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HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
帶通訊 衝擊電壓試驗(yàn)裝置 變頻串聯(lián)諧振 變頻調(diào)感發(fā)電機(jī)交流耐壓試驗(yàn)裝置產(chǎn)品簡介:
聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn),檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。
相較於手持式體溫檢測設(shè)備,它更方便,也更**。但劉建國解釋,國內(nèi)已有紅外無感測試產(chǎn)品目前存在兩大技術(shù)痛點(diǎn),其一是複雜環(huán)境適應(yīng)性較差,存在篩查測量不準(zhǔn)確問題,其二是在人員走動(dòng)戴口罩條件下,人臉識(shí)彆難度大。此次,研究團(tuán)隊(duì)利用在光電集成光電子工程方麵積累的經(jīng)驗(yàn),提出了自標(biāo)校算法,突破了室外複雜環(huán)境下溫度監(jiān)測不準(zhǔn)確的難題,使溫度篩查不再局限於溫度測量,大幅度提升了在人群中對發(fā)熱個(gè)體篩查的概率。
衝擊測試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗(yàn)。此種測試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波(full)或截?cái)啵╟hopped) 的閃電突波(L.I)
我們再以萬用表為例。如果表示位數(shù)為6,則其動(dòng)態(tài)範(fàn)圍應(yīng)為120dB(或6×20dB/十倍頻程)。但要注意的是,後兩位仍在擺動(dòng)。真實(shí)動(dòng)態(tài)範(fàn)圍隻有80dB。這就是說,如果設(shè)計(jì)人員要測量1μV(或0.000001V)的電壓,則該測量值的誤差可能高達(dá)100μV,因?yàn)閷?shí)際器件的精度僅為100μV(或0.0001V或0.0001XXV,其中,XX表示在擺動(dòng)的後兩位)。實(shí)際上,描述任何係統(tǒng)的整體精度的方法有兩種:直流和交流。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征
本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作,手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過程,真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。
充電控製功能
係統(tǒng)采用恒流充電。
根據(jù)試驗(yàn)要求,調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間,能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控製電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動(dòng)控製方式充電時(shí),根據(jù)設(shè)定值,自動(dòng)充電並穩(wěn)定在充電電壓值上,延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。
動(dòng)作控製
本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值,也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。
截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值,也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。
可控製本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。
手動(dòng)/自動(dòng)控製。
2 觸發(fā)控製
係統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)
對於紅外探測器的工作原理你了解多少呢?本文將為大家解析非製冷紅外焦平麵探測器技術(shù)原理及機(jī)芯介紹。非製冷紅外技術(shù)原理非製冷紅外探測器利用紅外輻射的熱效應(yīng),由紅外吸收材料將紅外輻射能轉(zhuǎn)換成熱能,引起敏感元件溫度上升。敏感元件的某個(gè)物理參數(shù)隨之發(fā)生變化,再通過所設(shè)計(jì)的某種轉(zhuǎn)換機(jī)製轉(zhuǎn)換為電信號(hào)或可見光信號(hào),以實(shí)現(xiàn)對物體的探測。非製冷紅外焦平麵探測器分類非製冷紅外焦平麵探測器是熱成像係統(tǒng)的核心部件。以下介紹了非製冷紅外焦平麵探測器的工作原理及微測輻射熱計(jì)、讀出電路、真空封裝三大技術(shù)模塊,了影響其性能的關(guān)鍵參數(shù)。