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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:配電箱多回路溫升試驗(yàn)係統(tǒng)HNDL 直流溫升試驗(yàn)裝置 容量大 30年經(jīng)驗(yàn)

  • 產(chǎn)品型號(hào):HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
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簡單介紹:
適用於JP櫃,配電箱溫升試驗(yàn),電力係統(tǒng)技術(shù)人員檢驗(yàn)電流互感器保護(hù)裝置及二次回路電流試驗(yàn)。也可用於開關(guān),電纜、直流電流傳感器和其它電器設(shè)備作電流負(fù)載試驗(yàn)及溫升試驗(yàn)。配電箱多回路溫升試驗(yàn)係統(tǒng)HNDL 直流溫升試驗(yàn)裝置 容量大 30年經(jīng)驗(yàn)
詳情介紹:

HNDL800 JP櫃 配電箱溫升試驗(yàn)係統(tǒng) 配電箱多回路溫升試驗(yàn)係統(tǒng)HNDL 直流溫升試驗(yàn)裝置 容量大 30年經(jīng)驗(yàn) 

配電箱多回路溫升試驗(yàn)係統(tǒng)HNDL 直流溫升試驗(yàn)裝置 容量大 30年經(jīng)驗(yàn)用於箱變,配電箱額定電流溫升試驗(yàn)。溫升試驗(yàn)裝置技術(shù)性能需滿足根據(jù)GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)開關(guān)櫃進(jìn)行試驗(yàn)的要求。單芯片雷達(dá)的簡圖雷達(dá)傳感器的應(yīng)用迄今為止,單芯片雷達(dá)的應(yīng)用領(lǐng)域是汽車**。雷達(dá)成為大多數(shù)汽車中先進(jìn)駕駛輔助係統(tǒng)(advanceddriver-assistancesystems,ADAS)的核心。自適應(yīng)巡航控製、自動(dòng)剎車、後備箱物體檢測(cè)、盲點(diǎn)檢測(cè)、變道輔助、來車警告?zhèn)S統(tǒng)都采用了雷達(dá)技術(shù)。目標(biāo)是減少駕駛員失誤,從而減少車禍次數(shù)和傷亡人數(shù)。目前為止,上述目標(biāo)正在實(shí)現(xiàn)。事實(shí)上,這些新的子係統(tǒng)非常有效,因此正在強(qiáng)製所有汽車安裝先進(jìn)駕駛輔助係統(tǒng)。

配電箱多回路溫升試驗(yàn)係統(tǒng)HNDL 直流溫升試驗(yàn)裝置 容量大 30年經(jīng)驗(yàn)1.2 技術(shù)參數(shù)要求

恒流輸出電流:AC範(fàn)圍 0到額定電流,連續(xù)可調(diào), 且該輸出電流為真有效值(指負(fù)載被試開關(guān)櫃及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)附件, 可輸出的電流有效值, 電流穩(wěn)定輸出時(shí)間應(yīng)滿足工作時(shí)間要求)

輸出波形:標(biāo)準(zhǔn)正弦波

輸出頻率: 50Hz (+5%, -2%)

輸出電壓:0-6V,且連續(xù)可調(diào)

工作時(shí)間:大電流輸出不少於24小時(shí)

輸出相數(shù):三相  多路

無論是AC/Di6A還是i3A係列電源,其小體積,能夠大幅節(jié)省寶貴空間,以便為智能機(jī)器人能夠擁有類人形的身材提供重要的支持;模塊電源超寬的輸入輸出電壓範(fàn)圍,能夠?yàn)橹悄軝C(jī)器人提供靈活的供電方案;AC/DC電源無噪音,模塊的率,超寬工作溫度範(fàn)圍,都無需額外風(fēng)扇散熱,避免了風(fēng)扇噪音,可以讓智能機(jī)器人擁有安靜沉穩(wěn)的性格;其輕重量,為智能機(jī)器人能夠擁有輕盈的體態(tài)提供了有力的支持,使同容量的電池能夠續(xù)航更長時(shí)間。配電箱多回路溫升試驗(yàn)係統(tǒng)HNDL 直流溫升試驗(yàn)裝置 容量大 30年經(jīng)驗(yàn)


1.3 恒流源配置列表:(按照客戶具體需求配置)

序號(hào)

名稱

數(shù)量

1

3回路三相0-100A電流調(diào)節(jié)器

1

2

3回路三相0-400A電流調(diào)節(jié)器

1

3

3回路三相0-630A電流調(diào)節(jié)器

1

4

3回路三相0-800A電流調(diào)節(jié)器

1

配電箱多回路溫升試驗(yàn)係統(tǒng)HNDL 直流溫升試驗(yàn)裝置 容量大 30年經(jīng)驗(yàn)在帶寬500MHz以下的示波器,一般標(biāo)配是1倍衰減或10倍衰減的無源,某些的衰減比可手動(dòng)選擇。不同衰減比的在帶寬、輸入電阻、輸入電容上麵都有差異:圖2ZP1025SA1倍、10倍衰減時(shí)的參數(shù)差異可見的輸入電容,比晶體手冊(cè)的負(fù)載電容要大。的介入,必定大大影響到原已參數(shù)優(yōu)化好的電路,從而嚴(yán)重影響晶體電路的起振。兩害相權(quán)取其輕,測(cè)量無源晶振時(shí)應(yīng)優(yōu)先選用10倍衰減。若10倍衰減的寄生參數(shù)還是過大,可以考慮選用有源高壓差分,其負(fù)載參數(shù)優(yōu)化得非常小,如Lecroy的ZP1000,輸入阻抗可達(dá)0.9p1M歐姆。配電箱多回路溫升試驗(yàn)係統(tǒng)HNDL 直流溫升試驗(yàn)裝置 容量大 30年經(jīng)驗(yàn)


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