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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱(chēng):遠(yuǎn)見(jiàn) 青島華能HN6000 高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀 變壓器特性綜合試驗(yàn)係統(tǒng)

  • 產(chǎn)品型號(hào):HN6000
  • 產(chǎn)品廠商:華能
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簡(jiǎn)單介紹:
該儀器可用正、反接線方法測(cè)量不接地或直接地的高壓電器設(shè)備??梢詼y(cè)量電容式電壓互感器的tg及主電容C1、C2電容量。適用於電力行業(yè)中變壓器、互感器、套管、電容器、避雷器等設(shè)備的介損測(cè)量遠(yuǎn)見(jiàn) 青島華能HN6000 高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀 變壓器特性綜合試驗(yàn)係統(tǒng)
詳情介紹:

HN6000A四通道變頻抗乾擾高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀  遠(yuǎn)見(jiàn) 青島華能HN6000 高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀 變壓器特性綜合試驗(yàn)係統(tǒng)

  遠(yuǎn)見(jiàn) 青島華能HN6000  高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀 變壓器特性綜合試驗(yàn)係統(tǒng) 該儀器可用正、反接線方法測(cè)量不接地或直接地的高壓電器設(shè)備??梢詼y(cè)量電容式電壓互感器的tg及主電容C1、C2電容量。適用於電力行業(yè)中變壓器、互感器、套管、電容器、避雷器等設(shè)備的介損測(cè)量。

抗乾擾介損自動(dòng)測(cè)試儀 技術(shù)參數(shù)
    1、準(zhǔn)確度:
    Cx: ±(讀數(shù)×1%+1pF)
    tg: ±(讀數(shù)×1%+0.00040)
    2、抗乾擾指標(biāo): 變頻抗乾擾,在200%乾擾下仍能達(dá)到上述準(zhǔn)確度
    3、電容量範(fàn)圍:
    內(nèi)施高壓: 3pF~60000pF/10kV 60pF~1μF/0.5kV
    外施高壓: 3pF~1.5μF/10kV 60pF~30μF/0.5kV
    分辨率: 更高0.001pF,4位有效數(shù)字
    4、tg範(fàn)圍: 不限,分辨率0.001%,電容、電感、電阻三種試品自動(dòng)識(shí)彆。
    5、試驗(yàn)電流範(fàn)圍:10μA~1A
    6、內(nèi)施高壓: 
    設(shè)定電壓範(fàn)圍:0.5~10kV
    輸出電流:200mA
    升降壓方式: 連續(xù)平滑調(diào)節(jié)
    試驗(yàn)頻率:
    45、50、55、60、65Hz單頻     
    45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz自動(dòng)雙變頻PCI總線不僅可以應(yīng)用到低檔至的臺(tái)式係統(tǒng)上,而且也可應(yīng)用在便攜式機(jī)及至服務(wù)器的範(fàn)圍中。在一個(gè)PCI係統(tǒng)中,可做到高速外部設(shè)備和低速外部設(shè)備共享,PCI總線與ISA/EISA總線並存,其係統(tǒng)結(jié)構(gòu)如所示[1]。PCI總線信號(hào)與命令在一個(gè)PCI應(yīng)用係統(tǒng)中,取得了總線控製權(quán)的設(shè)備稱(chēng)為“主設(shè)備”,而被主設(shè)備選中以進(jìn)行通信的設(shè)備稱(chēng)為“從設(shè)備”或“目標(biāo)設(shè)備”。相應(yīng)的接口信號(hào)線,通常分為必備的和可選的2大類(lèi)。
    頻率準(zhǔn)度: ±0.01Hz
    7、外施高壓:
    正接線時(shí)試驗(yàn)電流1A,工頻或變頻40-70Hz
    反接線時(shí)試驗(yàn)電流10kV/1A,工頻或變頻40-70Hz
    8、CVT自激法低壓輸出:輸出電壓3~50V,輸出電流3~30A遠(yuǎn)見(jiàn) 青島華能HN6000 高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀 變壓器特性綜合試驗(yàn)係統(tǒng)按照存儲(chǔ)芯片MicroSD卡供電要求的範(fàn)圍:2.7V-3.6V;不允許超出此範(fàn)圍,否則,芯片在不穩(wěn)定的電壓下工作會(huì)有比較大的風(fēng)險(xiǎn),甚至?xí)?duì)卡片的正常工作帶來(lái)影響。需要考慮的是示波器的設(shè)置,究竟是否需要進(jìn)行20MHZ的帶寬限製?詳細(xì)的使用環(huán)境如下圖所示:如何去測(cè)試“高頻開(kāi)關(guān)電源”噪聲IPAD剛引出來(lái)的那個(gè)端口可以當(dāng)做電源的源端,而通過(guò)後端的外圍模塊後在末端進(jìn)行測(cè)試的時(shí)候,電源通過(guò)了一段PCB走線,包括一些芯片回路,應(yīng)該存在高頻的噪聲,如果采用20MHZ的帶寬限製,實(shí)際上是將原本屬於模塊的噪聲給濾掉了,為此,我們進(jìn)行了對(duì)比測(cè)試進(jìn)行驗(yàn)證:步,我先驗(yàn)證IPAD的供電端在工作時(shí)的輸出,如下圖:通過(guò)直接驗(yàn)證IPAD的輸出口的電壓,保證源端的供電是正常的;通過(guò)測(cè)試,我們發(fā)現(xiàn)在源端測(cè)量的電壓值在3.4V(500MHZ帶寬測(cè)量)左右,峰峰值29mV,是非常穩(wěn)定的供電;可以排除源端供電的問(wèn)題,接下來(lái),我們直接在通過(guò)整個(gè)模塊後在MicroSD卡的供電腳SDVCC對(duì)電行測(cè)量,如下圖:當(dāng)我們?cè)趫D片上的點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試的時(shí)候,發(fā)現(xiàn)在高頻開(kāi)關(guān)電源上有相當(dāng)大的噪聲,使得電壓超出了規(guī)範(fàn)要求的範(fàn)圍,值達(dá)到了3.814V,峰峰值達(dá)854mV;但當(dāng)我們將示波器設(shè)置為20MHZ帶寬的時(shí)候,高頻開(kāi)關(guān)電源變的非常好,完全在供電要求的範(fàn)圍內(nèi);正如在本文開(kāi)頭描述的,在本次高頻開(kāi)關(guān)電源測(cè)試過(guò)程中,已經(jīng)不是高頻開(kāi)關(guān)電源紋波測(cè)量,而應(yīng)該是噪聲。遠(yuǎn)見(jiàn) 青島華能HN6000  高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀 變壓器特性綜合試驗(yàn)係統(tǒng)

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