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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:規(guī)格齊全 雷電衝擊發(fā)生器 電纜耐壓試驗裝置 感應耐壓試驗裝置

  • 產(chǎn)品型號:HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
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簡單介紹:
衝擊測試係統(tǒng)係應用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗。此種測試係依據(jù)相關(guān)的國際標準規(guī)範執(zhí)行全波(full)或截斷(chopped) 的閃電突波(L.I)規(guī)格齊全 雷電衝擊發(fā)生器 電纜耐壓試驗裝置 感應耐壓試驗裝置
詳情介紹:

HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
規(guī)格齊全 雷電衝擊發(fā)生器 電纜耐壓試驗裝置 感應耐壓試驗裝置規(guī)格齊全 雷電衝擊發(fā)生器 電纜耐壓試驗裝置 感應耐壓試驗裝置產(chǎn)品簡介:

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設備等試品進行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗,檢驗絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗中。

規(guī)格齊全 雷電衝擊發(fā)生器 電纜耐壓試驗裝置 感應耐壓試驗裝置在這裡,我們主要討論模式模式四充電樁內(nèi)的剩餘電流保護器的選用。在GB/T18487.1-2015中要求,交流供電設備的剩餘電流保護器宜采用A型或B型,符合GB14084.2-2008,GB16916.1-2014和GB22794-2008的相關(guān)要求。如所示為充電模式3控製導引電路原理圖,在供電設備內(nèi)部安裝了剩餘電流保護器。圖1充電模式3控製導引電路原理圖什麼是A型或者B型剩餘電流保護器?我國的剩餘電流保護裝置(RCD)指導性標準GB/Z6829-2008(IEC/TR60755:2008,MOD)《剩餘電流動作保護器的一般要求》從產(chǎn)品的基本結(jié)構(gòu)、剩餘電流類型、脫扣方式等方麵作了劃分。


衝擊測試係統(tǒng)係應用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗。此種測試係依據(jù)相關(guān)的標準規(guī)範執(zhí)行全波(full)或截斷(chopped 的閃電突波L.I


本文探討了目前LED分布光度計的發(fā)展狀況,主要是對基於成像光度學,采用CCD或是數(shù)碼相機作為分布光度測量手段的儀器進行了和研究。此研究根據(jù)LED為半麵發(fā)光的特點,采用拋物麵反射器的設置,對LED的發(fā)光進行聚光反射,LED方向可通過步進馬達進行一定角度的轉(zhuǎn)換,從而得到不同角度位置的光斑,使用CCD或是數(shù)碼相機進行測試。得到LED反射的發(fā)光光斑後,通過合適的圖像處理,可根據(jù)光斑得到LED的配光曲線。規(guī)格齊全 雷電衝擊發(fā)生器 電纜耐壓試驗裝置 感應耐壓試驗裝置
HN
CJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作,手動或自動完成充放電過程,真正實現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗要求,調(diào)節(jié)充電電壓、充電時間、延時時間,能夠手動或者自動控製電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動控製方式充電時,根據(jù)設定值,自動充電並穩(wěn)定在充電電壓值上,延時3秒報警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動作控製

本體球距大小能夠自動跟蹤設定充電電壓值,也可手動控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動跟蹤設定充電電壓值,也可手動控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動接地、充電極性切換、充電次數(shù)設定等功能。

手動/自動控製。

觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動、自動或報警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點火。觸發(fā)點火信號可以立延時


而對於支撐端到端傳輸?shù)幕A網(wǎng)絡而言,低延時(微秒級)、無損(lossless)則是重要的指標。低延時網(wǎng)絡轉(zhuǎn)發(fā)延時主要產(chǎn)生在設備節(jié)點(這裡忽略了光電傳輸延時和數(shù)據(jù)串行延時),設備轉(zhuǎn)發(fā)延時包括以下三部分:存儲轉(zhuǎn)發(fā)延時:芯片轉(zhuǎn)發(fā)線處理延遲,每個hop會產(chǎn)生1微秒左右的芯片處理延時(業(yè)界也有嘗試使用cut-through模式,單跳延遲可以降低到0.3微秒左右);Buffer緩存延時:當網(wǎng)絡擁塞時,報文會被緩存起來等待轉(zhuǎn)發(fā)。規(guī)格齊全 雷電衝擊發(fā)生器 電纜耐壓試驗裝置 感應耐壓試驗裝置

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