HN2016智能sf6微水測(cè)試儀sf6純度儀 氣體抽真空充放裝置 sf6冷鏡式露點(diǎn)測(cè)試儀 30年經(jīng)驗(yàn)

露點(diǎn)	測(cè)量範(fàn)圍	－80 ℃～+20 ℃
	測(cè)量精度	±1℃（－80℃～＋20℃）
	測(cè)量時(shí)間 （＋20℃）	<3分鐘。
環(huán)境溫度	－40℃～＋60℃

檢波器輸出端的低通濾波器稱為濾波器，用在掃描時(shí)對(duì)響應(yīng)進(jìn)行平滑。頻譜儀原理框圖分辨帶寬在頻譜儀中，頻率分辨率是一個(gè)非常重要的概念，它是由中頻濾波器的帶寬所確定的，這個(gè)帶寬決定了儀器的分辨帶寬。，濾波器的帶寬是100KHZ。那麼譜線頻率就有100KHZ的不定性，也即在一個(gè)濾波器的帶寬頻率範(fàn)圍內(nèi)，出現(xiàn)了兩條譜線的話，則儀器不能檢出這兩條譜線，而隻顯示一條譜線，此時(shí)儀器所反映的譜線電平（功率）是這兩條譜線的電平功率的疊加。1、連接SF₆設(shè)備

將測(cè)量管道上螺紋端與開關(guān)接頭連接好，用扳手?jǐn)Q緊，關(guān)閉測(cè)量管道上另一端的針型閥；

再把測(cè)試管道上的快速接頭一端插入儀器上的采樣口；

將排氣管道連接到出氣口。

後將開關(guān)接頭與SF₆電氣設(shè)備測(cè)量接口連接好，用扳手?jǐn)Q緊；

2、檢查電量

本儀器優(yōu)先使用交流電。

使用直流電時(shí)，請(qǐng)查看右上角顯示的電池電量，如果電量低於約20％，請(qǐng)關(guān)機(jī)充電後繼續(xù)使用。

3、開始測(cè)量

打開儀測(cè)量管道上的針型閥，然後用麵板上的流量閥調(diào)節(jié)流量，把流量調(diào)節(jié)到0.5L/M左右，開始測(cè)量SF₆露點(diǎn)。

設(shè)備測(cè)量時(shí)間需要5～10分鐘，其後每臺(tái)設(shè)備需要3～5分鐘。

4、存儲(chǔ)數(shù)據(jù)

設(shè)備測(cè)量完成後，可以將數(shù)據(jù)保存在儀器中，按“確定”鍵調(diào)出操作菜單，具體操作方式見下節(jié)內(nèi)容。不過，此類應(yīng)用中存在一個(gè)經(jīng)常被忽視的問題，即外部信號(hào)導(dǎo)致的高頻乾擾，也就是通常所說的“電磁乾擾(EMI)”。EMI可以通過多種方式發(fā)生，主要受終應(yīng)用影響。，與直流電機(jī)接口的控製板中可能會(huì)用到儀表放大器，而電機(jī)的電流環(huán)路包含電源引線、電刷、換向器和線圈，通常就像天線一樣可以發(fā)射高頻信號(hào)，因而可能會(huì)乾擾儀表放大器輸入端的微小電壓。另一個(gè)例子是汽車電磁閥控製中的電流檢測(cè)。電磁閥由車輛電池通過長導(dǎo)線來供電，這些導(dǎo)線就像天線一樣。

5、測(cè)量其他設(shè)備

一臺(tái)設(shè)備測(cè)量後，關(guān)閉測(cè)量管道上的針型閥和微水儀上的調(diào)節(jié)閥。將轉(zhuǎn)接頭從SF₆電氣設(shè)備上取下。如果需要繼續(xù)測(cè)量其他設(shè)備，按照上麵步驟繼續(xù)測(cè)量下一臺(tái)設(shè)備。

6、測(cè)量結(jié)束

所有設(shè)備測(cè)量結(jié)束後，關(guān)閉儀器電源。

 

一、 菜單操作

在測(cè)量狀態(tài)，通過確定鍵可以進(jìn)入功能菜單，如圖1。

具有省電、性能穩(wěn)定、體積小、承載能力大，比一般電磁繼電器性能優(yōu)越的特點(diǎn)。根據(jù)繼電器的型號(hào)不同，可以是交流電壓，也可以是直流電壓。下麵我們主要介紹一款需要直流電壓供電的磁保持繼電器的測(cè)試方法。磁保持繼電器內(nèi)部圖1.IT64係列LIST功能IT64係列是四象限電源，具有l(wèi)ist功能，可按照程序所編的電壓電流值輸出。單通道輸出功率15W，電壓可達(dá)±6V，電流±1A，雙極性雙範(fàn)圍輸出。LIST功能實(shí)測(cè)案例以下是測(cè)試要求：磁保持繼電器的老化測(cè)試，就是重複讓產(chǎn)品斷開和閉合，進(jìn)行老化測(cè)試。脈衝波形：+4.5V,5msV,5ms-4.5V,5msV,5ms測(cè)試磁保持繼電器的吸合電壓和釋放電壓。一般采用步進(jìn)增大或者減小電壓值的方法去測(cè)試。電壓上升階梯波形：1V為初始值，.1V,1ms進(jìn)行升壓，直至產(chǎn)品動(dòng)作;再以-1V為初始值，-.1V,1ms進(jìn)行升壓，直至產(chǎn)品動(dòng)作。

1、保存數(shù)據(jù)

在測(cè)量狀態(tài)，通過按“確定”鍵可以進(jìn)入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇“保存記錄”菜單，按“確定”鍵，進(jìn)入保存數(shù)據(jù)頁麵，保存數(shù)據(jù)時(shí)，可以根據(jù)設(shè)備進(jìn)行編號(hào)。

設(shè)備編號(hào)多為六位，可以通過“上”、“下”鍵增加數(shù)值大小，“左”、“右”鍵調(diào)整數(shù)據(jù)位數(shù)。

輸入編號(hào)後，按“確定”鍵，完成保存數(shù)據(jù)。按“返回”鍵可以返回上一頁，此時(shí)不保存數(shù)據(jù)。

2、查看記錄

在測(cè)量狀態(tài)，通過按“確定”鍵可以進(jìn)入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇“查看記錄”菜單，按“確定”鍵，進(jìn)入查看記錄頁麵。

顯示時(shí)從後一個(gè)被保存的數(shù)據(jù)開始。

可以按“上”、“下”鍵翻看數(shù)據(jù)。研究發(fā)現(xiàn)：減小微波脈衝的寬度與提高微波脈衝的峰值功率都能改善成像分辨率、獲得更好的成像效果。同時(shí)，越窄的微波脈寬（幾十納秒脈寬），對(duì)身體潛在的熱損傷越小?；?465係列微波信號(hào)發(fā)生器（窄脈衝選件）為您提供具有高速上升下降沿時(shí)間（1ns以內(nèi)）、高精度脈寬到2ns和準(zhǔn)確穩(wěn)定的功率電平輸出窄脈衝調(diào)製信號(hào)，且窄脈衝調(diào)製信號(hào)具有多種調(diào)製格式如脈內(nèi)線性調(diào)頻、脈內(nèi)調(diào)相等特點(diǎn)，能夠?yàn)楸粶y(cè)設(shè)備的測(cè)試提供更豐富的激勵(lì)信號(hào)。

3、刪除記錄

在測(cè)量狀態(tài)，通過按“確定”鍵可以進(jìn)入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇“刪除記錄”菜單，按“確定”鍵，可刪除所有數(shù)據(jù)。

4、修改時(shí)間

在測(cè)量狀態(tài)，通過按“確定”鍵可以進(jìn)入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇修改時(shí)間，按“確定”鍵，進(jìn)入修改時(shí)間頁麵。

通過“上”、“下”鍵可以增加時(shí)間數(shù)值，“左”、“右”鍵可以減小時(shí)間數(shù)值。

輸入小時(shí)、分鐘、秒後，按“確定”鍵可以轉(zhuǎn)到下一個(gè)修改域內(nèi)。

 半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓製造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝後測(cè)試組成，晶圓製造和芯片封裝討論較多，而測(cè)試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化，下麵集中介紹集成電路芯片測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、製造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測(cè)試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對(duì)Wafer劃片槽（ScribeLine）測(cè)試鍵（TestKey）的測(cè)試，通過電性參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成製程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測(cè)廠的依據(jù)，測(cè)試方法是用ProbeCard紮在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)上，由WATRecipe自動(dòng)控製測(cè)試位置和內(nèi)容，測(cè)完某條TestKey後，ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey，直到整片Wafer測(cè)試完成。