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HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
生產(chǎn)廠家 衝擊電流發(fā)生器 高壓試驗(yàn)變壓器 三倍頻電源發(fā)生器產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn),檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。
PCIe是一個(gè)在很多領(lǐng)域中都有著廣泛且重要應(yīng)用的接口,經(jīng)過(guò)十幾年的發(fā)展,PCIe接口已經(jīng)從1.發(fā)展到現(xiàn)在的3.,4.也已即將開(kāi)始應(yīng)用。PCIe技術(shù)的物理層基於串行SerDes技術(shù),因此用極少的物理連線就可以實(shí)現(xiàn)高速的數(shù)據(jù)傳輸。筆者在前段時(shí)間碰上了兩個(gè)PCIe接口失效的問(wèn)題,個(gè)經(jīng)過(guò)是PCIe的ESD防護(hù)冇有做好導(dǎo)致通訊中斷,個(gè)是電源負(fù)載過(guò)大導(dǎo)致PCIe供電異常,F(xiàn)PGAPCIeIPCORE邏輯時(shí)鐘失鎖。
衝擊測(cè)試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開(kāi)關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波(full)或截?cái)啵╟hopped) 的閃電突波(L.I)
放大器輸出節(jié)點(diǎn)在為濾波器選擇組件時(shí)提供了的自由度,並且實(shí)現(xiàn)起來(lái)非常簡(jiǎn)單,儘管它可能需要後續(xù)的緩衝。當(dāng)分流電阻值減小時(shí),並聯(lián)電感對(duì)頻率響應(yīng)有顯著影響。在小於1mΩ的情況下,並聯(lián)電感產(chǎn)生傳遞函數(shù)中的零點(diǎn),通常導(dǎo)致在100kHz的低頻率下產(chǎn)生拐角頻率。這種電感增加了電流檢測(cè)線路上高頻尖峰瞬態(tài)事件的幅值,從而使任何並聯(lián)電流檢測(cè)集成電路(IC)的前端過(guò)載。這個(gè)問(wèn)題必須通過(guò)在放大器輸入端進(jìn)行濾波來(lái)解決。請(qǐng)注意,無(wú)論製造商如何聲稱,所有電流檢測(cè)IC都容易受到此問(wèn)題的影響。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征
本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作,手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程,真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。
充電控製功能
係統(tǒng)采用恒流充電。
根據(jù)試驗(yàn)要求,調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間,能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控製電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控製方式充電時(shí),根據(jù)設(shè)定值,自動(dòng)充電並穩(wěn)定在充電電壓值上,延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。
動(dòng)作控製
本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值,也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。
截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值,也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。
可控製本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。
手動(dòng)/自動(dòng)控製。
2 觸發(fā)控製
係統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)
將100nH的漏電感引入變壓器的兩根二次引線,並且將3μH的漏電與初級(jí)繞組串聯(lián)時(shí),將會(huì)發(fā)生什麼。這些電感可在電流路徑中建立寄生電感,其中包括變壓器內(nèi)部的漏電感以及PCB和其他元件中的電感。當(dāng)初始場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)關(guān)斷時(shí),初始漏電感仍然有電流流動(dòng),而次級(jí)漏電感開(kāi)啟初始條件為0A的1-D周期。變壓器磁芯上出現(xiàn)基座電壓,所有繞組共用。該基座電壓使初級(jí)漏電中的電流斜降至0A,並使次級(jí)漏電電流斜升以將電流傳輸?shù)截?fù)載。