HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
衝擊電壓發(fā)生器 HNCJ係列 工頻試驗(yàn)變壓器定製定做產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

適用範(fàn)圍：變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標(biāo)準(zhǔn)雷電衝擊，雷電截?cái)嗖?，操作衝擊及用戶要求的非標(biāo)準(zhǔn)衝擊波的各類衝擊電壓試驗(yàn)。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗(yàn)波形（標(biāo)準(zhǔn)的和非標(biāo)準(zhǔn)的波形，用戶提出來(lái)的波形）。 適用領(lǐng)域：質(zhì)檢鑒定計(jì)量檢測(cè)監(jiān)督機(jī)構(gòu)，電力設(shè)備製造廠，鐵路通信，航天和航天飛行器,科研單位，大專院校以及氣象等部門的防雷和雷電試驗(yàn)。從事電力行業(yè)人員經(jīng)常會(huì)提及到IEC61850通訊協(xié)議，電力客戶也經(jīng)常提問(wèn)到。然而，我們對(duì)它究竟理解多少？聽過(guò)IEC61850的人很多，可是61850究竟是什麼？通信規(guī)約？?jī)渝e(cuò)，IEC61850標(biāo)準(zhǔn)是電力係統(tǒng)自動(dòng)化領(lǐng)域的通用標(biāo)準(zhǔn)。它通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)現(xiàn)，實(shí)現(xiàn)了智能變電站的工程運(yùn)作標(biāo)準(zhǔn)化。使得智能變電站的工程實(shí)施變得規(guī)範(fàn)、統(tǒng)一和透明。然後呢？它究竟規(guī)定了什麼？IEC61850是什麼樣子的IEC61850係列是由10個(gè)部分組成的，分彆是：IEC61850—1基本原則；IEC61850—2相關(guān)專業(yè)用語(yǔ)的闡述；IEC61850—3有關(guān)的規(guī)範(fàn)和要求；IEC61850—4對(duì)於係統(tǒng)和工程方麵所提出的要求和規(guī)範(fàn)；IEC61850—5功能和裝置模型的相關(guān)概述；IEC61850—6結(jié)構(gòu)語(yǔ)言；IEC61850—7闡述變電站和饋線設(shè)備的使用理論知識(shí)以及運(yùn)作模式，並對(duì)相關(guān)結(jié)構(gòu)進(jìn)行描述定義；IEC61850—8變電站和間隔層內(nèi)以及變電站層和間隔層之間的通信服務(wù)映射SCSM；IEC61850—9間隔層和過(guò)程層內(nèi)以及間隔層和過(guò)程層之間通信服務(wù)映射SCSM；IEC61850—10終測(cè)試。

產(chǎn)品彆稱：衝擊電壓發(fā)生器，雷電衝擊電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置，雷電衝擊電流發(fā)生器，電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置

正確選用功率繼電器的四個(gè)步驟測(cè)觸點(diǎn)電阻用表的電阻檔，測(cè)量常閉觸點(diǎn)與動(dòng)點(diǎn)電阻，其阻值應(yīng)為0，(用更加方式可測(cè)得觸點(diǎn)阻值在100毫歐以內(nèi));而常開觸點(diǎn)與動(dòng)點(diǎn)的阻值就為無(wú)窮大。由此可以區(qū)彆出那個(gè)是常閉觸點(diǎn)，那個(gè)是常開觸點(diǎn)。測(cè)線圈電阻可用表R×10Ω檔測(cè)量功率繼電器線圈的阻值，從而判斷該線圈是否存在著開路現(xiàn)象。測(cè)量吸合電壓和吸合電流找來(lái)可調(diào)穩(wěn)壓電源和電流表，給功率繼電器輸入一組電壓，且在供電回路中串入電流表進(jìn)行監(jiān)測(cè)。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

1、回路電感小，並采取帶阻濾波措施，在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)衝擊波，負(fù)載能力大。

2、電壓利用係數(shù)高，雷電波和操作波分彆不低於85%和80%。

3、調(diào)波方便，操作簡(jiǎn)單，同步性能好，動(dòng)作可靠。LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會(huì)導(dǎo)致燒壞，關(guān)於這個(gè)問(wèn)題，也見到過(guò)有人在行業(yè)論壇發(fā)過(guò)貼討論過(guò)。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方麵討論LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管技術(shù)。芯片發(fā)熱本次內(nèi)容主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)製器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上麵，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的電流來(lái)自於驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗，簡(jiǎn)單的計(jì)算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實(shí)際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變，那麼請(qǐng)想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。衝擊電壓發(fā)生器 HNCJ係列 工頻試驗(yàn)變壓器定製定做

4、采用恒流充電自動(dòng)控製技術(shù)，自動(dòng)化程度高，抗乾擾能力強(qiáng)。