半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓製造，晶圓測試，芯片封裝和封裝後測試組成，晶圓製造和芯片封裝討論較多，而測試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識經(jīng)常被邊緣化，下麵集中介紹集成電路芯片測試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計、製造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對Wafer劃片槽（ScribeLine）測試鍵（TestKey）的測試，通過電性參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成製程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測廠的依據(jù)，測試方法是用ProbeCard紮在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測試機(jī)臺上，由WATRecipe自動控製測試位置和內(nèi)容，測完某條TestKey後，ProbeCard會自動移到下一條TestKey，直到整片Wafer測試完成。
HN380B水內(nèi)冷發(fā)電機(jī)絕緣電阻測試儀

水內(nèi)冷絕緣電阻測試儀HN380 2500v手持式變壓器變比組彆測試儀產(chǎn)品用途
   水內(nèi)冷發(fā)電機(jī)絕緣電阻測試儀 於水內(nèi)冷發(fā)電機(jī)的測量試驗(yàn)，也可用於試驗(yàn)室或現(xiàn)場做絕緣測試試驗(yàn)。輸出電流大於75mA。輸出電壓5000V。內(nèi)含微電流測量係統(tǒng) 、數(shù)字升壓係統(tǒng) 。用一條高壓線和一條信號線連接試品即可測量。測量自動進(jìn)行，結(jié)果由大屏幕液晶顯示，並將結(jié)果進(jìn)行存儲。

內(nèi)冷發(fā)電機(jī)絕緣電阻測試儀 技術(shù)參數(shù)
    準(zhǔn)確度： ±10%
    測量範(fàn)圍：0.1M～200GΩ
    試驗(yàn)電壓：2500V ;5000V  
    短路電流：≧25mA
    測量時間：1分鐘～10分鐘（與測量方式有關(guān)）
    電    源：180～270VAC  ,50Hz/60Hz±1% (市電或發(fā)電機(jī)供電)
    工作環(huán)境：溫度-10～40℃，相對濕度20～80％磁耦器件可提供5000Vrms/min及6000V/10sec的電壓隔離保護(hù)，多種型號的磁耦帶有±15KV的ESD保護(hù)。長壽命。采用芯片級變壓器技術(shù)傳輸信號，消除光耦傳輸時的器件損耗。器件內(nèi)部基本不存在損耗，正常工作條件下至少達(dá)到50年工作壽命。低功耗。磁耦基於芯片級變壓器傳輸原理，信號傳輸時幾乎不存在能量損耗，因此能以極低的功耗實(shí)現(xiàn)高度的數(shù)據(jù)隔離。相同速率下，其功耗僅為光耦的1/10~1/6。電源隔離信號通道做隔離後，建議電源通道也做隔離，可直接采用帶隔離的DC-DC隔離模塊實(shí)現(xiàn)，如下圖所示。

HN380B水內(nèi)冷發(fā)電機(jī)絕緣電阻測試儀於水內(nèi)冷發(fā)電機(jī)的測量試驗(yàn)，同時也可用於試驗(yàn)室或現(xiàn)場做絕緣測試試驗(yàn)。輸出電流大於45mA。可達(dá)75mA。輸出電壓2500V和5000V兩檔。內(nèi)含高精度微電流測量係統(tǒng)、數(shù)字升壓係統(tǒng)。隻需要用一條高壓線和一條信號線連接試品即可測量。測量自動進(jìn)行，結(jié)果由大屏幕液晶顯示，並將結(jié)果進(jìn)行存儲。

一、主要特點(diǎn)

1． 采用32位微控製器控製，全中文操作界麵，操作方便。

2． 適用於測量水內(nèi)冷發(fā)電機(jī)的絕緣電阻、吸收比（R60s/R15s）和極化指數(shù)（R10min/R1min）的測試。自動計算吸收比和極化指數(shù)，可自動顯示R15s、R60s、R10min、收比（R60s/R15s）和極化指數(shù)（R10min/R1min）,並自動儲存15秒、1分鐘、10分鐘的數(shù)據(jù)便於。全天科技大功率直流電子負(fù)載具有恒電流、恒電壓、恒功率、恒電阻、恒阻抗、動態(tài)電流、動態(tài)電阻、掃頻功能和List工作模式，可回讀出電壓、電流和功率參數(shù)，具有短路測試功能，具有過電流、過功率、過電壓、過溫度保護(hù)功能和反接告警功能，可通過外部仿真輸出接口檢測當(dāng)前電子負(fù)載的電壓和電流(0~10V)，具有標(biāo)配RS232/RS485/USB的通訊接口及選配LANGPIB的通訊接口，還具有多臺電子負(fù)載並機(jī)操作的接口。

3． 輸出電流大，短路電流大於45mA。輸出電壓2500V和5000V兩檔，可測高達(dá)2萬兆的絕緣電阻。不需對水極化電勢進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)節(jié)。（備選）

4． 高壓發(fā)生模塊采用全封閉技術(shù)，內(nèi)部有保護(hù)電阻，**可靠。

5． 抗乾擾能力強(qiáng)，能滿足超高壓變電站現(xiàn)場操作。

6． 測試完畢自動放電，並實(shí)時監(jiān)控放電過程。

功能及特點(diǎn)二．

 技術(shù)條件及指標(biāo)
1． 電源電壓：AC220 ± 10%
2． 輸出電壓：DC2500V /5000V± 10% 選配項(xiàng)
3． 量 程：0.0000Ω ~ 1000GΩ
4． 環(huán)境溫度：-10℃ ~ +40℃
5． 環(huán)境濕度：≤75%RH控製命令先由工控機(jī)批量發(fā)送到CAN接口卡並本地保存，CAN卡再按照報文順序及配置好的發(fā)送規(guī)則周期性發(fā)送在，這樣可以保證時間精度在1ms以內(nèi)。USBCAN-8E-U的該功能可以在提供的函數(shù)庫中直接調(diào)用，如。（時間是1ms，KVASER數(shù)據(jù)為100us）調(diào)用底層定時發(fā)送豐富的二次開發(fā)支持脫機(jī)發(fā)送是降低測試成本的重要手段。一般來說，老化測試總是大規(guī)模、批量型進(jìn)行，這也就意味著一個老化實(shí)驗(yàn)室要配備足夠量的工控機(jī)。
6． 測量精度：0Ω ~ 2000MΩ 10%
              2000MΩ ~ 1000GΩ 10%
7． 電壓紋波：測試電壓紋波含量不大於3%
9． 測量方式：實(shí)時測量，開始每秒鐘進(jìn)行一次測量顯示；自動計算吸收比、極化指數(shù)。
10. 顯示方式：128X64位液晶顯示被測電阻值、吸收比、極 化指數(shù)。自動顯示測試時間。
11.．絕緣電阻：儀表本體與交流電源初級引線之間的絕緣電阻1000MΩ
12. 負(fù)載能力：