HNDL800 JP櫃 配電箱溫升試驗(yàn)係統(tǒng) JP櫃多回路溫升試驗(yàn)係統(tǒng)HNDL 直流試驗(yàn)電源 容量大 5年保修 

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059用於箱變,配電箱額定電流溫升試驗(yàn)。溫升試驗(yàn)裝置技術(shù)性能需滿足根據(jù)GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)開(kāi)關(guān)櫃進(jìn)行試驗(yàn)的要求。大數(shù)據(jù)、挖掘和應(yīng)用仍需進(jìn)一步研究利用和推廣。，互操作技術(shù)方案複雜。網(wǎng)絡(luò)部署完成以後，23G和4G網(wǎng)絡(luò)將長(zhǎng)期並存，考慮到4G網(wǎng)絡(luò)的覆蓋逐步完善，因此網(wǎng)絡(luò)部署必須考慮網(wǎng)絡(luò)間的互操作。蜂窩係統(tǒng)既要支持4G係統(tǒng)內(nèi)互操作(LTEFDD和TD-LTE混合組網(wǎng))，同時(shí)也要支持4G與2G/3G的互操作。由於3G和2G係統(tǒng)的性，4G與2G/3G係統(tǒng)互操作麵臨著較多的技術(shù)難題，如移動(dòng)推動(dòng)的語(yǔ)音解決方案CSFB至GSM與國(guó)外主流運(yùn)營(yíng)商語(yǔ)音解決方案存在較大區(qū)彆，電信TD-LTE與CDMA係統(tǒng)之間的互操作更是冇有先例，VoLTE與2G/3G的切換流程比較複雜，同時(shí)FDD和TD-LTE混合組網(wǎng)技術(shù)上也需要進(jìn)一步完善。

1.2 技術(shù)參數(shù)要求

恒流輸出電流：AC範(fàn)圍 0到額定電流，連續(xù)可調(diào)， 且該輸出電流為真有效值（指負(fù)載被試開(kāi)關(guān)櫃及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)附件， 可輸出的電流有效值， 電流穩(wěn)定輸出時(shí)間應(yīng)滿足工作時(shí)間要求）

輸出波形：標(biāo)準(zhǔn)正弦波

輸出頻率： 50Hz （+5%， -2%）

輸出電壓：0-6V，且連續(xù)可調(diào)

工作時(shí)間：大電流輸出不少於24小時(shí)

輸出相數(shù)：三相  多路

瑞利散射是光纖材料本身固有的性質(zhì)，由於光纖內(nèi)部含有的雜質(zhì)、纖核添加物等產(chǎn)生漫反射，其中部分向後散射形成瑞利背向散射，光纖整個(gè)長(zhǎng)度上都呈現(xiàn)這種現(xiàn)象。而菲涅爾反射它隻是發(fā)生在光纖接觸到空氣時(shí)或發(fā)生在諸如機(jī)械的連接接縫處。光纖損耗的測(cè)量所依據(jù)的主要是瑞利散射原理;光纖斷點(diǎn)的測(cè)量所依據(jù)的主要原理是菲涅爾反射。瑞利散射損耗可用下式進(jìn)行近似計(jì)算：式中，λ以u(píng)m為單位，B是與石英和摻雜材料有關(guān)的常數(shù)。

1.3 恒流源配置列表：（按照客戶具體需求配置）

JP櫃多回路溫升試驗(yàn)係統(tǒng)HNDL 直流試驗(yàn)電源 容量大 5年保修接觸式的測(cè)試方法中測(cè)溫元件直接與被測(cè)介質(zhì)接觸，直接測(cè)得被測(cè)物體的溫度，因而簡(jiǎn)單、可靠、測(cè)量精度高。經(jīng)常用到的如所示：.功能單一的測(cè)溫儀產(chǎn)品的溫升試驗(yàn)也是安規(guī)要求的一個(gè)重要部分，那麼我們?cè)谠O(shè)計(jì)一款產(chǎn)品時(shí)，如何實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)而且便捷的測(cè)量呢?開(kāi)關(guān)電源中MOSFET和二極管會(huì)產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗以及傳導(dǎo)損耗、電感損耗包括線圈損耗和磁芯損耗、電容等造成的損耗，這些損耗終都以熱的形式展現(xiàn)出來(lái)，而過(guò)熱又會(huì)降低元器件性能導(dǎo)致?lián)p耗加劇，所以了解無(wú)用功率損失在哪裡很重要。