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HN300電纜故障測(cè)試儀 高架電纜故障測(cè)試儀 HN300係列 電力電纜故障測(cè)試儀價(jià)格實(shí)惠
用於35kV及以下不同等級(jí)、不同截麵、不同介質(zhì)及材質(zhì)的電力電纜的各類(lèi)故障,包括:開(kāi)路、短路、低阻、高阻泄漏、高阻閃絡(luò)性故障。可配合高壓設(shè)備實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)電纜故障測(cè)試的低壓脈衝法、衝擊閃絡(luò)法、速度測(cè)量法。 全中文操作軟件和使用界麵,子菜單方式和文字提示實(shí)現(xiàn)人機(jī)互動(dòng)。工業(yè)級(jí)10.4寸彩色觸摸液晶屏顯示,全中文操作軟件和使用界麵,子菜單方式和文字提示實(shí)現(xiàn)人機(jī)互動(dòng)。晶振,是電路中重要的電子元件,控製著係統(tǒng)運(yùn)行的節(jié)拍。基於不同的應(yīng)用場(chǎng)景,晶振有多種類(lèi)型,無(wú)源晶振是其中價(jià)格便宜而又應(yīng)用廣泛的一種。在使用示波器測(cè)量無(wú)源晶振輸出頻率時(shí),常常會(huì)發(fā)現(xiàn)晶振有輸出無(wú)信號(hào)、晶振不起振等異常情況。本文就此情況略談一二。無(wú)源晶振簡(jiǎn)介無(wú)源晶振,準(zhǔn)確來(lái)說(shuō)應(yīng)叫Crystal(晶體),有源晶振則叫Oscillator(振蕩器)。無(wú)源晶振是在石英晶片的兩端鍍上電極而成,其兩管腳是無(wú)極性的。
技術(shù)參數(shù)
1. 采樣方法:低壓脈衝法、衝擊閃絡(luò)法、速度測(cè)量法
2. 采樣速率:200 MHz、100 MHz、80 MHz、40 MHz、20MHz、10 MHz
3. 脈衝寬度:0.05μs、0.1μs、0.2μs、0.5μs、1μs、2μs、8μs
4. 波速設(shè)置:交聯(lián)、聚氯、油浸紙、不滴油和未知類(lèi)型自設(shè)定
5. 衝擊高壓:35kV及以下
6. 測(cè)試距離:<60km,盲區(qū)≤1m
7. 分 辨 率:1m
8. 測(cè)試精度:1m
9. 顯示方式:工業(yè)級(jí)10.4寸彩色觸摸液晶屏
但設(shè)備較為笨重,攜帶、安裝不方便、且測(cè)量易受到環(huán)境因素的影響。此外,鋼弦式測(cè)量?jī)x的調(diào)試時(shí)間較長(zhǎng),準(zhǔn)備工作需要花較長(zhǎng)時(shí)間,不適合做快速測(cè)量;另外鋼弦式測(cè)試儀重量、尺寸較大,安裝後易對(duì)構(gòu)件的工作狀態(tài)和應(yīng)力分布造成一定的影響,所以不適合測(cè)量較細(xì)的軸。光柵法軸功率測(cè)試方法光柵式軸功率測(cè)試由兩個(gè)光電碼盤(pán)、兩個(gè)光電傳感器、控製器組成,光電碼盤(pán)由兩個(gè)半圓環(huán)拚接而成,電傳感器安裝在固定的支架上,保證兩個(gè)光電傳感器與被測(cè)軸的軸心線(xiàn)在同一個(gè)平麵上。
四、工作原理
本產(chǎn)品采用的是時(shí)域反射(TDR)原理,即對(duì)電纜發(fā)射一電脈衝,電脈衝將在電纜中勻速傳輸,當(dāng)遇到電纜阻抗發(fā)生變化的地方(故障點(diǎn)),電脈衝將產(chǎn)生反射。測(cè)距主機(jī)將電脈衝的發(fā)射和反射的變化以時(shí)域形式通過(guò)液晶屏顯示出來(lái),通過(guò)屏幕上的波形可直接判讀故障距離。
① 開(kāi)關(guān)按鍵:按下自鎖接通電源,再按解鎖斷開(kāi)電源。開(kāi)機(jī)2分鐘無(wú)任何操作時(shí),屏幕將變暗進(jìn)入屏保節(jié)能狀態(tài)。采礦業(yè)中,產(chǎn)生的有毒化學(xué)物品,一旦出現(xiàn)泄漏是很危險(xiǎn)的事,需要借助靈敏的檢測(cè)工具,有效預(yù)防事故的發(fā)生。傳統(tǒng)的監(jiān)控係統(tǒng)在及早檢測(cè)少量泄漏方麵顯得非常吃力。有鑒於此,加拿大技術(shù)專(zhuān)家IntelliView近開(kāi)發(fā)出用於監(jiān)控地上設(shè)施的DCAM?雙攝像頭解決方案。IntelliView利用FLIRA65熱像儀,為金礦開(kāi)采行業(yè)打造了一款根據(jù)溫度和發(fā)射率差異發(fā)現(xiàn)表麵液體泄漏的先進(jìn)解決方案。液體泄漏檢測(cè)“借助標(biāo)準(zhǔn)的泄漏檢測(cè)技術(shù),如壓力傳感器或大量計(jì)算,很難在早期就檢測(cè)到少量泄漏,這主要是泄漏規(guī)模較小的緣故。
② 充電端口:用於連接充電器,給電池充電。
③ 中值旋鈕:順時(shí)針旋動(dòng)中值向上走動(dòng);逆時(shí)針旋動(dòng)中值向下走動(dòng)。(需采樣刷新才有變化)大;逆時(shí)針旋動(dòng)幅度減小。(需采樣刷新才有變化)
⑤ 采樣端口:四芯座,用於連接采樣線(xiàn)。像ResearchIR一樣,F(xiàn)LIRResearchStudio?允許您定製工作區(qū),但是以一種全新的方式進(jìn)行。我們可以選擇一個(gè)布局,此布局可以隻有一個(gè)窗格或多達(dá)4個(gè)不同的窗格,然後我們可以將實(shí)時(shí)碼流從任何連接的攝像機(jī)和任何記錄文件移動(dòng)到這些不同的窗格中。我們甚至可以將多個(gè)相同類(lèi)型的內(nèi)容放在同一個(gè)窗格中,從而在窗格中添加了深度。當(dāng)我們添加越來(lái)越多的圖片、錄像、實(shí)時(shí)碼流和圖標(biāo),有一個(gè)布局助手,幫助您選擇在哪裡放置一切。
⑥ 觸摸式彩色液晶屏:詳見(jiàn)“工作界麵介紹”。
按“ ”鍵,彈出采樣方式選擇子菜單。子菜單中包括:“低壓脈衝”、“閃絡(luò)方法”和“速度測(cè)量”。儀器開(kāi)機(jī)默認(rèn)“低壓脈衝”,根據(jù)測(cè)試需要,可選擇相應(yīng)的采樣方式,再按“采樣方式”鍵退出。
按“ ”鍵,彈出脈衝寬度選擇子菜單。子菜單中包括7個(gè)選項(xiàng),分彆為:0.05μs、0.1μs、0.2μs、0.5μs、1μs、2μs、8μs。根據(jù)測(cè)試距離選擇合適的脈寬,按對(duì)應(yīng)的子菜單鍵可以對(duì)脈衝寬度進(jìn)行選擇,儀器開(kāi)機(jī)默認(rèn)0.2μs,再按“脈寬”鍵退出此項(xiàng)功能。注意:在高壓閃絡(luò)法測(cè)試中此項(xiàng)不做選擇。
工程師用四通道在線(xiàn)編程器P8-ISP對(duì)客戶(hù)樣機(jī)編程時(shí),發(fā)現(xiàn)現(xiàn)象確如客戶(hù)所說(shuō)的一致。憑著豐富的編程調(diào)試經(jīng)驗(yàn),我們的工程師將問(wèn)題為芯片被誤操作,導(dǎo)致被加密,查閱芯片技術(shù)手冊(cè)後將根源鎖定到2個(gè)寄存器上。為了解決這個(gè)問(wèn)題,工程師將P8-ISP的時(shí)序代碼作相應(yīng)的修改,在執(zhí)行擦除、編程操作之前,將2個(gè)寄存器的置位順序做了調(diào)整,使MCU處?kù)督饷軤顟B(tài),確保芯片在編程過(guò)程中不會(huì)被誤加密。采用更新好時(shí)序的P8-ISP來(lái)燒寫(xiě)MCU後,客戶(hù)的汽車(chē)電子標(biāo)簽(OBU)燒片效率和良品率都有了明顯提高,百萬(wàn)套OBU量產(chǎn)也不再是難事。