HNDL係列全自動(dòng)大電流發(fā)生器測(cè)試係統(tǒng)大電流發(fā)生器 交流溫升試驗(yàn)設(shè)備 三相溫升試驗(yàn)係統(tǒng) 5年保修

是青島華能遠(yuǎn)見有限公司自主研製開發(fā)的專業(yè)應(yīng)用於母線槽、頻率50Hz開關(guān)、電流互感器和其它電器設(shè)備的電流負(fù)載速斷試驗(yàn)及溫升試驗(yàn)。則有效的保證了測(cè)試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。整機(jī)測(cè)試單元包括：高精度毫秒計(jì)、真有效值電流表、電流傳感器（進(jìn)口件）、調(diào)壓器、大功率升流器、微電腦控製器等部分。自動(dòng)調(diào)壓輸出電流。什麼是RDMA？RDMA（RemoteDirectMemoryAccess），通俗的說就是遠(yuǎn)程的DMA技術(shù)，是為了解決網(wǎng)絡(luò)傳輸中服務(wù)器端數(shù)據(jù)處理的延遲而產(chǎn)生的。傳統(tǒng)模式與RDMA模式工作機(jī)製對(duì)比如上圖，在傳統(tǒng)模式下，兩臺(tái)服務(wù)器上的應(yīng)用之間傳輸數(shù)據(jù)，過程是這樣的：要把數(shù)據(jù)從應(yīng)用緩存拷貝到Kernel中的TCP協(xié)議棧緩存；然後再拷貝到驅(qū)動(dòng)層；後拷貝到網(wǎng)卡緩存。多次內(nèi)存拷貝需要CPU多次介入，導(dǎo)致處理延時(shí)大，達(dá)到數(shù)十微秒。

特點(diǎn)

1、 采用10英寸真彩大液晶觸摸屏操作；測(cè)試無需外接任何輔助設(shè)備，全自動(dòng)控製，式操作，簡(jiǎn)單方便。

2、 帶有自動(dòng)穩(wěn)流係統(tǒng)，工控機(jī)可實(shí)現(xiàn)四遙控能

3、 采用當(dāng)前電力電子技術(shù)，抗乾擾能力強(qiáng)，輸出精度高，紋波係數(shù)小於0.2％，準(zhǔn)確度高於0.5%；。

4、 自動(dòng)試驗(yàn)隻需設(shè)置好目標(biāo)電流即可，無需人工監(jiān)控，僅需設(shè)定測(cè)試電流，省去手動(dòng)調(diào)壓，減小勞動(dòng)強(qiáng)度，提高工作效率。運(yùn)行時(shí)間可自由設(shè)定

5、絕緣耐壓 1800/AC  1min,   絕緣等級(jí)：B級(jí)

 和微波暗室的測(cè)試目的一樣，TEMCELL也是一個(gè)模擬理想空間的天線測(cè)試環(huán)境，金屬箱能夠提供足夠的功能來消除外部乾擾對(duì)天線的影響，而內(nèi)部的吸波材料也能吸收入射波，減小反射波。TEMCELL不能對(duì)天線進(jìn)行無源測(cè)試，隻能對(duì)有源指標(biāo)進(jìn)行測(cè)試。由於空間限製，TEMCELL的吸波材料比較薄，而對(duì)於劈狀吸波材料，是通過劈尖間的多次反射增加對(duì)入射波進(jìn)行吸收，因此微波暗室裡的吸波材料都比較厚，而TEMCELL的吸波材料都不購厚，因此對(duì)入射波的吸收都不是很充分，因此會(huì)導(dǎo)致測(cè)試的結(jié)果不。

二、技術(shù)指標(biāo)

1.輸入 交流50Hz , 380V。

2.可平衡的輸出0—2000A交流大電流。運(yùn)行時(shí)段可自行設(shè)定。

3. 輸出開口電壓：10V.

4.電流精度 ：各電流均可平滑平穩(wěn)連續(xù)可調(diào)，精度高於0.5級(jí).電流電壓表顯示為真有效數(shù)值，精度高、穩(wěn)定度高。

5.電流波形失真   THD 1%  設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高於國標(biāo)<<GB14048.2-14>>.

6.保護(hù)設(shè)置  過流、過壓

7.絕緣阻抗  20兆歐

8.絕緣耐壓  1800/AC  1MIN

9.可測(cè)被測(cè)元件的電流動(dòng)作時(shí)間。並可同步記錄鎖定動(dòng)作時(shí)間。常開、常閉觸點(diǎn)自動(dòng)判彆。測(cè)時(shí)範(fàn)圍：0.01S---99999.99s,精度;0. 01s.交流輸入電壓範(fàn)圍為1.4007±1.4007，此時(shí)有效位數(shù)N=ln4015/ln2=11.971，mV/計(jì)數(shù)位=2.8013/4015=06977，其餘項(xiàng)計(jì)算同上。表1中的後一行顯示了ADC操作的**參數(shù)，其有效位數(shù)減少為11.865位，mV/計(jì)數(shù)位從0.7326增加為0.7345，這將會(huì)使轉(zhuǎn)換結(jié)果減少0.2%。在實(shí)際應(yīng)用中，所采集的信號(hào)經(jīng)常為雙極型信號(hào)，因此信號(hào)在送至ADC之前需要添加轉(zhuǎn)換電路，將雙極型信號(hào)轉(zhuǎn)化為單極型信號(hào)。

三、操作方法

1、儀器接入380V電壓，在將儀器後麵電流輸出端子與被測(cè)品接通構(gòu)成電流回路接線端子要緊固。麵板上的常閉觸點(diǎn)要接到被測(cè)品的輔助常閉觸點(diǎn)上（注：不要接到帶電位的輔助觸點(diǎn)）。

2、打開儀器側(cè)麵空氣開關(guān)，等待幾秒進(jìn)入試驗(yàn)選擇界麵如下圖：

電流輸出線與常閉觸點(diǎn)接入後，注急停按鈕不要按下，直接按啟動(dòng)按鈕，即可通過點(diǎn)擊觸控屏升降按鈕來調(diào)節(jié)電流輸出大小。(每次試驗(yàn)結(jié)束後，都要按下麵板歸零按鈕讓調(diào)壓器自動(dòng)歸零位)。

2) 自動(dòng)升流就選擇進(jìn)入“自動(dòng)試驗(yàn)”界麵如下圖：

自動(dòng)試驗(yàn)時(shí)，每次都要先選擇“參數(shù)設(shè)置”來設(shè)置輸出電流大小。做長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行可自由設(shè)定運(yùn)行時(shí)間。如下圖：反射係數(shù)法是通過測(cè)量漏蘭姆波的頻散曲線來確定材料的性質(zhì),但測(cè)量難度較大。傅裡葉變換隻能處理線性非平穩(wěn)的信號(hào)。小波變換法雖然在理論上能處理非線性非平穩(wěn)信號(hào),但是同傅裡葉變換、短時(shí)傅裡葉變換法一樣,都受Heisenberg測(cè)不準(zhǔn)原理製約,即時(shí)間窗口與頻率窗口的乘積為一個(gè)常數(shù),這就意味著如果要提高時(shí)間精度就得犧牲頻率精度,反之亦然。當(dāng)蘭姆波中不同模態(tài)的頻率比較接近時(shí),不適用小波變換處理信號(hào)。動(dòng)態(tài)光彈法能從Lamb波的應(yīng)力分布觀察到傳播和頻散,但是在實(shí)際檢測(cè)中對(duì)硬件要求較高。

1.在連接儀器測(cè)試線前，應(yīng)先檢查各項(xiàng)調(diào)壓器是否歸零。急停按鈕是否關(guān)閉。

2.輸出電流2500A以上時(shí)，電流輸出線一定要緊固。試驗(yàn)時(shí)間≤300s。所述控製模塊，還具體用於在第n個(gè)補(bǔ)償周期中，根據(jù)第n-1個(gè)補(bǔ)償周期存儲(chǔ)的補(bǔ)償餘數(shù)、第n個(gè)補(bǔ)償周期獲取的補(bǔ)償參數(shù)和RTC模塊的補(bǔ)償單位計(jì)算第n補(bǔ)償周期的補(bǔ)償校準(zhǔn)值和補(bǔ)償餘數(shù)。優(yōu)選地，所述控製模塊，還具體用於在第n個(gè)補(bǔ)償周期中，按照所述第n個(gè)補(bǔ)償周期的補(bǔ)償校準(zhǔn)值對(duì)所述RTC模塊的時(shí)鐘頻率進(jìn)行校準(zhǔn)，並存儲(chǔ)所述第n個(gè)補(bǔ)償周期的補(bǔ)償餘數(shù)。所述控製模塊，具體用於用第n個(gè)補(bǔ)償周期的補(bǔ)償餘數(shù)覆蓋存儲(chǔ)模塊中存儲(chǔ)的第n-1個(gè)補(bǔ)償周期的補(bǔ)償餘數(shù)。