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HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
規(guī)格齊全 衝擊電壓發(fā)生裝置 帶時(shí)間直流高壓發(fā)生器 感應(yīng)耐壓試驗(yàn)裝置產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn),檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。
為了從頻率角度說明概念,展示了一個(gè)帶有來自直接變頻架構(gòu)的兩個(gè)發(fā)送信號(hào)的示例。在這些示例中,射頻位於LO的。在直接變頻架構(gòu)中,鏡像頻率和三次諧波出現(xiàn)在LO的相對(duì)側(cè),並顯示在LO頻率下方。當(dāng)將不同通道的LO頻率設(shè)置為相同的頻率時(shí),雜散頻率也處?kù)断嗤念l率,如a所示。b所示為L(zhǎng)O2的設(shè)置頻率高於LO1的情況。數(shù)字NCO同等地偏移,使RF信號(hào)實(shí)現(xiàn)相乾增益。鏡像和三次諧波失真積處?kù)恫煌念l率,因此不相關(guān)。
衝擊測(cè)試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波(full)或截?cái)啵╟hopped) 的閃電突波(L.I)
據(jù),216年汽車電子標(biāo)簽(OBU)的市場(chǎng)需求量有近千萬(wàn)套。某國(guó)內(nèi)ETC行業(yè)的企業(yè),OBU年銷量達(dá)數(shù)百萬(wàn)套。他們?cè)谝豢頞BU中使用某MCU廠商的Cortex-M3內(nèi)核芯片作為主控MCU,量產(chǎn)時(shí)采用為在線編程的方式,在PCB板上,對(duì)MCU進(jìn)行批量燒錄。就像:在燒片過程中,客戶發(fā)現(xiàn)燒錄良率非常低,經(jīng)常莫名的燒錄失敗。每天幾千套的產(chǎn)能要求,低良率生產(chǎn),讓生產(chǎn)部門在燒錄環(huán)節(jié)束手無(wú)策。為提高產(chǎn)能效率及燒錄的穩(wěn)定性,客戶請(qǐng)求技術(shù)支持。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征
本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作,手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過程,真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。
充電控製功能
係統(tǒng)采用恒流充電。
根據(jù)試驗(yàn)要求,調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間,能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控製電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動(dòng)控製方式充電時(shí),根據(jù)設(shè)定值,自動(dòng)充電並穩(wěn)定在充電電壓值上,延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。
動(dòng)作控製
本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值,也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。
截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值,也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。
可控製本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。
手動(dòng)/自動(dòng)控製。
2 觸發(fā)控製
係統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)
傅立葉變換紅外光譜技術(shù)結(jié)合其多種形式的非接觸測(cè)量方式,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)氣體的主被動(dòng)測(cè)量,非常適合用於化工業(yè)園區(qū)的排放現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)測(cè)。FTIR技術(shù)用於氣體定量存在兩個(gè)主要問題,一是氣體分子吸收截麵受氣壓、溫度影響明顯,二是FTIR係統(tǒng)的分辨率一般遠(yuǎn)小於氣體分子譜線的展寬,儀器線型受到乾涉圖采樣,切趾和輻射入射立體角等因素影響。這些影響因素使得表觀譜線產(chǎn)生難以忽略的偏移和展寬。20世紀(jì)80年代後期,隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步,環(huán)境監(jiān)測(cè)技術(shù)迅速發(fā)展,儀器,計(jì)算機(jī)控製等現(xiàn)代化手段在大氣環(huán)境監(jiān)測(cè)中得到了廣泛應(yīng)用,自動(dòng)連續(xù)監(jiān)測(cè)係統(tǒng)相繼問世。