HNDL800 JP櫃 配電箱溫升試驗(yàn)係統(tǒng) 配電箱多回路溫升測(cè)試儀HNDL 大電流衝擊試驗(yàn)裝置 容量大 定製定做 

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059用於箱變,配電箱額定電流溫升試驗(yàn)。溫升試驗(yàn)裝置技術(shù)性能需滿足根據(jù)GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)開(kāi)關(guān)櫃進(jìn)行試驗(yàn)的要求。如果示波器冇有足夠大的存儲(chǔ)深度，則再高的采樣率也無(wú)法充分發(fā)揮價(jià)值。ZDS454Plus標(biāo)配512Mpts存儲(chǔ)深度，哪怕麵對(duì)4GSa/s的采樣率，也能存儲(chǔ)長(zhǎng)達(dá)128ms的波形。“真正意義”測(cè)量如果不能對(duì)所有存儲(chǔ)深度的每一個(gè)波形都進(jìn)行測(cè)量，存儲(chǔ)深度的價(jià)值也就是“波形不失真”這一基本要求而已，卻無(wú)法更進(jìn)一步地去自動(dòng)挖掘出波形中存在的異常。隻有具備“真正意義”參數(shù)測(cè)量統(tǒng)計(jì)功能，512Mpts的海量數(shù)據(jù)的價(jià)值才能被挖掘，否則如果隻測(cè)其中的一個(gè)周期，海量的數(shù)據(jù)有何意義？不同於傳統(tǒng)示波器隻測(cè)一個(gè)周期，或通過(guò)抽樣減少數(shù)據(jù)量再測(cè)量的模式，ZDS454Plus通過(guò)FPGA全硬件並行處理，基於原始采樣率和512Mpts全存儲(chǔ)深度，對(duì)每一幀波形每一周期進(jìn)行測(cè)量統(tǒng)計(jì)，可在幾百毫秒內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)512Mpts數(shù)據(jù)的“真正意義”參數(shù)測(cè)量，測(cè)試項(xiàng)目可達(dá)51種，並且支持24種參數(shù)同時(shí)顯示。

1.2 技術(shù)參數(shù)要求

恒流輸出電流：AC範(fàn)圍 0到額定電流，連續(xù)可調(diào)， 且該輸出電流為真有效值（指負(fù)載被試開(kāi)關(guān)櫃及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)附件， 可輸出的電流有效值， 電流穩(wěn)定輸出時(shí)間應(yīng)滿足工作時(shí)間要求）

輸出波形：標(biāo)準(zhǔn)正弦波

輸出頻率： 50Hz （+5%， -2%）

輸出電壓：0-6V，且連續(xù)可調(diào)

工作時(shí)間：大電流輸出不少於24小時(shí)

輸出相數(shù)：三相  多路

不過(guò)，CCD元件的製造成本高，在高感光度下的表現(xiàn)不太好，而且功耗較大。CMOS的色彩飽和度和質(zhì)感則略差於CCD，但處理芯片可以彌補(bǔ)這些差距。重要的是，CMOS具備硬件降噪機(jī)製，在高感光度下的表現(xiàn)要好於CCD，此外，它的讀取速度也更快。這些特性特彆適合性能較高的單反相機(jī)，因此目前市場(chǎng)中常見(jiàn)的單反數(shù)碼相機(jī)幾乎都采用了CMOS傳感器。這些裝備了CMOS傳感器的數(shù)碼相機(jī)甚至具備了拍攝全高清（FullHD）的能力，這是裝備了CCD的數(shù)碼相機(jī)目前無(wú)法做到的。

1.3 恒流源配置列表：（按照客戶具體需求配置）

配電箱多回路溫升測(cè)試儀HNDL 大電流衝擊試驗(yàn)裝置 容量大 定製定做如何可靠地校準(zhǔn)這些校準(zhǔn)器，保證可靠地量值溯源性，是一項(xiàng)技術(shù)性很強(qiáng)的工作。目前國(guó)內(nèi)各有些校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室在校準(zhǔn)這些校準(zhǔn)器的工作中，還存在一些問(wèn)題。有時(shí)候，其校準(zhǔn)不確定度並不能滿足技術(shù)要求。本文對(duì)這些問(wèn)題做了，並提出了解決方法。存在的問(wèn)題校準(zhǔn)儀器時(shí)，有一個(gè)基本的要求，就是要求被校儀器的不確定度遠(yuǎn)大於校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)的不確定度。它們之間的比率稱為不確定度比率TUR。一般要求TUR至少大於4:1或者3:1。達(dá)到要求，可以開(kāi)展校準(zhǔn)或檢定；達(dá)不到要求，隻能進(jìn)行儀器間的比對(duì)測(cè)量。