HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
來(lái)電諮詢 衝擊電壓試驗(yàn)裝置 乾式試驗(yàn)變壓器 交流耐壓測(cè)試儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

ETCR3數(shù)字式接地電阻測(cè)試儀專為現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量接地電阻而精心設(shè)計(jì)製造的，采用數(shù)字及微處理技術(shù)，3線或2線法測(cè)量接地電阻，具有特的線阻校驗(yàn)功能、抗乾擾能力和環(huán)境適應(yīng)能力，確保長(zhǎng)年測(cè)量的高精度、高穩(wěn)定性和可靠性。其廣泛應(yīng)用於電力、電信、氣象、油田、建築、防雷及工業(yè)電氣設(shè)備等的接地電阻測(cè)量。ETCR3數(shù)字式接地電阻測(cè)試儀具有特的線阻校驗(yàn)功能，對(duì)現(xiàn)場(chǎng)低值接地電阻測(cè)量更，能避免因測(cè)試線長(zhǎng)時(shí)間使用線阻變化引起的誤差；能避免因測(cè)試線未完全插入儀表接口或接觸引起的誤差；能避免因用戶更換或加長(zhǎng)測(cè)試線引起的誤差等。從被測(cè)物體開(kāi)始，每隔5～1米分彆將P、C輔助接地棒呈一條直線深埋入大地，將接地測(cè)試線(綠、黃、紅)從儀表的P、C接口開(kāi)始對(duì)應(yīng)連接到被測(cè)接地極輔助電壓極P、輔助電流極C上。不使用輔助接地棒的簡(jiǎn)易測(cè)量法，利用現(xiàn)有的接地電阻值的接地極作為輔助接地極，使用2條簡(jiǎn)易測(cè)試線連接(即其中P接口短接)?？梢岳媒饘偎堋⑾浪ǖ冉饘俾裨O(shè)物、商用電力係統(tǒng)的共同接地或建築物的防雷接地極等來(lái)代替輔助接地棒P，測(cè)量時(shí)注意去除所選金屬輔助接地體連接點(diǎn)的氧化層。

衝擊測(cè)試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開(kāi)關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

其中，n為大於1的自然數(shù)，an代表第n個(gè)補(bǔ)償周期獲取的補(bǔ)償參數(shù)，mn-1代表第n-1個(gè)補(bǔ)償周期存儲(chǔ)的補(bǔ)償餘數(shù)，nn代表RTC模塊的補(bǔ)償單位，b代表RTC模塊的補(bǔ)償單位的整數(shù)倍，mn代表第n個(gè)補(bǔ)償周期的補(bǔ)償餘數(shù)。在第n個(gè)補(bǔ)償周期中，所述根據(jù)所述補(bǔ)償校準(zhǔn)值和所述補(bǔ)償餘數(shù)對(duì)RTC模塊的時(shí)鐘頻率進(jìn)行校準(zhǔn)，具體包括：按照所述第n個(gè)補(bǔ)償周期的補(bǔ)償校準(zhǔn)值對(duì)所述RTC模塊的時(shí)鐘頻率進(jìn)行校準(zhǔn)，並存儲(chǔ)所述第n個(gè)補(bǔ)償周期的補(bǔ)償餘數(shù)。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控製電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控製方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電並穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控製

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控製。

2 觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會(huì)導(dǎo)致燒壞，關(guān)於這個(gè)問(wèn)題，也見(jiàn)到過(guò)有人在行業(yè)論壇發(fā)過(guò)貼討論過(guò)。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方麵討論LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管技術(shù)。芯片發(fā)熱本次內(nèi)容主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)製器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上麵，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的電流來(lái)自於驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗，簡(jiǎn)單的計(jì)算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實(shí)際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變，那麼請(qǐng)想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。