HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
廠家供應(yīng) 衝擊電壓發(fā)生器 變頻諧振串聯(lián)諧振 三倍頻電源發(fā)生器產(chǎn)品簡介：

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

波形累積二參數(shù)測量僅僅通過波形的直觀表現(xiàn)異常信號，需要工程師對於波形特性有一定的了解，ZDL6示波記錄儀標(biāo)配55種自動測量參數(shù)，可在采集的同時，將各項(xiàng)指標(biāo)量化，通過測量參數(shù)列表的實(shí)時統(tǒng)計顯示，迅速發(fā)現(xiàn)異常數(shù)據(jù)。並通過曆史統(tǒng)計功能，到異常信號產(chǎn)生瞬間。自動測量觀察異常數(shù)據(jù)曆史統(tǒng)計異常數(shù)據(jù)三GO-NOGO條件判斷通過波形累積或者參數(shù)測量，需要工程師肉眼觀察波形處理後的數(shù)據(jù)，而曆史記錄也有數(shù)量上限。

衝擊測試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗(yàn)。此種測試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波（full）或截斷（chopped） 的閃電突波（L.I）

LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會導(dǎo)致燒壞，關(guān)於這個問題，也見到過有人在行業(yè)論壇發(fā)過貼討論過。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方麵討論LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管技術(shù)。芯片發(fā)熱本次內(nèi)容主要針對內(nèi)置電源調(diào)製器的高壓驅(qū)動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上麵，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動芯片的電流來自於驅(qū)動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實(shí)際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變，那麼請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作，手動或自動完成充放電過程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時間、延時時間，能夠手動或者自動控製電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動控製方式充電時，根據(jù)設(shè)定值，自動充電並穩(wěn)定在充電電壓值上，延時3秒報警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動作控製

本體球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動/自動控製。

2 觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動、自動或報警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號可以立延時

數(shù)字示波器采樣、處理數(shù)據(jù)、把數(shù)據(jù)在屏幕上顯示出來都是需要時間的。我們也可以這樣理解，示波器會眨眼睛。它們會每秒睜開眼睛多少次，來捕獲信號，其間則會閉上眼睛去處理數(shù)據(jù)，把數(shù)據(jù)顯示到屏幕上。處理數(shù)據(jù)和把數(shù)據(jù)在屏幕上顯示出來這段時間稱為死區(qū)時間。死區(qū)時間內(nèi)示波器不采樣數(shù)據(jù)，是探測不到信號發(fā)生的變化的，所以實(shí)際上不是所有波形我們都能在屏幕上看到，我們看到的波形其實(shí)是被死區(qū)時間分隔成一段一段的，因此就有了波形捕獲率一說。