HNDL20KA型直流開關(guān)試驗裝置 地鐵直流開關(guān)試驗裝置HNDL 直流大電流恒流源 容量大 5年保修
利用計算機(jī)控製技術(shù)和現(xiàn)代電力電子技術(shù)研究設(shè)計的一種大電流低電壓直生裝置，主要用於直流開關(guān)的檢測試驗，如直流開關(guān)大電流脫扣定值的校驗、分流器及隔離放大器特性測試、開關(guān)動作時間測試等，並自動記錄測試的有關(guān)數(shù)據(jù)。上升和下降時間決定脈衝行為，因此也決定著雕刻速度?；旌蠚怏w中的氮會降低脈衝頻率至1kHz左右。這對於過去的很多應(yīng)用已經(jīng)足夠，但對於未來的需求來說是不夠的。典型的激光功率和時間關(guān)係圖顯示出±5~1%的偏差值。這不適合控製3D雕刻材料。被測試的激光器的激光指向穩(wěn)定性出奇的好，這對於聲光調(diào)製器的使用（對入射角非常敏感）將起著直接的影響。在接近聲光調(diào)製器的功率極限時，鍺晶體對的激光場模式非常敏感。

應(yīng)用：

    HNDL20KA型直流開關(guān)試驗裝置是專門設(shè)計用於對地鐵及輕軌用DC1500V、DC750V直流開關(guān)及其隔離放大器、保護(hù)裝置進(jìn)行功能試驗的設(shè)備，通過模擬輸出故障電流或過負(fù)荷電流，測試直流開關(guān)的大電流脫扣特性或過熱跳閘特性及延時特性，測試隔離放大器特性和保護(hù)裝置特性。不過當(dāng)我們在開始敲敲打打動手之前，如果能夠簡單預(yù)覽一下室內(nèi)的格局和布置，那是不是就顯得更穩(wěn)妥了呢？現(xiàn)在一款智能測量儀就可以通過增強現(xiàn)實的方式幫助我們實現(xiàn)這個目的。智能測量儀可以讓我們將現(xiàn)實世界中拍攝的照片、物體之間測量的距離以及尺寸直接變成可視化的設(shè)計圖，並且能夠在智能App中進(jìn)行編輯和預(yù)覽。然後App可以將我們所有的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為數(shù)據(jù)點，我們可以根據(jù)整體的輪廓進(jìn)行重新規(guī)劃和布置，防止出現(xiàn)計算錯誤、規(guī)劃和計算失誤的問題。

特點：

智能化及圖形顯示：HNDL20KA型直流開關(guān)試驗裝置由嵌入式微機(jī)係統(tǒng)控製，輸出電流的波形、幅值可通過人機(jī)界麵準(zhǔn)確控製。輸出電流在顯示器上以圖形方式顯示，可方便計算、顯示直流開關(guān)的動作時間，並能存儲、打印測量結(jié)果。

多種輸出波形選擇：理論上輸出波形可有任意多種。本試驗裝置標(biāo)準(zhǔn)波形配置為常用的指數(shù)曲線，該曲線的幅值、時間常數(shù)可設(shè)定。

輸出準(zhǔn)確：按預(yù)先設(shè)定的波形參數(shù)輸出，綜合誤差隻有2%。對於速度的渴求始終在增長，傳輸速率每隔幾年就會加倍。這一趨勢在諸如計算、SAS和SATA存儲方麵的PCIe以及雲(yún)計算中的千兆以太網(wǎng)等很多現(xiàn)代通信係統(tǒng)中很普遍。信息對通過傳輸介質(zhì)傳送數(shù)據(jù)提出了巨大挑戰(zhàn)。目前的傳輸介質(zhì)仍然依賴於銅線，數(shù)據(jù)鏈路中的信號速率可以達(dá)到大於25Gbps，並且端口吞吐量可以大於100Gbps。這些串行數(shù)據(jù)傳輸設(shè)計使用差分信號的方式，通過被稱為差分對的一對銅線來傳送數(shù)據(jù)。A線路和B線路內(nèi)的信號是等振幅、反相位高速脈衝。

測量及計時精度高：輸出電流、開關(guān)接點動作狀態(tài)通過測量回路測量並以圖形方式在顯示器上顯示，準(zhǔn)確計算有關(guān)參數(shù)，電流測量精度為2%，時間測量精度為1mS

保護(hù)電路完善：HNDL20KA型直流開關(guān)試驗裝置有完善的保護(hù)電路,如過流速斷保護(hù)、過流超時保護(hù)等。

接線方便：HNDL20KA型直流開關(guān)試驗裝置通過隨裝置提供的電纜與被試開關(guān)主觸頭端子相連，注意不得隨意采用其它電纜。

模塊化設(shè)計：HNDL20KA型直流開關(guān)試驗裝置采用模塊化設(shè)計，特彆是2號櫃的降壓整流輸出單元，每一個模塊的輸出電流為5000A，方便維護(hù)和使用。根據(jù)用戶需要，可定製10000A、15000A、20000A、30000A、40000A等規(guī)格的直流開關(guān)試驗裝置（HNDL10KA 、HNDL20KA 30KA、 HNDL40KA）另外，晶體管也可能產(chǎn)生相似的爆裂噪聲和閃爍噪聲，其產(chǎn)生機(jī)理與電阻中微粒的不連續(xù)性相近，也與晶體管的摻雜程度有關(guān)。半導(dǎo)體器件產(chǎn)生的散粒噪聲由於半導(dǎo)體PN結(jié)兩端勢壘區(qū)電壓的變化引起累積在此區(qū)域的電荷數(shù)量改變，從而顯現(xiàn)出電容效應(yīng)。當(dāng)外加正向電壓升高時，N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴向耗儘區(qū)運動，相當(dāng)於對電容充電。當(dāng)正向電壓減小時，它又使電子和空穴遠(yuǎn)離耗儘區(qū)，相當(dāng)於電容放電。當(dāng)外加反向電壓時，耗儘區(qū)的變化相反。當(dāng)電流流經(jīng)勢壘區(qū)時，這種變化會引起流過勢壘區(qū)的電生微小波動，從而產(chǎn)生電流噪聲。