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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:配電箱大電流電源HNDL 大電流試驗(yàn)裝置 容量大 30年經(jīng)驗(yàn)

  • 產(chǎn)品型號(hào):HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
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簡(jiǎn)單介紹:
適用於JP櫃,配電箱溫升試驗(yàn),電力係統(tǒng)技術(shù)人員檢驗(yàn)電流互感器保護(hù)裝置及二次回路電流試驗(yàn)。也可用於開(kāi)關(guān),電纜、直流電流傳感器和其它電器設(shè)備作電流負(fù)載試驗(yàn)及溫升試驗(yàn)。配電箱大電流電源HNDL 大電流試驗(yàn)裝置 容量大 30年經(jīng)驗(yàn)
詳情介紹:

HNDL800 JP櫃 配電箱溫升試驗(yàn)係統(tǒng) 配電箱大電流電源HNDL 大電流試驗(yàn)裝置 容量大 30年經(jīng)驗(yàn) 

配電箱大電流電源HNDL 大電流試驗(yàn)裝置 容量大 30年經(jīng)驗(yàn)
聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059用於箱變
,
配電箱額定電流溫升試驗(yàn)。溫升試驗(yàn)裝置技術(shù)性能需滿足根據(jù)GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)開(kāi)關(guān)櫃進(jìn)行試驗(yàn)的要求。CME-C1是京微雅格新近推出的高性能大容量“雲(yún)”係列顆產(chǎn)品,邏輯容量折合2萬(wàn)門級(jí)。CME-C1采用TSMnm先進(jìn)工藝,采用全新的6輸入查找表架構(gòu),創(chuàng)36x18的DSP單元,內(nèi)嵌大容量每塊18K位ram,高速串行接口可達(dá)6.5Gbps,通用差分I/O可達(dá)1.3Gbps,同時(shí)還內(nèi)置硬核PCIe支持5G速率GenDDR3/2控製器以及PHY讀寫速率可達(dá)1333Mbps,各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)國(guó)內(nèi)水平。

配電箱大電流電源HNDL 大電流試驗(yàn)裝置 容量大 30年經(jīng)驗(yàn)1.2 技術(shù)參數(shù)要求

恒流輸出電流:AC範(fàn)圍 0到額定電流,連續(xù)可調(diào), 且該輸出電流為真有效值(指負(fù)載被試開(kāi)關(guān)櫃及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)附件, 可輸出的電流有效值, 電流穩(wěn)定輸出時(shí)間應(yīng)滿足工作時(shí)間要求)

輸出波形:標(biāo)準(zhǔn)正弦波

輸出頻率: 50Hz (+5%, -2%)

輸出電壓:0-6V,且連續(xù)可調(diào)

工作時(shí)間:大電流輸出不少於24小時(shí)

輸出相數(shù):三相  多路

當(dāng)今的製冷設(shè)備使用可轉(zhuǎn)化成氣體的冷卻劑。儘管這種類型的冷卻劑是有效製冷過(guò)程的基礎(chǔ),但可能會(huì)對(duì)環(huán)境造成危害。那麼,如果我們可以使用固體材料而不是液體材料作為經(jīng)濟(jì)、環(huán)保的方式來(lái)對(duì)食品、飲料、甚至電子設(shè)備進(jìn)行製冷呢?這正是盧森堡科學(xué)技術(shù)研究所(LIST)正在研究的課題。該研究所的研究人員利用FLIR紅外熱像儀深入研究這一課題。LIST的研究人員測(cè)量電熱效應(yīng),並希望更好地了解其製冷應(yīng)用的可用性。盧森堡科學(xué)技術(shù)研究所(LIST)是一家研究和技術(shù)機(jī)構(gòu),位於Esch-Belval鎮(zhèn)的盧森堡新研究與園區(qū)的中心位置。配電箱大電流電源HNDL 大電流試驗(yàn)裝置 容量大 30年經(jīng)驗(yàn)


1.3 恒流源配置列表:(按照客戶具體需求配置)

序號(hào)

名稱

數(shù)量

1

3回路三相0-100A電流調(diào)節(jié)器

1

2

3回路三相0-400A電流調(diào)節(jié)器

1

3

3回路三相0-630A電流調(diào)節(jié)器

1

4

3回路三相0-800A電流調(diào)節(jié)器

1

配電箱大電流電源HNDL 大電流試驗(yàn)裝置 容量大 30年經(jīng)驗(yàn)網(wǎng)絡(luò)(的電纜及元器件)能夠顯著減小進(jìn)入到周圍環(huán)境中而可能被攔截的電磁能輻射等級(jí)。不同乾擾場(chǎng)的選擇乾擾場(chǎng)主要有電磁乾擾及射頻乾擾兩種。電磁乾擾(EMI)主要是低頻乾擾,馬達(dá)、熒光燈以及電源線是通常的電磁乾擾源。射頻乾擾(RFI)是指無(wú)線頻率乾擾,主要是高頻乾擾。無(wú)線電、電視轉(zhuǎn)播、雷達(dá)及其他無(wú)線通訊是通常的射頻乾擾源。對(duì)於抵抗電磁乾擾,選擇編織為有效,因其具有較低的臨界電阻;對(duì)於射頻乾擾,箔層有效,因編織依賴於波長(zhǎng)的變化,它所產(chǎn)生的縫隙使得高頻信號(hào)可自由進(jìn)出導(dǎo)體;而對(duì)於高低頻混合的乾擾場(chǎng),則要采用具有寬帶覆蓋功能的箔層加編織網(wǎng)的組合方式。配電箱大電流電源HNDL 大電流試驗(yàn)裝置 容量大 30年經(jīng)驗(yàn)


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