HNZDL係列可編程直流穩(wěn)壓電源 直流大電流電源 直流脈衝電源 程控交流穩(wěn)壓穩(wěn)流電源 定製定做

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059
直流輸出 電壓：0- 6000V連續(xù)可調(diào)  

電流：0- 100000A連續(xù)可調(diào)   

源電壓效應(yīng) ≤0.2%有效值

負(fù)載效應(yīng) 穩(wěn)壓精度：≤0.5%有效值（阻性負(fù)載）

恒流精度：≤0.5%有效值（阻性負(fù)載）MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被製造成增強(qiáng)型或耗儘型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的隻有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。右圖是這兩種MOS管的符號(hào)。至於為什麼不使用耗儘型的MOS管，不建議刨根問(wèn)底。對(duì)於這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小且容易製造。所以開(kāi)關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，一般都用NMOS。

電壓電流設(shè)定 多圈電位器、按鍵式、液晶觸摸屏（可選）

過(guò)壓保護(hù) 內(nèi)置O.V.P保護(hù)，保護(hù)值為額定值+5%，保護(hù)後關(guān)閉輸出，重新開(kāi)機(jī)解鎖

過(guò)流保護(hù) 過(guò)載、短路、定電流輸出容量測(cè)量：如下圖測(cè)試電路，核心是用一個(gè)具有恒流輸出及電壓限製的功率電源作為充電電源。電容兩端的充電電壓波形可以通過(guò)一個(gè)數(shù)字示波器進(jìn)行記錄。通過(guò)示波器的光標(biāo)，可以很方便地讀出電壓從1.5V上升到2.5V所用的時(shí)間，基本的計(jì)算公式如下：i=C（V/t）公式變換為：C=i（t/V）。充電電流設(shè)定為1A，電壓變化範(fàn)圍V=2.5V-1.5V-1V那麼C=t，在這個(gè)示例中，超級(jí)電容的容量在數(shù)字上與電容從1.5V充電到2.5V的時(shí)間相等。

功率直流電源主要由整流濾波電路，全橋變換電路，PWM控製電路，穩(wěn)壓、限壓電路，穩(wěn)流、限流保護(hù)電路，以及輔助電源電路等優(yōu)化組合而成。

三相電網(wǎng)（或單相）電壓經(jīng)電源開(kāi)關(guān)進(jìn)入大功率直流電源後，進(jìn)行整流濾波，得到的520VDC（單相為300VDC）的平滑直流電壓供給逆變電路。機(jī)內(nèi)控製電源自三相輸入電壓取一路380CAC（或單相220VAC）經(jīng)變壓器降壓穩(wěn)流後，再通過(guò)三端穩(wěn)壓器得到DC±12V電壓供給各部分控製電路使用。

逆變電路主要由大功率IG模塊（或場(chǎng)效應(yīng)MOSFET模塊）組成全橋變換電路。當(dāng)PWM輸出控製信號(hào)通過(guò)隔離驅(qū)動(dòng)器分彆驅(qū)動(dòng)功率模塊，兩組對(duì)角管分彆交替導(dǎo)通，在高頻變壓器初級(jí)產(chǎn)生高頻脈衝電壓，次級(jí)電壓由高頻變壓器變壓後整流向負(fù)載提供能量。

停機(jī)時(shí)把調(diào)節(jié)旋鈕調(diào)至較小位置並切斷電源開(kāi)關(guān)，把啟動(dòng)、停止開(kāi)關(guān)撥至停止位置。

10.8、自動(dòng)計(jì)時(shí)功能（500A以下自動(dòng)機(jī)型才有）：自動(dòng)計(jì)時(shí)功能是檢測(cè)輸入電流是否大於5A，大於5A則開(kāi)始記時(shí)，時(shí)控開(kāi)關(guān)‘時(shí)控關(guān)’，到預(yù)置時(shí)間報(bào)警，並把電流降到10%額定電流以內(nèi)，工件拿出後，時(shí)控不工作，待下一工件放下開(kāi)始自動(dòng)工作。當(dāng)使用電流小於5A時(shí)