HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
生產(chǎn)廠家 衝擊電流發(fā)生器 直流高壓發(fā)生器 感應(yīng)耐壓測試儀產(chǎn)品簡介：

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

容量測量：如下圖測試電路，核心是用一個(gè)具有恒流輸出及電壓限製的功率電源作為充電電源。電容兩端的充電電壓波形可以通過一個(gè)數(shù)字示波器進(jìn)行記錄。通過示波器的光標(biāo)，可以很方便地讀出電壓從1.5V上升到2.5V所用的時(shí)間，基本的計(jì)算公式如下：i=C（V/t）公式變換為：C=i（t/V）。充電電流設(shè)定為1A，電壓變化範(fàn)圍V=2.5V-1.5V-1V那麼C=t，在這個(gè)示例中，超級電容的容量在數(shù)字上與電容從1.5V充電到2.5V的時(shí)間相等。

衝擊測試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗(yàn)。此種測試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

和一個(gè)產(chǎn)品的任何其他方麵一樣，產(chǎn)品說明書也可以得到不斷的改進(jìn)，廠商正努力地詳細(xì)闡明產(chǎn)品說明書1。然而，市場上已經(jīng)**了許多產(chǎn)品/產(chǎn)品說明書版本，對新版本或者更早的版本來說，不同標(biāo)準(zhǔn)的采用也取決於不同的因素。即使有一些特定的標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)公開發(fā)表，標(biāo)準(zhǔn)的統(tǒng)一仍然是遙遙無期。本文的目的就在於突出不同廠商或同一廠商在為不同的高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)撰寫產(chǎn)品說明書時(shí)所采用的標(biāo)準(zhǔn)之間的差異。表1是選擇正確器件時(shí)可以使用的速查表。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控製電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動(dòng)控製方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電並穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控製

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控製。

2 觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號可以立延時(shí)

後說到的頻譜儀通常用在射頻領(lǐng)域，來觀察和被測信號的頻域特性，而我們常用其配合近場來掃描電磁乾擾的功率峰值以及找到其對應(yīng)的頻點(diǎn)，初步判定輻射源屬性。眼看上去這三種儀器用途各不相同，但其實(shí)都可以用來測試晶體振蕩電路的頻率。如果使用示波器或者頻率計(jì)，配合無源電壓點(diǎn)測芯片的時(shí)鐘輸入引腳，就可以測量到頻率，如下是各部分的電路結(jié)構(gòu)：其中：CC2是晶體的負(fù)載電容，影響到頻率、負(fù)性阻抗等電路參數(shù)RC3是無源電壓的電路參數(shù)，R3是9Mohm，C3是幾個(gè)pF不等R是示波器或者頻率計(jì)輸入通道的等效阻抗和電容，R4是1Mohm，是幾十pF不等如果使用頻譜儀，配合近場靠近晶體封裝外殼就可以探測到輻射功率峰值的頻率，這個(gè)頻率也是晶體電路的振蕩頻率。