HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
使用方法 雷電衝擊發(fā)生器 變頻串聯(lián)諧振 交直流高壓分壓器產(chǎn)品簡介：

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗，檢驗絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗中。

如果隻在豎直(Y軸)偏轉(zhuǎn)板上加一交變的正弦電壓Uy=U0sinωt，則電子束的亮點將隨電壓的變化在豎直方向來回運動。由於Ux=0，所以光點在X軸方向無位移，在熒光屏上將顯示一條豎直亮線。如果隻在水平(X軸)偏轉(zhuǎn)板上加上一個與時間成正比的鋸齒波掃描電壓Ux=KT(它可由示波器內(nèi)的掃描發(fā)生器產(chǎn)生的)，電子束將在水平方向作周期性地從一邊勻速移動到另一邊，如果鋸齒波的周期較長，在熒光屏上可以看到電子束的移動過程，如果鋸齒波的周期足夠短，熒光屏上將隻顯示一條水平亮線。

衝擊測試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗。此種測試係依據(jù)相關(guān)的標準規(guī)範執(zhí)行全波（full）或截斷（chopped） 的閃電突波（L.I）

外部廣播，新聞采集和衛(wèi)星上行報告需要針對通信問題的解決方案，因為目前的全數(shù)字環(huán)境，需要高完整性饋送和非常高的數(shù)據(jù)速率，如270Mbps，540Mbps和1.485GbpsSDI/HD-SDI/ASI高清音頻。Trimble-FSO成立於1999年，代表了無線通信領(lǐng)域的技術(shù)。Trimble-FSO技術(shù)提供高**性，可擴展性和的性價比，並已成功部署於SP，ISP，健康，教育，金融，零售和工業(yè)等行業(yè)的應(yīng)用。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作，手動或自動完成充放電過程，真正實現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時間、延時時間，能夠手動或者自動控製電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動控製方式充電時，根據(jù)設(shè)定值，自動充電並穩(wěn)定在充電電壓值上，延時3秒報警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動作控製

本體球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動/自動控製。

2 觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動、自動或報警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點火。觸發(fā)點火信號可以立延時

MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被製造成增強型或耗儘型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的隻有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。右圖是這兩種MOS管的符號。至於為什麼不使用耗儘型的MOS管，不建議刨根問底。對於這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小且容易製造。所以開關(guān)電源和馬達驅(qū)動的應(yīng)用中，一般都用NMOS。