HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
廠家供應(yīng) 衝擊電壓測試係統(tǒng) 帶時間直流高壓發(fā)生器 感應(yīng)耐壓測試儀產(chǎn)品簡介：

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

每年都有新發(fā)布，大家都在追逐更高的性能，除了主CPU頻率高以外，還需要關(guān)注GPU，同時RAM也要越大越好，存儲芯片對速度的影響，大家又知道多少呢？普及，諾基亞無可替代20世紀(jì)90年代，風(fēng)靡世界是諾基亞，他推出的1100,1110，3210等型號，占領(lǐng)了當(dāng)時80%市場。諾基亞裡麵集成了Intel的NorFlash芯片，他的快讀取速度僅為5MB/S，這個速度，應(yīng)付當(dāng)年的遊戲“貪吃蛇”的應(yīng)用是足夠了。

衝擊測試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗(yàn)。此種測試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被製造成增強(qiáng)型或耗儘型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的隻有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。右圖是這兩種MOS管的符號。至於為什麼不使用耗儘型的MOS管，不建議刨根問底。對於這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小且容易製造。所以開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動的應(yīng)用中，一般都用NMOS。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作，手動或自動完成充放電過程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時間、延時時間，能夠手動或者自動控製電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動控製方式充電時，根據(jù)設(shè)定值，自動充電並穩(wěn)定在充電電壓值上，延時3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動作控製

本體球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動/自動控製。

2 觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動、自動或報(bào)警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號可以立延時

為了滿足傳導(dǎo)發(fā)射限製的要求，通常使用電磁乾擾(EMI)濾波器來電子產(chǎn)品產(chǎn)生的傳導(dǎo)噪聲。但是怎麼選擇一個現(xiàn)有的濾波器或者設(shè)計(jì)一個能滿足需要的濾波器?工程師表現(xiàn)得很盲目，隻有憑借經(jīng)驗(yàn)作嘗試。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)使用一個濾波器，如果不能滿足要求再重新修改設(shè)計(jì)或者換另一個新的濾波器。要找到一個合適的EMI濾波器就成為一個費(fèi)時且高成本的任務(wù)。電子係統(tǒng)產(chǎn)生的乾擾特性解決問題要了解電子係統(tǒng)產(chǎn)生的總乾擾情況，需要多少乾擾電壓才能滿足標(biāo)準(zhǔn)要求?共模乾擾是多少，差模乾擾是多少?隻有明確了這些乾擾特性我們才能根據(jù)實(shí)際的需要提出要求。