HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
長期供應(yīng) 雷電衝擊發(fā)生器 交流耐壓試驗(yàn)裝置 交流耐壓測(cè)試儀產(chǎn)品簡介：

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

3672係列功能選件-矢量混頻/變頻器件測(cè)量應(yīng)用軟件的操作步驟說明：矢量混頻/變頻器件測(cè)試軟件是3672係列矢量網(wǎng)絡(luò)儀測(cè)試功能選件之一，集變頻器件的變頻損耗或增益、端口輸入/輸出功率（正向及反向）、駐波、相位及群時(shí)延等參數(shù)測(cè)量於一體的測(cè)試軟件。其主要特點(diǎn)包括：1.測(cè)量過程需使用一個(gè)參考混頻器進(jìn)行表征。測(cè)試參數(shù)，相比於標(biāo)量混頻器測(cè)試增加了相位及群時(shí)延等參數(shù)的測(cè)試功能。充分利用內(nèi)置雙激勵(lì)源配置，一個(gè)用於提供射頻測(cè)量激勵(lì)信號(hào)，另一個(gè)則被用於提供本振信號(hào)，無需額外信號(hào)源提供本振信號(hào)，節(jié)約了測(cè)試成本，同時(shí)，避免了不同儀器之間的同步配置。

衝擊測(cè)試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

德圖儀器食品**快速檢測(cè)解決方案—輕鬆實(shí)現(xiàn)合規(guī)，質(zhì)量顯著提高“民以食為天”，在餐飲連鎖領(lǐng)域中，準(zhǔn)確的測(cè)量和控製溫度是保證食品的質(zhì)量和衛(wèi)生**的關(guān)鍵所在。在嚴(yán)“食品**法”和HACCP法規(guī)對(duì)食品加工和餐飲服務(wù)的潛在衝擊和要求下，許多餐飲在尋找高性價(jià)比的解決方案來應(yīng)對(duì)。德圖儀器在多年聽取行業(yè)內(nèi)專家和餐飲的建議下，推出一套完整的包括儀器和不同應(yīng)用的解決方案來解決專業(yè)的質(zhì)量合規(guī)和食品**問題。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控製電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動(dòng)控製方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電並穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控製

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控製。

2 觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

在帶寬500MHz以下的示波器，一般標(biāo)配是1倍衰減或10倍衰減的無源，某些的衰減比可手動(dòng)選擇。不同衰減比的在帶寬、輸入電阻、輸入電容上麵都有差異：圖2ZP1025SA1倍、10倍衰減時(shí)的參數(shù)差異可見的輸入電容，比晶體手冊(cè)的負(fù)載電容要大。的介入，必定大大影響到原已參數(shù)優(yōu)化好的電路，從而嚴(yán)重影響晶體電路的起振。兩害相權(quán)取其輕，測(cè)量無源晶振時(shí)應(yīng)優(yōu)先選用10倍衰減。若10倍衰減的寄生參數(shù)還是過大，可以考慮選用有源高壓差分，其負(fù)載參數(shù)優(yōu)化得非常小，如Lecroy的ZP1000，輸入阻抗可達(dá)0.9p1M歐姆。