HNDL係列全自動(dòng)大電流發(fā)生器測(cè)試係統(tǒng)小電流發(fā)生器 全自動(dòng)溫升試驗(yàn)裝置 三相溫升試驗(yàn)係統(tǒng) 30年經(jīng)驗(yàn)

是青島華能遠(yuǎn)見有限公司自主研製開發(fā)的專業(yè)應(yīng)用於母線槽、頻率50Hz開關(guān)、電流互感器和其它電器設(shè)備的電流負(fù)載速斷試驗(yàn)及溫升試驗(yàn)。則有效的保證了測(cè)試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。整機(jī)測(cè)試單元包括：高精度毫秒計(jì)、真有效值電流表、電流傳感器（進(jìn)口件）、調(diào)壓器、大功率升流器、微電腦控製器等部分。自動(dòng)調(diào)壓輸出電流。具體的器件有金屬應(yīng)變片、壓力傳感器等，在動(dòng)力設(shè)備、工程機(jī)械、各類工作母機(jī)和工業(yè)自動(dòng)化係統(tǒng)中，成為不可缺少的核心部件。力傳感器被廣泛地用在部件和係統(tǒng)級(jí)測(cè)試、發(fā)動(dòng)機(jī)和動(dòng)力總成測(cè)試、車輛和試驗(yàn)廠測(cè)試、總裝和終測(cè)試以及賽車應(yīng)用中。它們?cè)诖_定新車和部件設(shè)計(jì)的完整性和化方麵都能發(fā)揮重要作用，同時(shí)還有助於保證效率、**性和正確的功能。力傳感有“疲勞壽命”額定值。通用型力傳感器設(shè)計(jì)用於靜態(tài)載荷應(yīng)用或者低循環(huán)頻率載荷應(yīng)用。

特點(diǎn)

1、 采用10英寸真彩大液晶觸摸屏操作；測(cè)試無需外接任何輔助設(shè)備，全自動(dòng)控製，式操作，簡(jiǎn)單方便。

2、 帶有自動(dòng)穩(wěn)流係統(tǒng)，工控機(jī)可實(shí)現(xiàn)四遙控能

3、 采用當(dāng)前電力電子技術(shù)，抗乾擾能力強(qiáng)，輸出精度高，紋波係數(shù)小於0.2％，準(zhǔn)確度高於0.5%；。

4、 自動(dòng)試驗(yàn)隻需設(shè)置好目標(biāo)電流即可，無需人工監(jiān)控，僅需設(shè)定測(cè)試電流，省去手動(dòng)調(diào)壓，減小勞動(dòng)強(qiáng)度，提高工作效率。運(yùn)行時(shí)間可自由設(shè)定

5、絕緣耐壓 1800/AC  1min,   絕緣等級(jí)：B級(jí)

 直線度公差指單一實(shí)際直線允許的變動(dòng)全量。用於控製平麵或空間直線的形狀誤差，其公差帶根據(jù)不同的情況有幾種不同的形式。直線度的測(cè)量自動(dòng)測(cè)量能給工作人員提供準(zhǔn)確的信息，保證軋材符合標(biāo)準(zhǔn)。光電法測(cè)量光電法測(cè)量是以三臺(tái)測(cè)徑儀為基礎(chǔ)進(jìn)行檢測(cè)的，可以用於測(cè)量運(yùn)動(dòng)中的線、棒、管的外輪廓的直線度。布置上圖的的設(shè)備3臺(tái)，三臺(tái)設(shè)備同一時(shí)刻測(cè)量被測(cè)工件的位置數(shù)據(jù)左邊和右邊兩臺(tái)采集的位置連線，計(jì)算出中間設(shè)備的在直線度為0時(shí)的理論位置，與中間一臺(tái)所獲的的位置數(shù)據(jù)比較，差值即為被測(cè)工件在當(dāng)前位置的直線偏差如下圖所示。

二、技術(shù)指標(biāo)

1.輸入 交流50Hz , 380V。

2.可三相平衡的輸出0—20000A交流大電流。運(yùn)行時(shí)段可自行設(shè)定。

3. 輸出開口電壓：0-20V.

4.電流精度 ：各電流均可平滑平穩(wěn)連續(xù)可調(diào)，精度高於0.5級(jí).電流電壓表顯示為真有效數(shù)值，精度高、穩(wěn)定度高。

5.電流波形失真   THD 1%  設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高於國標(biāo)<<GB14048.2-14>>.

6.保護(hù)設(shè)置  過流、過壓

7.絕緣阻抗  20兆歐

8.絕緣耐壓  1800/AC  1MIN

9.可測(cè)被測(cè)元件的電流動(dòng)作時(shí)間。並可同步記錄鎖定動(dòng)作時(shí)間。常開、常閉觸點(diǎn)自動(dòng)判彆。測(cè)時(shí)範(fàn)圍：0.01S---99999.99s,精度;0. 01s.按照存儲(chǔ)芯片MicroSD卡供電要求的範(fàn)圍：2.7V-3.6V；不允許超出此範(fàn)圍，否則，芯片在不穩(wěn)定的電壓下工作會(huì)有比較大的風(fēng)險(xiǎn)，甚至?xí)?duì)卡片的正常工作帶來影響。需要考慮的是示波器的設(shè)置，究竟是否需要進(jìn)行20MHZ的帶寬限製？詳細(xì)的使用環(huán)境如下圖所示：如何去測(cè)試“高頻開關(guān)電源”噪聲IPAD剛引出來的那個(gè)端口可以當(dāng)做電源的源端，而通過後端的外圍模塊後在末端進(jìn)行測(cè)試的時(shí)候，電源通過了一段PCB走線，包括一些芯片回路，應(yīng)該存在高頻的噪聲，如果采用20MHZ的帶寬限製，實(shí)際上是將原本屬於模塊的噪聲給濾掉了，為此，我們進(jìn)行了對(duì)比測(cè)試進(jìn)行驗(yàn)證：步，我先驗(yàn)證IPAD的供電端在工作時(shí)的輸出，如下圖：通過直接驗(yàn)證IPAD的輸出口的電壓,保證源端的供電是正常的；通過測(cè)試，我們發(fā)現(xiàn)在源端測(cè)量的電壓值在3.4V（500MHZ帶寬測(cè)量）左右，峰峰值29mV，是非常穩(wěn)定的供電；可以排除源端供電的問題，接下來，我們直接在通過整個(gè)模塊後在MicroSD卡的供電腳SDVCC對(duì)電行測(cè)量，如下圖：當(dāng)我們?cè)趫D片上的點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試的時(shí)候，發(fā)現(xiàn)在高頻開關(guān)電源上有相當(dāng)大的噪聲，使得電壓超出了規(guī)範(fàn)要求的範(fàn)圍，值達(dá)到了3.814V，峰峰值達(dá)854mV；但當(dāng)我們將示波器設(shè)置為20MHZ帶寬的時(shí)候，高頻開關(guān)電源變的非常好，完全在供電要求的範(fàn)圍內(nèi)；正如在本文開頭描述的，在本次高頻開關(guān)電源測(cè)試過程中，已經(jīng)不是高頻開關(guān)電源紋波測(cè)量，而應(yīng)該是噪聲。

三、操作方法

1、儀器接入380V電壓，在將儀器後麵電流輸出端子與被測(cè)品接通構(gòu)成電流回路接線端子要緊固。麵板上的常閉觸點(diǎn)要接到被測(cè)品的輔助常閉觸點(diǎn)上。

2、打開儀器側(cè)麵空氣開關(guān)，等待幾秒進(jìn)入試驗(yàn)選擇界麵如下圖：

電流輸出線與常閉觸點(diǎn)接入後，注急停按鈕不要按下，直接按啟動(dòng)按鈕，即可通過點(diǎn)擊觸控屏升降按鈕來調(diào)節(jié)電流輸出大小。(每次試驗(yàn)結(jié)束後，都要按下麵板歸零按鈕讓調(diào)壓器自動(dòng)歸零位)。

2) 自動(dòng)升流就選擇進(jìn)入“自動(dòng)試驗(yàn)”界麵如下圖：

自動(dòng)試驗(yàn)時(shí)，每次都要先選擇“參數(shù)設(shè)置”來設(shè)置輸出電流大小。做長時(shí)間運(yùn)行可自由設(shè)定運(yùn)行時(shí)間。如下圖：步進(jìn)電機(jī)工作原理當(dāng)電流流過定子繞組時(shí)，定子繞組產(chǎn)生一矢量磁場(chǎng)。該磁場(chǎng)會(huì)帶動(dòng)轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)一角度，使得轉(zhuǎn)子的一對(duì)磁場(chǎng)方向與定子的磁場(chǎng)方向一致。當(dāng)定子的矢量磁場(chǎng)旋轉(zhuǎn)一個(gè)角度。轉(zhuǎn)子也隨著該磁場(chǎng)轉(zhuǎn)一個(gè)角度。每輸入一個(gè)電脈衝，電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)角度前進(jìn)一步。它輸出的角位移與輸入的脈衝數(shù)成正比、轉(zhuǎn)速與脈衝頻率成正比。改變繞組通電的順序，電機(jī)就會(huì)反轉(zhuǎn)。所以可用控製脈衝數(shù)量、頻率及電動(dòng)機(jī)各相繞組的通電順序來控製步進(jìn)電機(jī)的轉(zhuǎn)動(dòng)。

1.在連接儀器測(cè)試線前，應(yīng)先檢查各項(xiàng)調(diào)壓器是否歸零。急停按鈕是否關(guān)閉。

2.輸出電流2500A以上時(shí)，電流輸出線一定要緊固。試驗(yàn)時(shí)間≤300s。iPhone11一經(jīng)發(fā)布，“浴霸”攝像頭就被很多人吐槽，相較於外形，相信大家更關(guān)心的是它的內(nèi)在。比如它的GPU，過燙的經(jīng)曆，相信大家都有過吧，GPU就是溫度的“操控者”。通過菲力爾紅外熱成像儀對(duì)比iPhone11ProMax和iPhoneXSMax，我們可以發(fā)現(xiàn)，新處理器的發(fā)熱量比過去要降低了，用熱成像儀觀看兩者後背，主要發(fā)熱區(qū)域都在攝像頭斜下方，但新iPhone發(fā)熱量明顯要小於上代產(chǎn)品，溫度差了3度。