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HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
大量供應(yīng) 衝擊電壓試驗(yàn)裝置 電纜耐壓試驗(yàn)裝置 感應(yīng)耐壓測(cè)試儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn),檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。
示波記錄儀隔離測(cè)試示波記錄儀從儀器板卡著手,各輸入通道之間相互絕緣隔離,可程度確保在強(qiáng)乾擾、多參考電壓等複雜環(huán)境下的測(cè)試,同時(shí)隔離板卡精度能夠達(dá)到,同時(shí)隔離板卡精度可以達(dá)到.3%,.3%,遠(yuǎn)高於市麵上較為普遍的八位ADC示波器2%的精度。多通道測(cè)試在測(cè)試中,通道數(shù)往往非常重要,比如三相輸入,三相輸出的變頻器,六相電壓電流就需要十二個(gè)通道,一般的示波器通常隻有4個(gè)通道,無(wú)法滿足需求,目前主流的應(yīng)對(duì)方法是,使用4通道示波器,電壓差分和電流各兩個(gè),每次測(cè)量?jī)上嚯娏麟妷?,而後再測(cè)試其他相,如此一來(lái),就不能保證測(cè)試的同步性,從而造成了很大的誤差,示波記錄儀可選配8個(gè)卡槽,可根據(jù)需求選配不同卡槽,輕鬆變?yōu)榘送ǖ?,十六通道的高精度隔離示波器,保證測(cè)試的同步性,**性,準(zhǔn)確性,為電源測(cè)試領(lǐng)域提供強(qiáng)有力的保障。
衝擊測(cè)試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波(full)或截?cái)啵╟hopped) 的閃電突波(L.I)
接觸式的測(cè)試方法中測(cè)溫元件直接與被測(cè)介質(zhì)接觸,直接測(cè)得被測(cè)物體的溫度,因而簡(jiǎn)單、可靠、測(cè)量精度高。經(jīng)常用到的如所示:.功能單一的測(cè)溫儀產(chǎn)品的溫升試驗(yàn)也是安規(guī)要求的一個(gè)重要部分,那麼我們?cè)谠O(shè)計(jì)一款產(chǎn)品時(shí),如何實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)而且便捷的測(cè)量呢?開關(guān)電源中MOSFET和二極管會(huì)產(chǎn)生開關(guān)損耗以及傳導(dǎo)損耗、電感損耗包括線圈損耗和磁芯損耗、電容等造成的損耗,這些損耗終都以熱的形式展現(xiàn)出來(lái),而過(guò)熱又會(huì)降低元器件性能導(dǎo)致?lián)p耗加劇,所以了解無(wú)用功率損失在哪裡很重要。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征
本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作,手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程,真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。
充電控製功能
係統(tǒng)采用恒流充電。
根據(jù)試驗(yàn)要求,調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間,能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控製電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控製方式充電時(shí),根據(jù)設(shè)定值,自動(dòng)充電並穩(wěn)定在充電電壓值上,延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。
動(dòng)作控製
本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值,也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。
截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值,也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。
可控製本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。
手動(dòng)/自動(dòng)控製。
2 觸發(fā)控製
係統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)
所以,非製冷紅外焦平麵探測(cè)器是CMOS-MEMS單體集成的大陣列器件。非晶矽紅外探測(cè)器結(jié)構(gòu)應(yīng)用領(lǐng)域非製冷紅外探測(cè)器在**和商用領(lǐng)域具有非常廣泛的應(yīng)用:**領(lǐng)域**領(lǐng)域應(yīng)用包括熱觀瞄(TWS)、便攜式視覺增強(qiáng)、車載視覺增強(qiáng)(DVE)、遠(yuǎn)程站(RWS)、無(wú)人機(jī)(U)、無(wú)人駕駛地麵車輛、觀察指揮車、火控和製導(dǎo)等,如所示。非製冷紅外探測(cè)器在**領(lǐng)域的主要應(yīng)用熱像測(cè)溫領(lǐng)域熱像測(cè)溫用於預(yù)防性檢測(cè),對(duì)電力輸電線路、發(fā)電設(shè)備、機(jī)械設(shè)備等通過(guò)紅外熱像儀檢測(cè)異常發(fā)熱區(qū)域,可以預(yù)防重大停機(jī)以及事故的發(fā)生。