HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
現(xiàn)貨供應(yīng) 雷電衝擊發(fā)生器 充氣式試驗(yàn)變壓器 CVT檢驗(yàn)諧振升壓裝置產(chǎn)品簡介：

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

一種應(yīng)用在電能表中RTC模塊的補(bǔ)償校準(zhǔn)方法，包括：根據(jù)測量的RTC模塊的晶體溫度獲取時(shí)鐘校準(zhǔn)所需的補(bǔ)償參數(shù)；根據(jù)所述補(bǔ)償參數(shù)和RTC模塊的補(bǔ)償單位計(jì)算補(bǔ)償校準(zhǔn)值和補(bǔ)償餘數(shù)；根據(jù)所述補(bǔ)償校準(zhǔn)值和所述補(bǔ)償餘數(shù)對(duì)RTC模塊的時(shí)鐘頻率進(jìn)行校準(zhǔn)。優(yōu)選地，在個(gè)補(bǔ)償周期中，所述根據(jù)所述補(bǔ)償校準(zhǔn)值和所述補(bǔ)償餘數(shù)對(duì)RTC模塊的時(shí)鐘頻率進(jìn)行校準(zhǔn)，具體包括：按照所述補(bǔ)償校準(zhǔn)值對(duì)所述RTC模塊的時(shí)鐘頻率進(jìn)行校準(zhǔn)，並存儲(chǔ)所述補(bǔ)償餘數(shù)。

衝擊測試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗(yàn)。此種測試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

使用MatrikonFLEX，供應(yīng)商可以快速，輕鬆地在從冇有操作係統(tǒng)的小型嵌入式設(shè)備到大型企業(yè)服務(wù)器的產(chǎn)品中實(shí)現(xiàn)OPCUA連接。MatrikonFLEX提供OPCUA標(biāo)準(zhǔn)提供的所有優(yōu)勢：從強(qiáng)大的數(shù)據(jù)上下文功能和數(shù)據(jù)**性，到促進(jìn)整個(gè)企業(yè)各個(gè)層麵的通信所需的可擴(kuò)展性。優(yōu)點(diǎn)MatrikonFLEX完全滿足VIMANA的要求，使其開發(fā)人員能夠快速，輕鬆地開發(fā)支持OPCUA的軟件解決方案。VIMANA解決方案提供符合嚴(yán)格OPCUA標(biāo)準(zhǔn)的OPCUA數(shù)據(jù)連接，並提供的性能，同時(shí)限度地減少計(jì)算資源消耗。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控製電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動(dòng)控製方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電並穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控製

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控製。

2 觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

磁耦器件可提供5000Vrms/min及6000V/10sec的電壓隔離保護(hù)，多種型號(hào)的磁耦帶有±15KV的ESD保護(hù)。長壽命。采用芯片級(jí)變壓器技術(shù)傳輸信號(hào)，消除光耦傳輸時(shí)的器件損耗。器件內(nèi)部基本不存在損耗，正常工作條件下至少達(dá)到50年工作壽命。低功耗。磁耦基於芯片級(jí)變壓器傳輸原理，信號(hào)傳輸時(shí)幾乎不存在能量損耗，因此能以極低的功耗實(shí)現(xiàn)高度的數(shù)據(jù)隔離。相同速率下，其功耗僅為光耦的1/10~1/6。電源隔離信號(hào)通道做隔離後，建議電源通道也做隔離，可直接采用帶隔離的DC-DC隔離模塊實(shí)現(xiàn)，如下圖所示。