HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
衝擊電壓發(fā)生裝置 HNCJ係列 變電站電氣設(shè)備耐壓裝置生產(chǎn)廠家產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

適用範(fàn)圍：變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標(biāo)準(zhǔn)雷電衝擊，雷電截?cái)嗖ǎ僮餍n擊及用戶要求的非標(biāo)準(zhǔn)衝擊波的各類衝擊電壓試驗(yàn)。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗(yàn)波形（標(biāo)準(zhǔn)的和非標(biāo)準(zhǔn)的波形，用戶提出來的波形）。 適用領(lǐng)域：質(zhì)檢鑒定計(jì)量檢測(cè)監(jiān)督機(jī)構(gòu)，電力設(shè)備製造廠，鐵路通信，航天和航天飛行器,科研單位，大專院校以及氣象等部門的防雷和雷電試驗(yàn)。在過去25年裡，微控製器的內(nèi)部外設(shè)發(fā)生了巨大的變化。初許多微控製器隻包含RAM、ROM，也許還有基本的定時(shí)器。隨著微控製器的發(fā)展，更多的外設(shè)被基礎(chǔ)到這種單價(jià)不超過一美元的器件中。定時(shí)器/計(jì)數(shù)器、PWM和包括UART、SPI和I2C在內(nèi)的標(biāo)準(zhǔn)串行接口常用於這些廉價(jià)的微控製器。另一個(gè)重大變化是32位CPU正在取代同一價(jià)格範(fàn)圍的8位器件。但是即便有如此豐富的特性，對(duì)於廉價(jià)微控製器而言，隨時(shí)都存在微控製器廠商不能迅速支持的項(xiàng)目硬件接口或新的方接口。

產(chǎn)品彆稱：衝擊電壓發(fā)生器，雷電衝擊電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置，雷電衝擊電流發(fā)生器，電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置

低功耗與環(huán)境適應(yīng)性：低功耗是便攜式產(chǎn)品研究的重點(diǎn)，功耗決定了產(chǎn)品的使用時(shí)間及可用性，同時(shí)對(duì)溫度、濕度、防水和偶然跌落等的環(huán)境適應(yīng)能力也是便攜式產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)的主要指標(biāo)之一。高精度：隨著集成芯片製造技術(shù)、數(shù)字采樣技術(shù)和微處理器速度的提高，便攜式儀表的高準(zhǔn)確度、高分辨率測(cè)量的研究已成為主要方向。過載自動(dòng)保護(hù)、故障自診、記錄與報(bào)警。芯片：數(shù)字萬用表的發(fā)展主要依賴於集成芯片技術(shù)的進(jìn)步，便攜式產(chǎn)品的核心技術(shù)就是集成芯片，多功能、低功耗、高可靠、高精度、低成本、小體積、嵌入式微處理器及接口將成為芯片的主要發(fā)展方向。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

1、回路電感小，並采取帶阻濾波措施，在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)衝擊波，負(fù)載能力大。

2、電壓利用係數(shù)高，雷電波和操作波分彆不低於85%和80%。

3、調(diào)波方便，操作簡(jiǎn)單，同步性能好，動(dòng)作可靠。用頻率顯示雜散信號(hào)的光譜示例。三個(gè)示例：無雜散去相關(guān)的兩個(gè)組合CW信號(hào)；強(qiáng)製雜散去相關(guān)的兩個(gè)組合CW信號(hào)；以及強(qiáng)製雜散去相關(guān)的兩個(gè)組合調(diào)製信號(hào)。測(cè)量結(jié)果組裝了一個(gè)基於的8通道射頻測(cè)試臺(tái)，用於評(píng)估相控陣應(yīng)用的產(chǎn)品線。評(píng)估波形發(fā)生器的測(cè)試設(shè)置如所示。在該測(cè)試中，將相同的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)應(yīng)用於所有波形發(fā)生器。通過調(diào)整NCO相位實(shí)施跨通道校準(zhǔn)，以確保射頻信號(hào)在8路組合器處同相並且相乾地組合。衝擊電壓發(fā)生裝置 HNCJ係列 變電站電氣設(shè)備耐壓裝置生產(chǎn)廠家

4、采用恒流充電自動(dòng)控製技術(shù)，自動(dòng)化程度高，抗乾擾能力強(qiáng)。