HN11C高壓開(kāi)關(guān)綜合測(cè)試儀斷路器綜合測(cè)試儀 HN11C係列 開(kāi)關(guān)觸頭夾緊力測(cè)試儀 售後完善
一、功能特點(diǎn) 

測(cè)試指標(biāo)：可測(cè)試國(guó)產(chǎn)（進(jìn)口）真空、六氟化硫、油高壓斷路器，負(fù)荷開(kāi)關(guān)、GIS接地刀閘開(kāi)關(guān)、接觸器、繼電器、空氣開(kāi)關(guān)等。合、分閘時(shí)間、同期、彈跳時(shí)間、次數(shù)、自動(dòng)重合閘、行程、速度、電流、動(dòng)作電壓等各項(xiàng)數(shù)據(jù)、波形。

抗擾通道：可抵禦550KV變電所現(xiàn)場(chǎng)靜電乾擾！就效率測(cè)試這一點(diǎn)來(lái)說(shuō)，電機(jī)驅(qū)動(dòng)器也是一樣的。為了保證電機(jī)的效率和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器效率測(cè)試的準(zhǔn)確性，必須保證兩者是在同一個(gè)負(fù)載下時(shí)對(duì)效率進(jìn)行測(cè)量的，也就是說(shuō)，要保證在同一個(gè)時(shí)間點(diǎn)下進(jìn)行采集。這裡一般會(huì)用到多通道的功率儀進(jìn)行測(cè)量，如下圖，就是一種非常常用的對(duì)變頻電機(jī)及變頻器進(jìn)行同步測(cè)試的方法。在此係統(tǒng)中，變頻器(電機(jī)驅(qū)動(dòng)器)的三相輸入、三相輸出、電機(jī)的轉(zhuǎn)速扭矩輸出都接到同一臺(tái)設(shè)備(功率儀)上進(jìn)行采集，並通過(guò)設(shè)備內(nèi)部的效率運(yùn)算工具實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器及整個(gè)係統(tǒng)的效率同步測(cè)量。

位移通道：1路位移信號(hào)采集，適配耐用的精密電阻線(xiàn)性位移、角位移傳感器。亦可適配用戶(hù)傳統(tǒng)自配的滑線(xiàn)電阻傳感器。

同步觸發(fā)：可響應(yīng)電壓、電流、傳感器、斷口變化多種同步觸發(fā)方式。具有無(wú)電位接點(diǎn)操作控製模塊，無(wú)彈跳接點(diǎn)，接點(diǎn)開(kāi)斷容量： 30A，250V（AC/DC）

操作界麵：5.7″黑白液晶屏，菜單式操作，並在麵板上增加了快捷設(shè)置按鍵。配備高精度激光傳感器，傳感器安裝迅速、快捷、簡(jiǎn)單；同時(shí)也可配置滑線(xiàn)電阻傳感器和角度傳感器；並配備齊全相關(guān)傳感器、斷路器的測(cè)試支架；三相電壓不平衡GJB181A-23中規(guī)定需要模擬在三相供電不平衡狀態(tài)下用電設(shè)備的運(yùn)行特性。IT76係列支持單三相輸出，可實(shí)現(xiàn)對(duì)於三相交流電源的測(cè)試應(yīng)用。用戶(hù)可以根據(jù)實(shí)際需求實(shí)現(xiàn)Y型和型的連接方式。在實(shí)現(xiàn)三相輸出的同時(shí)，可模擬三相不平衡，擴(kuò)展應(yīng)用範(fàn)圍。交流諧波畸變模擬GJB181A-23中規(guī)定需要模擬在三相供電不平衡狀態(tài)下用電設(shè)備的運(yùn)行特性。IT76係列擁有強(qiáng)大的諧波模擬能力，可達(dá)5次諧波。

速度定義：提供了常用的開(kāi)關(guān)速度定義庫(kù)和可編輯速度定義庫(kù)兩種模式可供用戶(hù)自行選擇。

錄波功能：12路普通金屬觸頭通斷、線(xiàn)圈電流；行程、時(shí)間波形。具有斷路器型號(hào)庫(kù)功能，測(cè)試時(shí)可直接調(diào)用數(shù)據(jù)庫(kù)斷路器型號(hào)，無(wú)需特彆設(shè)置

U盤(pán)存儲(chǔ)：可將數(shù)據(jù)及波形文件快速存儲(chǔ)到U盤(pán)，直接用上位機(jī)軟件打開(kāi)。

在線(xiàn)幫助：儀器內(nèi)置豐富的接線(xiàn)、安裝、測(cè)試操作幫助。無(wú)說(shuō)明書(shū)就能簡(jiǎn)單使用。再簡(jiǎn)單一點(diǎn)，就是考慮更好的散熱吧。功率管發(fā)熱功率管的功耗分成兩部分，開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。要注意，大多數(shù)場(chǎng)合特彆是LED市電驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，開(kāi)關(guān)損害要遠(yuǎn)大於導(dǎo)通損耗。開(kāi)關(guān)損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅(qū)動(dòng)能力和工作頻率有關(guān)，所以要解決功率管的發(fā)熱可以從以下幾個(gè)方麵解決：不能片麵根據(jù)導(dǎo)通電阻大小來(lái)選擇MOS功率管，因?yàn)閮?nèi)阻越小，cgs和cgd電容越大。如1N60的cgs為250pF左右，2N60的cgs為350pF左右，5N60的cgs為1200pF左右，差彆太大了，選擇功率管時(shí)，夠用就可以了。