HNZDL係列可編程直流穩(wěn)壓電源 可編程直流開(kāi)關(guān)電源 脈衝電鍍電源 程控交流大電流恒流源 30年經(jīng)驗(yàn)

一、產(chǎn)品特點(diǎn) 

1、采用超大TFT真彩大液晶觸摸屏（800X480）人機(jī)界麵，用戶在觸摸屏上很方便的直接編程操作。

2、本機(jī)一次可執(zhí)行30組不同電壓、電流、延遲時(shí)間、運(yùn)行時(shí)間的設(shè)定，並可連續(xù)循環(huán)999999次。

3、輸出電壓可以從零伏起調(diào)；輸出電流可以從零預(yù)置;現(xiàn)代生活日新月異，人們一刻也離不開(kāi)電。在用電過(guò)程中就存在著用電**問(wèn)題，在電器設(shè)備中，電機(jī)、電纜、家用電器等。它們的正常運(yùn)行之一就是其絕緣材料的絕緣程度即絕緣電阻的數(shù)值。當(dāng)受熱和受潮時(shí)，絕緣材料便老化。其絕緣電阻便降低。從而造成電器設(shè)備漏電或短路事故的發(fā)生。為了避免事故發(fā)生，就要求經(jīng)常測(cè)量電器設(shè)備的絕緣電阻。判斷其絕緣程度是否滿足設(shè)備需要。普通電阻的測(cè)量通常有低電壓下測(cè)量和高電壓下測(cè)量?jī)煞N方式。

交流輸入 15KW以下（單相110V±10%、220V±10%、或者三相380V±15%）

15KW以上（三相380V±15%）

頻率：50HZ、60HZ、400HZ任選

直流輸出 電壓（穩(wěn)壓值CC）：0- 6000V連續(xù)可調(diào)  

電流（恒流值CV）：0- 100000A連續(xù)可調(diào)   

源電壓效應(yīng) ≤0.2%有效值

負(fù)載效應(yīng) 穩(wěn)壓精度：≤0.5%有效值（阻性負(fù)載）

恒流精度：≤0.5%有效值（阻性負(fù)載）與儀器儀表有關(guān)的生命周期服務(wù)有：安裝與調(diào)試、支持與維護(hù)服務(wù)、搬遷規(guī)劃與升級(jí)項(xiàng)目、儀器諮詢與流程，以及培訓(xùn)、校驗(yàn)、零件與維修服務(wù)。這些服務(wù)的一個(gè)重要方麵是協(xié)助客戶避免因信號(hào)完整性不足或儀器、執(zhí)行器的故障引起突發(fā)停機(jī)。突發(fā)停機(jī)會(huì)帶來(lái)嚴(yán)重後果會(huì)造成數(shù)千甚至數(shù)百萬(wàn)美元的生產(chǎn)損失和資源浪費(fèi)。ABB提供的緊急維修協(xié)助，旨在縮短突發(fā)停機(jī)的時(shí)間。在目前情況下，客戶要求儀器供應(yīng)商進(jìn)行拜訪或簽署合同，在預(yù)定的停工時(shí)間內(nèi)進(jìn)行定期維護(hù)，這種方法的檢修成本勢(shì)必很高。

輸出紋波 穩(wěn)壓狀態(tài)（CC）：≤0.3%+10mV（rms）（有效值）

穩(wěn)流狀態(tài)（CV）：≤0.5%+10mA（rms）（有效值）

輸出顯示 4位半數(shù)字表     精度 ：±1% +1個(gè)字

顯示格式  00.00V-19.99V；000.0V-199.9V；0000V-1999V；

電壓電流設(shè)定 多圈電位器、按鍵式、液晶觸摸屏（可選）

過(guò)壓保護(hù) 內(nèi)置O.V.P保護(hù)，保護(hù)值為額定值+5%，保護(hù)後關(guān)閉輸出，重新開(kāi)機(jī)解鎖

過(guò)流保護(hù) 過(guò)載、短路、定電流輸出半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓製造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝後測(cè)試組成，晶圓製造和芯片封裝討論較多，而測(cè)試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化，下麵集中介紹集成電路芯片測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、製造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測(cè)試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對(duì)Wafer劃片槽（ScribeLine）測(cè)試鍵（TestKey）的測(cè)試，通過(guò)電性參數(shù)來(lái)監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成製程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測(cè)廠的依據(jù)，測(cè)試方法是用ProbeCard紮在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)上，由WATRecipe自動(dòng)控製測(cè)試位置和內(nèi)容，測(cè)完某條TestKey後，ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey，直到整片Wafer測(cè)試完成。