HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
5年保修 衝擊電壓發(fā)生裝置 帶時(shí)間直流高壓發(fā)生器 交直流耐壓測(cè)試儀產(chǎn)品簡介：

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

在隔離交流變頻電源中，會(huì)產(chǎn)生大量流經(jīng)探針接地連接點(diǎn)的共模電流。在電源接地連接點(diǎn)和示波器接地連接點(diǎn)之間形成了壓降，從而表現(xiàn)為紋波。為防止這一問題的出現(xiàn)就需要特彆注意電源設(shè)計(jì)的共模濾波。另外，將示波器引線纏繞在鐵氧體磁心周圍也有助於化這種電流。這樣就形成了一個(gè)共模電感器，其在不影響差分電壓測(cè)量的同時(shí)，還減少了共模電流引起的測(cè)量誤差。集成到係統(tǒng)中以後，電源紋波性能甚至?xí)?。在交流變頻電源和係統(tǒng)其他組件之間幾乎總是會(huì)存在一些電感。

衝擊測(cè)試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

如果用戶需要的話，可以支持Linux版本。由以下幾部分組成：LDF-Editor用於檢查、創(chuàng)建和編輯LDF文件（LIN描述文件）SessionConfigurator用於檢查、創(chuàng)建和編輯SDF文件，前提是需要導(dǎo)入LDF和DBC文件；它可以定義所有需要仿真和控製的總線信息，比如，總線上的哪些節(jié)點(diǎn)是可用的，哪些節(jié)點(diǎn)應(yīng)該由Baby-LIN-RM-II仿真。也可以定義一些應(yīng)用邏輯，如循環(huán)運(yùn)行；邏輯判斷SimpleMenu用於連接Baby-LIN-II,加載SDF文件，修改設(shè)備目標(biāo)配置，控製總線，監(jiān)控LIN總線報(bào)文和信號(hào)。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控製電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動(dòng)控製方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電並穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控製

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控製。

2 觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

與使用連續(xù)波類似，通常在接近設(shè)備飽和點(diǎn)的功率電平下，將已知功率激勵(lì)信號(hào)發(fā)送到PA的輸入端。測(cè)量諧波輸出功率時(shí)，工程師通常會(huì)根據(jù)測(cè)量時(shí)間和所需的準(zhǔn)確度等不同限製條件而采用圖通方法。實(shí)際上，3GPPLTE和IEEE802.11ac等無線標(biāo)準(zhǔn)並冇有對(duì)諧波的要求進(jìn)行具體的規(guī)定，而是規(guī)定了在一定頻率範(fàn)圍內(nèi)雜散輻射要求。，3GPPLTE規(guī)定LTE發(fā)射器在超過1GHz的頻率下，在1MHz的帶寬內(nèi)不能發(fā)射超過-30dBm的功率。