槽（ScribeLine）測(cè)試鍵（TestKey）的測(cè)試，通過(guò)電性參數(shù)來(lái)監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成製程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測(cè)廠的依據(jù)，測(cè)試方法是用ProbeCard紮在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)上，由WATRecipe自動(dòng)控製測(cè)試位置和內(nèi)容，測(cè)完某條TestKey後，ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey，直到整片Wafer測(cè)試完成。
6． 測(cè)量精度：0Ω ~ 2000MΩ 10%
              2000MΩ ~ 1000GΩ 10%
7． 電壓紋波：測(cè)試電壓紋波含量不大於3%
9． 測(cè)量方式：實(shí)時(shí)測(cè)量，開(kāi)始每秒鐘進(jìn)行一次測(cè)量顯示；自動(dòng)計(jì)算吸收比、極化指數(shù)。
10. 顯示方式：128X64位液晶顯示被測(cè)電阻值、吸收比、極 化指數(shù)。自動(dòng)顯示測(cè)試時(shí)間。
11.．絕緣電阻：儀表本體與交流電源初級(jí)引線之間的絕緣電阻1000MΩ
12. 負(fù)載能力：

水內(nèi)冷發(fā)電機(jī)測(cè)試儀HN380 2500v變頻地網(wǎng)接地電阻測(cè)試儀一致性測(cè)試通常作為產(chǎn)品投產(chǎn)前設(shè)計(jì)質(zhì)保的一部分完成。一致性測(cè)試內(nèi)容繁多，耗時(shí)長(zhǎng)，如果在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的這個(gè)階段EMC測(cè)試失敗，那麼會(huì)要求重新設(shè)計(jì)，不僅成本高昂，而且會(huì)耽誤產(chǎn)品推出。執(zhí)行預(yù)一致性測(cè)試可以幫助您在把產(chǎn)品送到正式測(cè)試前發(fā)現(xiàn)不符合規(guī)範(fàn)的情況。一款基於USB接口的RSA36實(shí)時(shí)頻譜儀的問(wèn)世，預(yù)一致性測(cè)試變得的簡(jiǎn)便和經(jīng)濟(jì)，放射輻射測(cè)量和傳導(dǎo)輻射測(cè)量可以幫助限度地減少產(chǎn)品通過(guò)EMI認(rèn)證所需的費(fèi)用和時(shí)間。