HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
5年保修 衝擊電壓測試係統(tǒng) 串聯(lián)諧振試驗(yàn)設(shè)備 變電站電氣設(shè)備耐壓裝置產(chǎn)品簡介：

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

網(wǎng)絡(luò)(的電纜及元器件)能夠顯著減小進(jìn)入到周圍環(huán)境中而可能被攔截的電磁能輻射等級。不同乾擾場的選擇乾擾場主要有電磁乾擾及射頻乾擾兩種。電磁乾擾(EMI)主要是低頻乾擾，馬達(dá)、熒光燈以及電源線是通常的電磁乾擾源。射頻乾擾(RFI)是指無線頻率乾擾，主要是高頻乾擾。無線電、電視轉(zhuǎn)播、雷達(dá)及其他無線通訊是通常的射頻乾擾源。對於抵抗電磁乾擾，選擇編織為有效，因其具有較低的臨界電阻;對於射頻乾擾，箔層有效，因編織依賴於波長的變化，它所產(chǎn)生的縫隙使得高頻信號可自由進(jìn)出導(dǎo)體;而對於高低頻混合的乾擾場，則要采用具有寬帶覆蓋功能的箔層加編織網(wǎng)的組合方式。

衝擊測試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗(yàn)。此種測試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波（full）或截斷（chopped） 的閃電突波（L.I）

2438係列微波功率計接71710係列連續(xù)波功率和817081703係列峰值功率，測量小信號時，需要進(jìn)行額外的設(shè)置，才能保證功率測量準(zhǔn)確。71710係列連續(xù)波測量小功率信號在用2438係列微波功率計接71710係列連續(xù)波功率進(jìn)行小信號（小於-60dBm）測量時，此時的信號受環(huán)境溫度，被測儀器的乾擾等比較敏感，波動比較大，如果不進(jìn)行合理的操作和設(shè)置，會導(dǎo)致測量結(jié)果不準(zhǔn)確、不穩(wěn)定。在用71710係列進(jìn)行連續(xù)波小功率信號（小於-60dBm）測量時，必須進(jìn)行以下操作：1）儀器開機(jī)後預(yù)熱至少15分鐘，保證微波功率計主機(jī)和功率溫度穩(wěn)定；2）手動設(shè)定平均次數(shù)為1000，以保證信號測量穩(wěn)定；3）關(guān)閉步進(jìn)檢測功能，以保證信號儘快穩(wěn)定下來；4）將接到被測設(shè)備，關(guān)閉被測設(shè)備輸出，對進(jìn)行校零操作；5）校零後觀測屏幕中顯示功率，當(dāng)顯示噪聲在-75dBm以下時，打開被測設(shè)備功率輸出，等待約20秒鐘，讀取顯示功率值。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作，手動或自動完成充放電過程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時間、延時時間，能夠手動或者自動控製電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動控製方式充電時，根據(jù)設(shè)定值，自動充電並穩(wěn)定在充電電壓值上，延時3秒報警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動作控製

本體球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動/自動控製。

2 觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動、自動或報警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號可以立延時

泄漏電流是指在冇有故障施加電壓的情況下，電氣中帶相互絕緣的金屬零件之間，或帶電零件與接地零件之間，通過其周圍介質(zhì)或絕緣表麵所形成的電流稱為泄漏電流。按照美國UL標(biāo)準(zhǔn)，泄漏電流是包括電容耦合電流在內(nèi)的，能從家用電器可觸及部分傳導(dǎo)的電流。泄漏電流包括兩部分，一部分是通過絕緣電阻的傳導(dǎo)電流I1；另一部分是通過分布電容的位移電流I2，後者容抗為Xc=1/2πfc與電源頻率成反比，分布電容電流隨頻率升高而增加，所以泄漏電流隨電源頻率升高而增加。