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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:JP櫃溫升試驗設(shè)備HNDL 溫升試驗設(shè)備 容量大 定製定做

  • 產(chǎn)品型號:HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡單介紹:
適用於JP櫃,配電箱溫升試驗,電力係統(tǒng)技術(shù)人員檢驗電流互感器保護裝置及二次回路電流試驗。也可用於開關(guān),電纜、直流電流傳感器和其它電器設(shè)備作電流負載試驗及溫升試驗。JP櫃溫升試驗設(shè)備HNDL 溫升試驗設(shè)備 容量大 定製定做
詳情介紹:

HNDL800 JP櫃 配電箱溫升試驗係統(tǒng) JP櫃溫升試驗設(shè)備HNDL 溫升試驗設(shè)備 容量大 定製定做 

JP櫃溫升試驗設(shè)備HNDL 溫升試驗設(shè)備 容量大 定製定做
聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059用於箱變
,
配電箱額定電流溫升試驗。溫升試驗裝置技術(shù)性能需滿足根據(jù)GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗標(biāo)準(zhǔn)對開關(guān)櫃進行試驗的要求。從液晶儀表盤PCB圖不難看出與傳統(tǒng)儀表相比,全液晶儀表多了與顯示相關(guān)的部件,比如:顯示屏、GPU處理器、屏正負壓、屏背光等。改用液晶屏幕後不僅增加了產(chǎn)品軟硬件設(shè)計的難度,產(chǎn)品的EMC設(shè)計也成為產(chǎn)品設(shè)計的難點。由上圖R/G/B液晶屏的架構(gòu)可知,其主要包括時鐘電路、數(shù)據(jù)電路、供電電路。在高速數(shù)字係統(tǒng)中,固定頻率的時鐘是主要的電磁乾擾源之一。隨著數(shù)據(jù)傳輸速率的提升,時鐘頻率越來越高,信號的邊沿率(即上升時間和下降時間)也隨之提高。

JP櫃溫升試驗設(shè)備HNDL 溫升試驗設(shè)備 容量大 定製定做1.2 技術(shù)參數(shù)要求

恒流輸出電流:AC範(fàn)圍 0到額定電流,連續(xù)可調(diào), 且該輸出電流為真有效值(指負載被試開關(guān)櫃及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗附件, 可輸出的電流有效值, 電流穩(wěn)定輸出時間應(yīng)滿足工作時間要求)

輸出波形:標(biāo)準(zhǔn)正弦波

輸出頻率: 50Hz (+5%, -2%)

輸出電壓:0-6V,且連續(xù)可調(diào)

工作時間:大電流輸出不少於24小時

輸出相數(shù):三相  多路

其無線發(fā)射頻段工作在ISM頻段,常用的有315MHz和433.92MHz。發(fā)射信號的調(diào)製采用頻移鍵控(2FSK)或幅移鍵控(ASK)。對於胎壓監(jiān)測係統(tǒng)(TPMS)通常會進行傳感器及無線通信信號質(zhì)量測試。無線通信信號測試分為監(jiān)測模塊的發(fā)射測試,包含發(fā)射功率,發(fā)射頻率及頻偏(對於2FSK)測試;及中控臺的接收端的接收靈敏度測試。對於發(fā)射測試,可以通過DSA700/800係列頻譜儀直接進行發(fā)射功率及發(fā)射頻率測試。JP櫃溫升試驗設(shè)備HNDL 溫升試驗設(shè)備 容量大 定製定做


1.3 恒流源配置列表:(按照客戶具體需求配置)

序號

名稱

數(shù)量

1

3回路三相0-100A電流調(diào)節(jié)器

1

2

3回路三相0-400A電流調(diào)節(jié)器

1

3

3回路三相0-630A電流調(diào)節(jié)器

1

4

3回路三相0-800A電流調(diào)節(jié)器

1

JP櫃溫升試驗設(shè)備HNDL 溫升試驗設(shè)備 容量大 定製定做其中半導(dǎo)體器件(包括:半導(dǎo)體分立器件、集成電路等)大多數(shù)是輻射敏感器件,輻射環(huán)境對這些器件的性能會產(chǎn)生不同程度的影響,甚至使其失效。針對輻射效應(yīng),在器件的材料、電路設(shè)計、結(jié)構(gòu)設(shè)計、工藝製造及封裝等各個環(huán)節(jié)采取加固措施,使其具有一定的抗輻射性能。選擇抗輻射加固的器件應(yīng)用在空間輻射環(huán)境中,將能提高航天器的可靠性和使用壽命;應(yīng)用在戰(zhàn)略中,將能提高其效能和突防能力??臻g輻射環(huán)境對電子器件主要產(chǎn)生電離輻射總劑量(TID)效應(yīng)和單粒子效應(yīng)(SEE);核輻射環(huán)境尤其是核環(huán)境,主要產(chǎn)生瞬時電離輻射總劑量效應(yīng)、中子輻射效應(yīng)和電磁脈衝損傷效應(yīng)。JP櫃溫升試驗設(shè)備HNDL 溫升試驗設(shè)備 容量大 定製定做


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