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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:配電箱多回路溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 直流溫升試驗(yàn)裝置 容量大 5年保修

  • 產(chǎn)品型號(hào):HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
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簡(jiǎn)單介紹:
適用於JP櫃,配電箱溫升試驗(yàn),電力係統(tǒng)技術(shù)人員檢驗(yàn)電流互感器保護(hù)裝置及二次回路電流試驗(yàn)。也可用於開(kāi)關(guān),電纜、直流電流傳感器和其它電器設(shè)備作電流負(fù)載試驗(yàn)及溫升試驗(yàn)。配電箱多回路溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 直流溫升試驗(yàn)裝置 容量大 5年保修
詳情介紹:

HNDL800 JP櫃 配電箱溫升試驗(yàn)係統(tǒng) 配電箱多回路溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 直流溫升試驗(yàn)裝置 容量大 5年保修 

配電箱多回路溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 直流溫升試驗(yàn)裝置 容量大 5年保修
聯(lián)係人車(chē)高平13608980122/15689901059用於箱變
,
配電箱額定電流溫升試驗(yàn)。溫升試驗(yàn)裝置技術(shù)性能需滿足根據(jù)GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)開(kāi)關(guān)櫃進(jìn)行試驗(yàn)的要求。RFID基本組成部分:標(biāo)簽:由耦合元件及芯片組成,每個(gè)標(biāo)簽具有特的電子編碼、附著在物體上標(biāo)識(shí)目標(biāo)對(duì)象。讀寫(xiě)器:由耦合元件,芯片組成,讀?。ㄓ袝r(shí)還可以寫(xiě)入)標(biāo)簽信息的設(shè)備天線:在標(biāo)簽和讀寫(xiě)器之間傳遞射頻信號(hào)RFID的工作頻率分為低頻、高頻和超高頻,常用頻段在125KHz、13.56MHz、900MHz、2.4GHz,主要應(yīng)用場(chǎng)景包括了學(xué)校、企事業(yè)單位、銀行、、鐵路軌道交通等,根據(jù)應(yīng)用的不同,標(biāo)簽類(lèi)型可分為有源和無(wú)源,其器設(shè)計(jì)也有所不同。

配電箱多回路溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 直流溫升試驗(yàn)裝置 容量大 5年保修1.2 技術(shù)參數(shù)要求

恒流輸出電流:AC範(fàn)圍 0到額定電流,連續(xù)可調(diào), 且該輸出電流為真有效值(指負(fù)載被試開(kāi)關(guān)櫃及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)附件, 可輸出的電流有效值, 電流穩(wěn)定輸出時(shí)間應(yīng)滿足工作時(shí)間要求)

輸出波形:標(biāo)準(zhǔn)正弦波

輸出頻率: 50Hz (+5%, -2%)

輸出電壓:0-6V,且連續(xù)可調(diào)

工作時(shí)間:大電流輸出不少於24小時(shí)

輸出相數(shù):三相  多路

因?yàn)槭褂昧艘缘碗娮?、高速開(kāi)關(guān)為特點(diǎn)的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器,其應(yīng)用係統(tǒng)的普及正在不斷加速。構(gòu)成這些係統(tǒng)的變頻器轉(zhuǎn)換器馬達(dá)等裝置的開(kāi)發(fā)與測(cè)試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測(cè)量損耗和效率的測(cè)量係統(tǒng)。各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時(shí)測(cè)量,利用它們的差和比計(jì)算。功率通過(guò)電壓和電流測(cè)量,機(jī)械輸出通過(guò)扭矩和轉(zhuǎn)速測(cè)量並計(jì)算。配電箱多回路溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 直流溫升試驗(yàn)裝置 容量大 5年保修


1.3 恒流源配置列表:(按照客戶具體需求配置)

序號(hào)

名稱

數(shù)量

1

3回路三相0-100A電流調(diào)節(jié)器

1

2

3回路三相0-400A電流調(diào)節(jié)器

1

3

3回路三相0-630A電流調(diào)節(jié)器

1

4

3回路三相0-800A電流調(diào)節(jié)器

1

配電箱多回路溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 直流溫升試驗(yàn)裝置 容量大 5年保修20世紀(jì)80年始,非製冷紅外焦平麵陣列探測(cè)器在美國(guó)支持下發(fā)展起來(lái)的,在1992年研發(fā)完成後才對(duì)布。初期技術(shù)路線包括德州儀器研製的BST熱釋電探測(cè)器和霍尼韋爾研製的氧化釩(VOx)微測(cè)輻射熱計(jì)探測(cè)器。後來(lái)由於熱釋電技術(shù)本身的一些局限性,微測(cè)輻射熱計(jì)探測(cè)器逐漸勝出。2009年,L-3公司終宣布停止繼續(xù)生產(chǎn)熱釋電探測(cè)器。之後,法國(guó)的CEA/LETI以及德州儀器公司又分彆研製了非晶矽(a-Si)微測(cè)輻射熱計(jì)探測(cè)器。配電箱多回路溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 直流溫升試驗(yàn)裝置 容量大 5年保修


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