MOS管種類和結構MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被製造成增強型或耗儘型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的隻有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。右圖是這兩種MOS管的符號。至於為什麼不使用耗儘型的MOS管，不建議刨根問底。對於這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小且容易製造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。

HN6300接地引下線導通測試儀華能牌 導通電阻測試儀 有源變壓器容量特性測試儀 變壓器分接開關測試儀

產品用途
   接地引下線導通測試儀 適用於適用於電力設備接地引下線與接地網（或相鄰設備）之間導通電阻值的測量，同樣適用於低阻值電阻的測量。HN6300接地引下線導通測試儀根據直流電路的基本計算公式R=U/I和串聯(lián)電路電流處處相等的原理，采用四線製測量原理，大電流恒流輸出有效地消除了測試線阻值對測試結果的影響，此儀器交直流兩用，LCD液晶顯示，操作極其簡單且具有報警提示功能。原理圖如下：

二、主要技術指標：

 測量範圍：0～2000mΩ   分辨率：1mΩ

   輸出電流：30A恒流輸出

     測量準度：±（1%+2d）

測量半徑: 50米  

顯示方式: 12864液晶顯示

工作溫度: -10℃～+50℃

在識彆PLC信號方麵，本文采用的是統(tǒng)計模式識彆方法，這種方法計算量比較小，容易求解。本文針對文獻[1]所提出的識彆器模型，改進並設計了一種算法簡單、計算量較小的信號識彆器。在低信噪比的情況下，識彆效果也是比較理想的?；督茖嶋H的電力線通信信道的仿真結果和比較試驗顯示出本文所改進和設計的識彆器的有效性。1信號模型設r(t)為接收到的信號的複數(shù)模型：其中s(t)是調製信號的複數(shù)形式，n(t)是電力線信道的背景噪聲，ωc是載波頻率，θc是載波相位。

三、操作方法：

1．儀器在使用前先插上電源線打開電源開關。

2．先找出與地網連接良好的引下線作為基準點（可用測量地網接地電阻的方法找出基準點）。

3．使用儀器自配的兩根測量線（50米，5米），大小端子（共四個）分彆插入儀器的接線柱，（注：粗線端子插電流接線柱，細線端子插電壓接線柱，且紅黑顏色對應）。

   4．（5米）帶有夾子的一端與基準點連接好，線盤（50米）夾子的一端與被測點連接好。

   5．打開測量開關，待數(shù)據穩(wěn)定後即可得到測量結果。FLIR紅外相機可以在現(xiàn)場抓取高質量的紅外熱圖，並且存貯在後臺的計算機中，對於每一模的溫度都做保存，並且通過後臺的軟件作出統(tǒng)計，對於生產的工藝作出的控製，大大提高壓鑄廠家的工藝穩(wěn)定性和數(shù)據追溯能力。上圖是一個現(xiàn)場的紅外熱像監(jiān)控係統(tǒng)，通過安裝在機械臂上的紅外相機（安裝在保護殼中），紅外相機根據壓鑄係統(tǒng)中的PLC發(fā)出的命令抓圖，並且傳輸?shù)结崤_計算機中，做進一步的溫度分布。借助FLIR在線紅外相機強大的功能以及穩(wěn)定性，這套係統(tǒng)已經在大量客戶現(xiàn)場穩(wěn)定工作了。

四、注意事項

    1．應使用儀器所配備的標準測量線，且必須按照正確的接線方法接線：電流與電壓接線必須同極性（顏色對應）；粗接線柱接電流線，細接線柱接電壓線。

2．在測量前應對基準點及被測點表麵的氧化層進行處理。

3．測試時如果表頭顯示數(shù)據不穩(wěn)定，即有可能是連接點已鬆脫或是夾子接觸，去掉氧化層即可。

4．數(shù)據穩(wěn)定後，不宜長時間按住測量鍵。

5．儀器存放在通風乾燥的環(huán)境中，應避免雨淋。電源為何需要浪湧防護電路電源模塊是係統(tǒng)與外部接觸、接口的，外部傳來的浪湧都經過電源模塊，所以需要浪湧防護電路。由於電源模塊體積小，集成度高，內部的控製芯片和晶體管等器件耐壓和電流都比較極限，一個浪湧電壓過來可能就使模塊損壞失效，導致整個係統(tǒng)的，即使冇有立馬損壞，器件受到應力衝擊，也會影響壽命和可靠性，所以為了保證電源模塊持續(xù)可靠的應用，一般都需要加上浪湧防護電路。電源模塊受限於體積小，很多模塊內部不能加上防浪湧電路，所以需要在模塊的外部加上防浪湧電路。