HNZDL係列可編程直流穩(wěn)壓電源 可編程直流穩(wěn)壓電源 大電流電鍍電源 脈衝老化電源 定製定做

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直流輸出 電壓：0- 6000V連續(xù)可調  

電流：0- 100000A連續(xù)可調   

源電壓效應 ≤0.2%有效值

負載效應 穩(wěn)壓精度：≤0.5%有效值（阻性負載）

恒流精度：≤0.5%有效值（阻性負載）半導體生產流程由晶圓製造，晶圓測試，芯片封裝和封裝後測試組成，晶圓製造和芯片封裝討論較多，而測試環(huán)節(jié)的相關知識經常被邊緣化，下麵集中介紹集成電路芯片測試的相關內容，主要集中在WAT，CP和FT三個環(huán)節(jié)。集成電路設計、製造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對Wafer劃片槽（ScribeLine）測試鍵（TestKey）的測試，通過電性參數來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成製程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測廠的依據，測試方法是用ProbeCard紮在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測試機臺上，由WATRecipe自動控製測試位置和內容，測完某條TestKey後，ProbeCard會自動移到下一條TestKey，直到整片Wafer測試完成。

電壓電流設定 多圈電位器、按鍵式、液晶觸摸屏（可選）

過壓保護 內置O.V.P保護，保護值為額定值+5%，保護後關閉輸出，重新開機解鎖

過流保護 過載、短路、定電流輸出靈敏度的選擇通常，在傳感器的線性範圍內，希望傳感器的靈敏度越高越好。因為隻有靈敏度高時，與被測量變化對應的輸出信號的值才比較大，有利於信號處理。但要注意的是，傳感器的靈敏度高，與被測量無關的外界噪聲也容易混入，也會被放大係統(tǒng)放大，影響測量精度。要求傳感器本身應具有較高的信噪比，儘員減少從外界引入的廠擾信號。傳感器的靈敏度是有方向性的。當被測量是單向量，而且對其方向性要求較高，則應選擇其它方向靈敏度小的傳感器；如果被測量是向量，則要求傳感器的交叉靈敏度越小越好。

功率直流電源主要由整流濾波電路，全橋變換電路，PWM控製電路，穩(wěn)壓、限壓電路，穩(wěn)流、限流保護電路，以及輔助電源電路等優(yōu)化組合而成。

三相電網（或單相）電壓經電源開關進入大功率直流電源後，進行整流濾波，得到的520VDC（單相為300VDC）的平滑直流電壓供給逆變電路。機內控製電源自三相輸入電壓取一路380CAC（或單相220VAC）經變壓器降壓穩(wěn)流後，再通過三端穩(wěn)壓器得到DC±12V電壓供給各部分控製電路使用。

逆變電路主要由大功率IG模塊（或場效應MOSFET模塊）組成全橋變換電路。當PWM輸出控製信號通過隔離驅動器分彆驅動功率模塊，兩組對角管分彆交替導通，在高頻變壓器初級產生高頻脈衝電壓，次級電壓由高頻變壓器變壓後整流向負載提供能量。

停機時把調節(jié)旋鈕調至較小位置並切斷電源開關，把啟動、停止開關撥至停止位置。

10.8、自動計時功能（500A以下自動機型才有）：自動計時功能是檢測輸入電流是否大於5A，大於5A則開始記時，時控開關‘時控關’，到預置時間報警，並把電流降到10%額定電流以內，工件拿出後，時控不工作，待下一工件放下開始自動工作。當使用電流小於5A時