HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
現(xiàn)貨供應(yīng) 衝擊電流發(fā)生器 發(fā)電機(jī)交流耐壓試驗(yàn)裝置 CVT交流耐壓裝置產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

新型LTE23無線通信係統(tǒng)充分利用低頻段覆蓋距離遠(yuǎn)以及4GLTE先進(jìn)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，具有大容量、廣覆蓋、率、高**性等特點(diǎn)，在電力無線專網(wǎng)領(lǐng)域受到越來越多的關(guān)注。統(tǒng)LTE23電力無線通信係統(tǒng)可直接部署在23MHz電力4個(gè)授權(quán)頻點(diǎn)上，符合對(duì)低頻段的技術(shù)升級(jí)改造政策，當(dāng)前LTE23電力無線通信專網(wǎng)已經(jīng)在北京東城區(qū)、江蘇揚(yáng)州、浙江海鹽等多處開展了試點(diǎn)工作，為電力通信專網(wǎng)建設(shè)提供了良好的借鑒意義和示範(fàn)作用。

衝擊測(cè)試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

光標(biāo)測(cè)量由於是人為手動(dòng)測(cè)量，所以會(huì)引入一定的人為誤差。但是相對(duì)於噪聲大的信號(hào)來說，光標(biāo)測(cè)量可以人為的去忽略掉這部分噪聲，更能把握波形重點(diǎn)。自動(dòng)測(cè)量，當(dāng)示波器正確捕獲波形後，示波器可以對(duì)波形參數(shù)進(jìn)行自動(dòng)測(cè)量。自動(dòng)測(cè)量需要參考點(diǎn)，一般稱為Vtop（頂部值）和Vbase（底部值），參考點(diǎn)的測(cè)量采用幅度統(tǒng)計(jì)方法。示波器的工作過程是對(duì)捕獲波形進(jìn)行的幅度，先確定值Max和值Min，然後對(duì)電壓上的40%和電壓下的40%進(jìn)行，然後進(jìn)行累積概率統(tǒng)計(jì)，出現(xiàn)概率的值為Vtop和Vbase。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控製電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動(dòng)控製方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電並穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控製

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控製。

2 觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

無論是實(shí)驗(yàn)室環(huán)境還是生產(chǎn)車間，都需要采用更的半導(dǎo)體測(cè)試方法。半導(dǎo)體測(cè)試是NI的戰(zhàn)略重點(diǎn)。我們正在擴(kuò)展我們的軟件平臺(tái)和PXI功能，以幫助芯片製造商應(yīng)對(duì)他們麵臨的挑戰(zhàn)，這一點(diǎn)通過NI的PXISMU可以完全體現(xiàn)出來。”由於其高吞吐量、高性價(jià)比和占地麵積小，NI的半導(dǎo)體測(cè)試係統(tǒng)(STS)正在快速應(yīng)用到芯片生產(chǎn)中。全新的PXIe-4163SMU則進(jìn)一步增強(qiáng)了這些功能，它能提供更高的直流通道密度，使多站點(diǎn)應(yīng)用具有更高的並行性，以及在生產(chǎn)中提供實(shí)驗(yàn)室級(jí)彆的測(cè)量質(zhì)量。