HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
雷電衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 多倍頻發(fā)生器價格實(shí)惠產(chǎn)品簡介：

衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

適用範(fàn)圍：變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標(biāo)準(zhǔn)雷電衝擊，雷電截?cái)嗖?，操作衝擊及用戶要求的非標(biāo)準(zhǔn)衝擊波的各類衝擊電壓試驗(yàn)。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗(yàn)波形（標(biāo)準(zhǔn)的和非標(biāo)準(zhǔn)的波形，用戶提出來的波形）。 適用領(lǐng)域：質(zhì)檢鑒定計(jì)量檢測監(jiān)督機(jī)構(gòu)，電力設(shè)備製造廠，鐵路通信，航天和航天飛行器,科研單位，大專院校以及氣象等部門的防雷和雷電試驗(yàn)。LED的芯片其實(shí)就是個半導(dǎo)體，有如以下的IV曲線。反向電壓如果加的過高，LED會因被擊穿而損壞，所以很多時候我們需要去測量反向電壓。若隻是單純要測量芯片的特性，基本上使用電源和萬用表即可。主要可測試的項(xiàng)目包括正向電壓、擊穿電壓、漏電流…測試LED的整體IV曲線特性幾個參數(shù)正向電壓:Vf擊穿電壓:Vr漏電流:IL這些項(xiàng)目的測試其實(shí)並不算困難，但必須要選對合適的測量儀器。若是選擇了不適合的測量儀器，測試的值誤差則會非常大。

產(chǎn)品彆稱：衝擊電壓發(fā)生器，雷電衝擊電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置，雷電衝擊電流發(fā)生器，電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置

由於轉(zhuǎn)子外圓麵被製成有均勻分布的齒和槽，故在氣隙和電樞體或渦流環(huán)表麵產(chǎn)生疏密相間的磁場，轉(zhuǎn)子被拖動旋轉(zhuǎn)時，電樞體和渦流環(huán)內(nèi)表麵上任何一點(diǎn)的磁場產(chǎn)生叫變變化，由此感應(yīng)出“渦流”，在“渦流”和磁場的耦合作用下，在轉(zhuǎn)子上產(chǎn)生製動力矩。由於電樞體是通過機(jī)座固定在底板上的，故轉(zhuǎn)子無法帶動電樞體旋轉(zhuǎn)，動力機(jī)械輸出的功率被轉(zhuǎn)化成電樞體和渦流環(huán)上“渦流”產(chǎn)生的等值熱量，熱量由進(jìn)入電樞體和渦流環(huán)冷卻水槽中持續(xù)不斷的冷卻水及渦流製動器自身消耗。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

1、回路電感小，並采取帶阻濾波措施，在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)衝擊波，負(fù)載能力大。

2、電壓利用係數(shù)高，雷電波和操作波分彆不低於85%和80%。

3、調(diào)波方便，操作簡單，同步性能好，動作可靠。電機(jī)絕緣等級對照表對電機(jī)繞組和其他各部分的溫度測量，目前雖已采用不少先進(jìn)技術(shù)，仍可歸納為電阻法、溫度計(jì)法、埋置檢溫計(jì)法三種基本方法。電阻法：導(dǎo)體電阻隨著溫度升高而增大，電阻與溫升存在如下關(guān)係，由電阻法測得的溫升是繞組的平均溫升，比繞組的熱點(diǎn)約低5攝氏度左右。電阻的測量可用伏安法或電橋法測量。在切斷電源後測定，則測得的溫升要比斷電瞬間的實(shí)際溫度低。溫度計(jì)法：即用溫度計(jì)直接測定電動機(jī)的溫升。當(dāng)電機(jī)達(dá)到額定運(yùn)行狀態(tài)時，其溫度也逐漸上升到某一穩(wěn)定值而不再上升，這時可用溫度計(jì)測量電機(jī)的溫度。雷電衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 多倍頻發(fā)生器價格實(shí)惠

4、采用恒流充電自動控製技術(shù)，自動化程度高，抗乾擾能力強(qiáng)。