HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
帶通訊 雷電衝擊發(fā)生器 變頻串聯(lián)諧振 超低頻耐壓測試儀產(chǎn)品簡介：

衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗，檢驗絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗中。

目前常用的方法是使用雙狄拉克模型。該模型假定概率密度函數(shù)兩側(cè)的尾部是服從高斯分布的，高斯分布很容易模擬，並且可以向下推算出較低的概率分布。總抖動是RJ和DJ概率密度函數(shù)的卷積。業(yè)界對於高斯分布能否地描繪隨機抖動直方圖的尾部還存在爭議。真正的隨機抖動是遵守高斯分布的，但實際的測量中多個低幅度的DJ會卷積到一個分布函數(shù)，這導(dǎo)致測量出的概率密度分布的中心接近高斯分布，而尾部卻夾雜了一些DJ。

衝擊測試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗。此種測試係依據(jù)相關(guān)的標準規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波（full）或截斷（chopped） 的閃電突波（L.I）

開關(guān)電源本身在工作時以及電子設(shè)備處於開關(guān)工作狀態(tài)時，都會在電源設(shè)備的輸入端出現(xiàn)終端噪聲，產(chǎn)生輻射及傳導(dǎo)乾擾，也會進入交流電網(wǎng)乾擾其它的電子設(shè)備，所以必須采取有效措施加以。在EMI噪聲的輻射乾擾方麵，電磁是的方式。而在EMI噪聲的傳導(dǎo)乾擾方麵，采用EMI濾波器是很有效的手段，當(dāng)然應(yīng)配合良好的接地措施。在上各個都實行了嚴格的電磁噪聲限製規(guī)則，如美國有FCC，德國有FTZ，VDE等標準。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作，手動或自動完成充放電過程，真正實現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時間、延時時間，能夠手動或者自動控製電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動控製方式充電時，根據(jù)設(shè)定值，自動充電並穩(wěn)定在充電電壓值上，延時3秒報警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動作控製

本體球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動/自動控製。

2 觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動、自動或報警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點火。觸發(fā)點火信號可以立延時

如果示波器冇有足夠大的存儲深度，則再高的采樣率也無法充分發(fā)揮價值。ZDS454Plus標配512Mpts存儲深度，哪怕麵對4GSa/s的采樣率，也能存儲長達128ms的波形?！罢嬲饬x”測量如果不能對所有存儲深度的每一個波形都進行測量，存儲深度的價值也就是“波形不失真”這一基本要求而已，卻無法更進一步地去自動挖掘出波形中存在的異常。隻有具備“真正意義”參數(shù)測量統(tǒng)計功能，512Mpts的海量數(shù)據(jù)的價值才能被挖掘，否則如果隻測其中的一個周期，海量的數(shù)據(jù)有何意義？不同於傳統(tǒng)示波器隻測一個周期，或通過抽樣減少數(shù)據(jù)量再測量的模式，ZDS454Plus通過FPGA全硬件並行處理，基於原始采樣率和512Mpts全存儲深度，對每一幀波形每一周期進行測量統(tǒng)計，可在幾百毫秒內(nèi)實現(xiàn)對512Mpts數(shù)據(jù)的“真正意義”參數(shù)測量，測試項目可達51種，並且支持24種參數(shù)同時顯示。