- 聯(lián)係人 : 車高平 肖吉盛
- 聯(lián)係電話 : 0532-88365027
- 傳真 : 0532-88319127
- 移動電話 : 13608980122
- 地址 : 青島南京路27號
- Email : 88365027@163.com
- 郵編 : 266700
- 公司網(wǎng)址 : http://m.jlbayer.com
- MSN : 88365027@163.com
- QQ : 1265377928
HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
長期供應(yīng) 衝擊電壓測試係統(tǒng) 高壓試驗(yàn)變壓器 交直流耐壓測試儀產(chǎn)品簡介:
聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn),檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。
在信號/頻譜儀上,邊帶噪聲是相位噪聲和幅度噪聲的總和,通常當(dāng)已知調(diào)幅噪聲遠(yuǎn)小於相位噪聲時(小於1dB以上),在頻譜儀上讀出的邊帶噪聲即為相位噪聲。在29K環(huán)境溫度下,噪聲功率基底是-174dBm/Hz。由於相位噪聲和調(diào)幅噪聲對熱噪聲的貢獻(xiàn)是等同的,所以相位噪聲對熱噪聲的貢獻(xiàn)是-177dBm/Hz,比熱噪聲低3dB。如果載波功率較小,-2dBm,相位噪聲就被限製到-157dBc/Hz(-177dBm/Hz-(-2dBm))。
衝擊測試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗(yàn)。此種測試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波(full)或截?cái)啵╟hopped) 的閃電突波(L.I)
在大多數(shù)頻譜儀中,RBW控製功能會根據(jù)用戶配置的頻寬自動設(shè)置。在OTA測量中,應(yīng)降低RBW值,以查看可能影響受擾接收機(jī)的小信號。這種組合導(dǎo)致大多數(shù)電池供電的頻譜儀的掃描速率非常低,即其不可能看到導(dǎo)致乾擾的小的間歇性瞬態(tài)信號。實(shí)時頻譜儀解決了這個問題,它能夠使用RBW較窄的濾波器測量頻譜,速度要快於基本掃頻儀。顯示了LTE信號在空中傳送(OTA)時的結(jié)果。在這種情況下,頻寬被設(shè)置成40MHz,默認(rèn)RBW為300kHz。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征
本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作,手動或自動完成充放電過程,真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。
充電控製功能
係統(tǒng)采用恒流充電。
根據(jù)試驗(yàn)要求,調(diào)節(jié)充電電壓、充電時間、延時時間,能夠手動或者自動控製電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動控製方式充電時,根據(jù)設(shè)定值,自動充電並穩(wěn)定在充電電壓值上,延時3秒報警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。
動作控製
本體球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值,也可手動控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。
截波球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值,也可手動控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。
可控製本體自動接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。
手動/自動控製。
2 觸發(fā)控製
係統(tǒng)能夠手動、自動或報警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號可以立延時
無源晶振自身無法震蕩,在工作時需要搭配外圍電路。在一定條件下,石英晶片會產(chǎn)生壓電效應(yīng):晶片兩端的電場與機(jī)械形變會互相轉(zhuǎn)化。當(dāng)外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率相等時,晶體產(chǎn)生的振動和電場強(qiáng)度,這稱為壓電諧振,類似與LC回路的諧振。圖1石英晶體的電路符號、等效電路、電抗特性及外圍電路圖由於晶體為無源器件,其對外圍電路的參數(shù)較為敏感,尤其為負(fù)載電容。根據(jù)晶體的手冊,我們得知測試電路中有電容,此電容對晶體是否起振大有關(guān)聯(lián):CCg稱作匹配電容,是接在晶振的兩個腳上的對地電容,其作用就是調(diào)節(jié)負(fù)載電容使其與晶振的要求相一致,需要注意的是CCg串聯(lián)後的總電容值才是有效的負(fù)載電容部分。