HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
衝擊電壓發(fā)生裝置 HNCJ係列 工頻交流耐壓測(cè)試儀試驗(yàn)方法產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

適用範(fàn)圍：變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標(biāo)準(zhǔn)雷電衝擊，雷電截?cái)嗖?，操作衝擊及用戶要求的非標(biāo)準(zhǔn)衝擊波的各類衝擊電壓試驗(yàn)。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗(yàn)波形（標(biāo)準(zhǔn)的和非標(biāo)準(zhǔn)的波形，用戶提出來(lái)的波形）。 適用領(lǐng)域：質(zhì)檢鑒定計(jì)量檢測(cè)監(jiān)督機(jī)構(gòu)，電力設(shè)備製造廠，鐵路通信，航天和航天飛行器,科研單位，大專院校以及氣象等部門(mén)的防雷和雷電試驗(yàn)。電感位移傳感器被廣泛應(yīng)用於微小位移量檢測(cè)中，但在一些工程中現(xiàn)有傳感器的測(cè)量精度和靈敏度達(dá)不到測(cè)量要求。針對(duì)這一問(wèn)題，對(duì)傳感器前段信號(hào)處理電路進(jìn)行改進(jìn)，在傳感器上下線圈並聯(lián)電容形成LC電路，利用LC電路諧振效應(yīng)改善電路的性能，以提高信號(hào)源頭的靈敏度；采用Multisim軟件對(duì)半橋和全橋電路在並聯(lián)不同大小的電容後的性能進(jìn)行仿真，並用Matlab對(duì)生成的曲線進(jìn)行二乘擬合，比較得出使電路性能的電容值和並聯(lián)方法。

產(chǎn)品彆稱：衝擊電壓發(fā)生器，雷電衝擊電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置，雷電衝擊電流發(fā)生器，電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置

另外一種常見(jiàn)於ARM芯片，我們知道ARM芯片采用統(tǒng)一的編程接口SWD接口，某些ARM芯片會(huì)提供兩個(gè)AP(AccessPort)，通過(guò)關(guān)閉訪問(wèn)內(nèi)部空間的AP可以達(dá)到加密的目的。而如果想解鎖，就要訪問(wèn)另一條AP，這條AP隻可以訪問(wèn)一個(gè)寄存器，通過(guò)寫(xiě)入該寄存器特定的數(shù)據(jù)就可以將芯片重置為默認(rèn)狀態(tài)。還有一種加密方式和上麵類似，隻不過(guò)采用了兩個(gè)編程接口，而不是同一編程接口的兩條AP?？傊?，加密就是讓你無(wú)法讀取芯片數(shù)據(jù)，而又可以通過(guò)擦除再次升級(jí)固件。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

1、回路電感小，並采取帶阻濾波措施，在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)衝擊波，負(fù)載能力大。

2、電壓利用係數(shù)高，雷電波和操作波分彆不低於85%和80%。

3、調(diào)波方便，操作簡(jiǎn)單，同步性能好，動(dòng)作可靠。因此會(huì)出現(xiàn)測(cè)量誤差。所以，對(duì)於兩條緊密相關(guān)的譜線，其分辨力取決於濾波器的帶寬。我們以測(cè)量載波電平為例，對(duì)儀器的分辨帶寬設(shè)置加以比較，是分辨帶寬分彆是（由下到上）30KHZ、300KHZ、3MHZ的頻譜曲線（輸入為單個(gè)載波信號(hào)），在設(shè)置分辨帶寬時(shí)，我們考慮的是儀器是否能充分響應(yīng)輸入信號(hào)時(shí)有足夠的帶寬，正確的方法是展寬濾波器的帶寬，當(dāng)在屏幕上觀察到信號(hào)載波幅度不再增加時(shí)，就表示中頻濾波器對(duì)輸入信號(hào)的響應(yīng)已有足夠的帶寬了。衝擊電壓發(fā)生裝置 HNCJ係列 工頻交流耐壓測(cè)試儀試驗(yàn)方法

4、采用恒流充電自動(dòng)控製技術(shù)，自動(dòng)化程度高，抗乾擾能力強(qiáng)。