HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
5年保修 衝擊電壓發(fā)生裝置 乾式試驗(yàn)變壓器 感應(yīng)耐壓測(cè)試儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

如果電壓幅值變動(dòng)達(dá)0.5%、每秒變動(dòng)6.25次，將造成明顯的煩擾效果。電壓波動(dòng)通常會(huì)導(dǎo)致許多電器不能正常工作。通常白熾燈對(duì)電壓波動(dòng)的敏感度遠(yuǎn)大於日光燈、電視機(jī)等設(shè)備，並且白熾燈早起使用非常的廣泛。當(dāng)電壓的波動(dòng)不足以使白熾燈的亮度發(fā)生變化時(shí)，那麼也不會(huì)使日光燈、電視機(jī)等設(shè)備工作異常。通常選用白熾燈的工況來(lái)判斷電壓波動(dòng)值是否能被接受。閃變一詞是閃爍的廣義描述，它可理解為人對(duì)白熾燈明暗變化的感覺(jué)，包括電壓波動(dòng)對(duì)電工設(shè)備的影響和危害。

衝擊測(cè)試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開(kāi)關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

新一代無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)(PON)Tyndall光電子封裝小組研究經(jīng)理Dr.LeeCarroll表示：“過(guò)去的十年見(jiàn)證了矽光子從出現(xiàn)到成為新一代信息通信技術(shù)應(yīng)用媒介的發(fā)展過(guò)程。采用麵對(duì)麵疊加法（3D集成）在矽光子集成電路(Si-PIC)頂部安裝驅(qū)動(dòng)器電子集成電路是一種基於光電子平臺(tái)實(shí)現(xiàn)高速電子解調(diào)與分配的實(shí)用方案。Tyndall研究院目前正在研發(fā)用於高速家用光纖網(wǎng)絡(luò)連接的新一代無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)(PON)演示模塊。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控製電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控製方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電並穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控製

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控製。

2 觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

下表所示是電源模塊常用的一些關(guān)鍵元器件的降額參數(shù)要求：對(duì)於電源模塊的應(yīng)力設(shè)計(jì)，重點(diǎn)關(guān)注場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)、二極管、變壓器、功率電感、電解電容、限流電阻等。保證全電壓範(fàn)圍內(nèi)在穩(wěn)態(tài)、瞬態(tài)、短路等極限條件下都能有足夠的降額，以保障產(chǎn)品的可靠性。對(duì)於某Vds電壓為100V的MOS管，作為電源模塊的主功率開(kāi)關(guān)管，實(shí)測(cè)其在輸入電壓下的狀態(tài)(如～3所示)，Vds=67.2V，降額因子0.672，滿足Ⅰ級(jí)降額，餘量很充足。