HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
定製定做 衝擊電壓發(fā)生裝置 超低頻高壓發(fā)生器 電子式多倍頻發(fā)生器產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

聯(lián)係人車(chē)高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

x10檔結(jié)構(gòu)模型此時(shí)示波器輸入信號(hào)衰減為被測(cè)入信號(hào)的1/10。對(duì)於較高頻率的輸入信號(hào),容抗對(duì)於信號(hào)的影響會(huì)大於阻抗。，在x10檔時(shí)，輸入阻抗為10MΩ，輸入電容10pF，輸入信號(hào)的頻率為100MHz，此時(shí)，輸入容抗為Xc(Cp)=1/（2×π×f×C）=159Ω，此時(shí)容抗遠(yuǎn)遠(yuǎn)小於阻抗，信號(hào)電流更多的會(huì)通過(guò)輸入電容提供的低阻回路，而高阻回路等效為旁路。作為測(cè)試的環(huán)節(jié)，能否將信號(hào)高保真的傳輸至示波器是能否準(zhǔn)確測(cè)試的重點(diǎn)，所以，在測(cè)試較高頻率信號(hào)時(shí)，需注意的帶寬和輸入電容是否合適，下表為ZDS2000係列示波器標(biāo)配參數(shù)。

衝擊測(cè)試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開(kāi)關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

直流充電樁是一個(gè)典型的強(qiáng)弱電結(jié)合的電子係統(tǒng)，充電功率流的強(qiáng)電部分跟後臺(tái)的控製、顯示、通訊、計(jì)費(fèi)等弱電係統(tǒng)集合在一起，EMC和可靠性兼顧的問(wèn)題比較棘手。下麵簡(jiǎn)要描下電源、CAN、RS485/232的隔離在直流樁上的應(yīng)用。充電樁示意圖直流樁的主要通信方式CAN-bus：根據(jù)GB/T2234.1-215《電動(dòng)汽車(chē)傳導(dǎo)充電用連接裝置》的規(guī)範(fàn)，直流樁與電動(dòng)汽車(chē)通過(guò)CAN接口進(jìn)行通信，每一個(gè)充電插頭都有CAN接口。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控製電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控製方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電並穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控製

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控製。

2 觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

在ISO882-5_27及ISO882-1_25的道路車(chē)輛熔斷器國(guó)標(biāo)中，對(duì)熔斷器的參數(shù)定義及測(cè)試指標(biāo)做了詳細(xì)的說(shuō)明。完整的絲相關(guān)測(cè)試包含導(dǎo)通壓降測(cè)試，熔斷時(shí)間，級(jí)進(jìn)電流及分段能力測(cè)試。本文主要以SF3和SF51為待測(cè)對(duì)象，重點(diǎn)介紹熔斷時(shí)間測(cè)試。熔斷時(shí)間實(shí)驗(yàn)要求下圖摘自ISO882-1_27國(guó)標(biāo)中針對(duì)SF3和SF51的熔斷測(cè)試要求，熔斷時(shí)間需在過(guò)載電流從1.1IR~6.IR範(fàn)圍內(nèi)測(cè)試，當(dāng)過(guò)載電流越大，熔斷時(shí)間越快。