HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
來電諮詢 衝擊電壓試驗(yàn)裝置 全自動(dòng)試驗(yàn)變壓器 三倍頻電源發(fā)生器產(chǎn)品簡介：

衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

電氣參數(shù)的受控變換，使得“率用電和高品質(zhì)用電相結(jié)合”的目標(biāo)正在一步步成為現(xiàn)實(shí)。當(dāng)前，電力電子技術(shù)作為節(jié)能、節(jié)材、自動(dòng)化、智能化、機(jī)電一體化的基礎(chǔ)，正朝著應(yīng)用技術(shù)高頻化、硬件結(jié)構(gòu)模塊化、產(chǎn)品性能綠色化的方向發(fā)展。在不遠(yuǎn)的將來，電力電子技術(shù)將使傳動(dòng)裝置、電源技術(shù)更加成熟、經(jīng)濟(jì)、實(shí)用。當(dāng)代應(yīng)用科學(xué)的許多新發(fā)展都與電力電子技術(shù)緊密聯(lián)在一起，特彆是和功率控製係統(tǒng)聯(lián)係在一起，如電氣傳動(dòng)、通訊電源、變頻調(diào)速、機(jī)車牽引、電力輸送、電動(dòng)汽車、儲(chǔ)能電池，以及日新月異的基於高速數(shù)據(jù)處理的個(gè)人電腦和通訊設(shè)備等，如果冇有電力電子功率控製做支持，這些新技術(shù)的進(jìn)步就難以實(shí)現(xiàn)。

衝擊測(cè)試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

對(duì)電信而言，對(duì)於語音互操作，由於LTE和CDMA電路域冇有互操作關(guān)係，語音方案初期可考慮SVLTE(單卡雙待機(jī))方式，終端支持語音和數(shù)據(jù)並發(fā)，未來考慮適時(shí)引入VoLTE方式承接語音業(yè)務(wù)。對(duì)於數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)，HRPD現(xiàn)網(wǎng)可升級(jí)至eHRPD，采用非優(yōu)化切換方式保證LTE與eHRPD數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)連續(xù)。麵對(duì)即將到來的LTE商用普及，為保證的用戶體驗(yàn)，運(yùn)營商的LTE測(cè)試一方麵需要加強(qiáng)模擬各類終端業(yè)務(wù)在不同場(chǎng)景下的邊緣切換，使實(shí)際網(wǎng)絡(luò)中的多模終端儘可能地駐留在LTE網(wǎng)絡(luò)。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控製電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動(dòng)控製方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電並穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控製

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控製。

2 觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

工程師在設(shè)計(jì)一款產(chǎn)品時(shí)用了一顆9A的MOS管，量產(chǎn)後發(fā)現(xiàn)壞品率偏高，經(jīng)重新計(jì)算後，換成了一顆5A的MOS管，問題解決。為什麼用電流裕量更小的器件，卻能提高可靠性呢？工程師在設(shè)計(jì)的過程中非常注意元器件性能上的裕量，卻很容易忽視熱耗散設(shè)計(jì)，案例我們放到後說，為了幫助理解，我們先引入一個(gè)概念：其中Tc為芯片的外殼溫度，PD為芯片在該環(huán)境中的耗散功率，Tj表示芯片的結(jié)點(diǎn)溫度，目前大多數(shù)芯片的結(jié)點(diǎn)溫度為150℃，Rjc表示芯片內(nèi)部至外殼的熱阻，Rcs表示外殼至散熱片的熱阻，Rsa表示散熱片到空氣的熱阻，一般功率器件用Rjc進(jìn)行計(jì)算即可。