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產(chǎn)品詳情
簡(jiǎn)單介紹：
它具有三種獨(dú)立的使用方式:電池放電方式,電池充電方式和電池活化方式。可以針對(duì)落後電池不同的實(shí)際情況,對(duì)落後電池進(jìn)行容量試驗(yàn),低壓恒流充電,或設(shè)置多個(gè)循環(huán)周期對(duì)容量的電池作循環(huán)多次充放電,以激化電池極板失效的活性物質(zhì)使電池活化,提升落後電池的容量青島華能 HN1016B 整組蓄電池放電測(cè)試儀 大量供應(yīng)
詳情介紹：
HN1016B蓄電池充放測(cè)試儀 青島華能 HN1016B 整組蓄電池放電測(cè)試儀 大量供應(yīng)
該產(chǎn)品集蓄電池恒流放電，單體監(jiān)測(cè)，智能充電於一體。一機(jī)多用，減少企業(yè)成本，降低維護(hù)人員勞動(dòng)強(qiáng)度，為電池和UPS電源維護(hù)提供科學(xué)的檢測(cè)手段。用於電信、、電力等部門
蓄電池組充放檢電一體機(jī)=蓄電池組恒流放電+蓄電池組智能充電+單體電池電壓監(jiān)測(cè)+蓄電池組活化.
LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會(huì)導(dǎo)致燒壞，關(guān)於這個(gè)問(wèn)題，也見(jiàn)到過(guò)有人在行業(yè)論壇發(fā)過(guò)貼討論過(guò)。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方麵討論LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管技術(shù)。芯片發(fā)熱本次內(nèi)容主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)製器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上麵，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的電流來(lái)自於驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗，簡(jiǎn)單的計(jì)算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實(shí)際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變，那麼請(qǐng)想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。