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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:接觸電阻測試儀 HN11C係列 數(shù)字式三相移相器 30年經(jīng)驗

  • 產(chǎn)品型號:HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡單介紹:
適用於JP櫃,配電箱溫升試驗,電力係統(tǒng)技術(shù)人員檢驗電流互感器保護裝置及二次回路電流試驗。也可用於開關(guān),電纜、直流電流傳感器和其它電器設(shè)備作電流負載試驗及溫升試驗。接觸電阻測試儀 HN11C係列 數(shù)字式三相移相器 30年經(jīng)驗
詳情介紹:

HN11C高壓開關(guān)綜合測試儀接觸電阻測試儀 HN11C係列 數(shù)字式三相移相器 30年經(jīng)驗
接觸電阻測試儀 HN11C係列 數(shù)字式三相移相器 30年經(jīng)驗一、功能特點
 

測試指標:可測試國產(chǎn)(進口)真空、六氟化硫、油高壓斷路器,負荷開關(guān)、GIS接地刀閘開關(guān)、接觸器、繼電器、空氣開關(guān)等。合、分閘時間、同期、彈跳時間、次數(shù)、自動重合閘、行程、速度、電流、動作電壓等各項數(shù)據(jù)、波形。

抗擾通道:可抵禦550KV變電所現(xiàn)場靜電乾擾!測控技術(shù)與儀器是一門研究信息的獲取和處理,以及對相關(guān)要素進行控製的理論與技術(shù)?!皽y控技術(shù)與儀器”是指對信息進行采集、測量、存儲、傳輸、處理和控製的手段與設(shè)備,包含測量技術(shù)、控製技術(shù)和實現(xiàn)這些技術(shù)的儀器儀表及係統(tǒng)。什麼是測控技術(shù)?測控技術(shù)與儀器,是建立在精密機械、電子技術(shù)、光學、自動控製和計算機技術(shù)的基礎(chǔ)上,主要研究精密測試和控製技術(shù)的新原理、新方法和新工藝。近年來,計算機技術(shù)在測控技術(shù)的應用研究中呈現(xiàn)出越來越重要的地位。接觸電阻測試儀 HN11C係列 數(shù)字式三相移相器 30年經(jīng)驗

位移通道:1路位移信號采集,適配耐用的精密電阻線性位移、角位移傳感器。亦可適配用戶傳統(tǒng)自配的滑線電阻傳感器。

同步觸發(fā):可響應電壓、電流、傳感器、斷口變化多種同步觸發(fā)方式。具有無電位接點操作控製模塊,無彈跳接點,接點開斷容量: 30A,250V(AC/DC)

操作界麵:5.7″黑白液晶屏,菜單式操作,並在麵板上增加了快捷設(shè)置按鍵。配備高精度激光傳感器,傳感器安裝迅速、快捷、簡單;同時也可配置滑線電阻傳感器和角度傳感器;並配備齊全相關(guān)傳感器、斷路器的測試支架;再簡單一點,就是考慮更好的散熱吧。功率管發(fā)熱功率管的功耗分成兩部分,開關(guān)損耗和導通損耗。要注意,大多數(shù)場合特彆是LED市電驅(qū)動應用,開關(guān)損害要遠大於導通損耗。開關(guān)損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅(qū)動能力和工作頻率有關(guān),所以要解決功率管的發(fā)熱可以從以下幾個方麵解決:不能片麵根據(jù)導通電阻大小來選擇MOS功率管,因為內(nèi)阻越小,cgs和cgd電容越大。如1N60的cgs為250pF左右,2N60的cgs為350pF左右,5N60的cgs為1200pF左右,差彆太大了,選擇功率管時,夠用就可以了。接觸電阻測試儀 HN11C係列 數(shù)字式三相移相器 30年經(jīng)驗

速度定義:提供了常用的開關(guān)速度定義庫和可編輯速度定義庫兩種模式可供用戶自行選擇。

錄波功能12路普通金屬觸頭通斷、線圈電流;行程、時間波形。具有斷路器型號庫功能,測試時可直接調(diào)用數(shù)據(jù)庫斷路器型號,無需特彆設(shè)置


U盤存儲:可將數(shù)據(jù)及波形文件快速存儲到U盤,直接用上位機軟件打開。

在線幫助:儀器內(nèi)置豐富的接線、安裝、測試操作幫助。無說明書就能簡單使用。功率器件熱阻分布示意圖舉個例子來說,大家常用的S8050在25℃(Tc)的耗散功率是0.625W,額定電流為0.5A,結(jié)點溫度為150℃,此代入公式有:從上麵公式可以推算出Rja為200℃/W(Rja表示結(jié)點到空氣的熱阻)。假設(shè)芯片殼溫(Tc)為55℃,熱耗散功率有0.5W時,此刻芯片結(jié)點溫度為:Tj=Tc+PD*Rjc代入得到155℃,已經(jīng)超過了結(jié)溫150℃了。故需要降額使用,然而降額曲線在數(shù)據(jù)手冊中並未標注,所以小編隻能自行計算。接觸電阻測試儀 HN11C係列 數(shù)字式三相移相器 30年經(jīng)驗

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