HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
生產(chǎn)廠家 衝擊電壓發(fā)生器 變頻串聯(lián)諧振 CVT諧振耐壓裝置產(chǎn)品簡介：

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

不同波特率的波形，數(shù)據(jù)位寬不一致，時(shí)間T=1/采樣率，實(shí)際采樣率大的波形對(duì)應(yīng)的時(shí)間就小，所以從中可看出波特率為10126bps的波形像往左偏移了。當(dāng)時(shí)設(shè)置的波特率同為9600時(shí)，采樣點(diǎn)的位置是根據(jù)9600的波特率來確定的，當(dāng)實(shí)際采樣率和9600bps有偏差時(shí)，誤差會(huì)逐漸累積，從而導(dǎo)致有偏差。設(shè)置的數(shù)據(jù)位寬越大，越容易疊加誤差。自檢波特率方法從波形出發(fā)，根據(jù)波形位寬估算波特率，此法適用於波特率偏差較大或不確定波特率該設(shè)置多少時(shí)。

衝擊測試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗(yàn)。此種測試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

另外一種常見於ARM芯片，我們知道ARM芯片采用統(tǒng)一的編程接口SWD接口，某些ARM芯片會(huì)提供兩個(gè)AP(AccessPort)，通過關(guān)閉訪問內(nèi)部空間的AP可以達(dá)到加密的目的。而如果想解鎖，就要訪問另一條AP，這條AP隻可以訪問一個(gè)寄存器，通過寫入該寄存器特定的數(shù)據(jù)就可以將芯片重置為默認(rèn)狀態(tài)。還有一種加密方式和上麵類似，隻不過采用了兩個(gè)編程接口，而不是同一編程接口的兩條AP?？傊?，加密就是讓你無法讀取芯片數(shù)據(jù)，而又可以通過擦除再次升級(jí)固件。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控製電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動(dòng)控製方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電並穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控製

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控製。

2 觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

智能（Smartphone）和智能手表（SmartWatch）的“智能（Smart）”同時(shí)具備兩層含義：“智慧、聰明”和“小巧、輕薄”。曾經(jīng)的日本通過在範(fàn)圍內(nèi)製造更小型的產(chǎn)品，創(chuàng)造並擁有了較高的質(zhì)量，得以技術(shù)的發(fā)展。日本曾通過電子計(jì)算機(jī)、手表、攜帶式收音機(jī)、音樂播放器（Player）、緊湊型數(shù)碼相機(jī)（CompactDigitalCamera）、集成電路錄音機(jī)（ICRecorder）等一係列的的電子產(chǎn)品拓展了世界市場。