HNDL800 JP櫃 配電箱溫升試驗(yàn)係統(tǒng) 三回路配電箱溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 三相大電流試驗(yàn)裝置 容量大 定製定做 

聯(lián)係人車(chē)高平13608980122/15689901059用於箱變,配電箱額定電流溫升試驗(yàn)。溫升試驗(yàn)裝置技術(shù)性能需滿(mǎn)足根據(jù)GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)開(kāi)關(guān)櫃進(jìn)行試驗(yàn)的要求。電感位移傳感器被廣泛應(yīng)用於微小位移量檢測(cè)中，但在一些工程中現(xiàn)有傳感器的測(cè)量精度和靈敏度達(dá)不到測(cè)量要求。針對(duì)這一問(wèn)題，對(duì)傳感器前段信號(hào)處理電路進(jìn)行改進(jìn)，在傳感器上下線圈並聯(lián)電容形成LC電路，利用LC電路諧振效應(yīng)改善電路的性能，以提高信號(hào)源頭的靈敏度;采用Multisim軟件對(duì)半橋和全橋電路在並聯(lián)不同大小的電容後的性能進(jìn)行仿真，並用Matlab對(duì)生成的曲線進(jìn)行二乘擬合，比較得出使電路性能的電容值和並聯(lián)方法。

1.2 技術(shù)參數(shù)要求

恒流輸出電流：AC範(fàn)圍 0到額定電流，連續(xù)可調(diào)， 且該輸出電流為真有效值（指負(fù)載被試開(kāi)關(guān)櫃及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)附件， 可輸出的電流有效值， 電流穩(wěn)定輸出時(shí)間應(yīng)滿(mǎn)足工作時(shí)間要求）

輸出波形：標(biāo)準(zhǔn)正弦波

輸出頻率： 50Hz （+5%， -2%）

輸出電壓：0-6V，且連續(xù)可調(diào)

工作時(shí)間：大電流輸出不少於24小時(shí)

輸出相數(shù)：三相  多路

如果一段信號(hào)每隔8小時(shí)就出現(xiàn)若乾次故障，但故障的位置和次數(shù)全都隨機(jī)。你覺(jué)得，這種信號(hào)要怎麼抓？針對(duì)空閒時(shí)間較長(zhǎng)的脈衝信號(hào)、高頻的串行總線信號(hào)、小概率的猝發(fā)或毛刺信號(hào)，如何做到既可以長(zhǎng)時(shí)間監(jiān)控，又可高采樣率捕獲呢？本文結(jié)合測(cè)試時(shí)長(zhǎng)8小時(shí)振動(dòng)試驗(yàn)，捕獲小概率失效區(qū)信號(hào)的案例，對(duì)示波器分段存儲(chǔ)的應(yīng)用進(jìn)行探討。8小時(shí)振蕩檢測(cè)試驗(yàn)以振動(dòng)試驗(yàn)的連接器測(cè)試為例，整個(gè)過(guò)程中，監(jiān)測(cè)連接器可能出現(xiàn)次失效區(qū)的次數(shù)，進(jìn)而檢測(cè)產(chǎn)品是否合格。

1.3 恒流源配置列表：（按照客戶(hù)具體需求配置）

三回路配電箱溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 三相大電流試驗(yàn)裝置 容量大 定製定做LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會(huì)導(dǎo)致燒壞，關(guān)於這個(gè)問(wèn)題，也見(jiàn)到過(guò)有人在行業(yè)論壇發(fā)過(guò)貼討論過(guò)。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方麵討論LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管技術(shù)。芯片發(fā)熱本次內(nèi)容主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)製器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上麵，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的電流來(lái)自於驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗，簡(jiǎn)單的計(jì)算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實(shí)際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變，那麼請(qǐng)想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。