HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
衝擊電壓發(fā)生裝置 HNCJ係列 調(diào)頻串聯(lián)諧振定製定做產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

適用範(fàn)圍：變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標(biāo)準(zhǔn)雷電衝擊，雷電截?cái)嗖?，操作衝擊及用戶要求的非標(biāo)準(zhǔn)衝擊波的各類衝擊電壓試驗(yàn)。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗(yàn)波形（標(biāo)準(zhǔn)的和非標(biāo)準(zhǔn)的波形，用戶提出來的波形）。 適用領(lǐng)域：質(zhì)檢鑒定計(jì)量檢測(cè)監(jiān)督機(jī)構(gòu)，電力設(shè)備製造廠，鐵路通信，航天和航天飛行器,科研單位，大專院校以及氣象等部門的防雷和雷電試驗(yàn)?，F(xiàn)有方法存在局限性，特彆是涉及到振動(dòng)數(shù)據(jù)(無論以何種方式獲得)和確定誤差源時(shí)。典型數(shù)據(jù)采集方法包括安裝在機(jī)器上的簡(jiǎn)單壓電傳感器和手持式數(shù)據(jù)采集工具等。這些方法存在多種局限性，特彆是與理想的檢測(cè)與係統(tǒng)解決方案相比較，後者可以嵌入機(jī)器上或機(jī)器中，並能自治工作。下麵深入討論這些局限性及其與理想解決方案——自治無線嵌入式傳感器——的對(duì)比。對(duì)完全嵌入式自治檢測(cè)元件的複雜係統(tǒng)目標(biāo)的選項(xiàng)可以分為十個(gè)不同方麵，包括實(shí)現(xiàn)高重複度的測(cè)量、評(píng)估采集到的數(shù)據(jù)、適當(dāng)?shù)奈臋n記錄和可追溯性等，下麵將對(duì)各方麵進(jìn)行說明並探討可用方法與理想方法。

產(chǎn)品彆稱：衝擊電壓發(fā)生器，雷電衝擊電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置，雷電衝擊電流發(fā)生器，電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置

當(dāng)你無法清楚了解測(cè)量?jī)x器所導(dǎo)出測(cè)量數(shù)據(jù)的敏感性級(jí)彆和精度，便很難相信這些數(shù)據(jù)，而紅外熱像儀常常會(huì)被歸到這一測(cè)量?jī)x器的類彆之中。而且，在討論紅外熱像儀的測(cè)量精度時(shí)，常常會(huì)用到一些令人困惑不已、產(chǎn)生誤解的複雜術(shù)語和行話。終使一些研究人員完全對(duì)這些工具繞行而走。不過也他們會(huì)與其在研發(fā)熱測(cè)量應(yīng)用所具有的潛在優(yōu)勢(shì)失之交臂。在下麵的討論中，我們會(huì)避免使用技術(shù)術(shù)語，以直白的語言闡述紅外熱像儀在測(cè)溫上的不確定性，讓你對(duì)此有基本的了解，從而幫助你理解紅外熱像儀標(biāo)定流程和精度。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

1、回路電感小，並采取帶阻濾波措施，在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)衝擊波，負(fù)載能力大。

2、電壓利用係數(shù)高，雷電波和操作波分彆不低於85%和80%。

3、調(diào)波方便，操作簡(jiǎn)單，同步性能好，動(dòng)作可靠。另外一種常見於ARM芯片，我們知道ARM芯片采用統(tǒng)一的編程接口SWD接口，某些ARM芯片會(huì)提供兩個(gè)AP(AccessPort)，通過關(guān)閉訪問內(nèi)部空間的AP可以達(dá)到加密的目的。而如果想解鎖，就要訪問另一條AP，這條AP隻可以訪問一個(gè)寄存器，通過寫入該寄存器特定的數(shù)據(jù)就可以將芯片重置為默認(rèn)狀態(tài)。還有一種加密方式和上麵類似，隻不過采用了兩個(gè)編程接口，而不是同一編程接口的兩條AP?？傊用芫褪亲屇銦o法讀取芯片數(shù)據(jù)，而又可以通過擦除再次升級(jí)固件。衝擊電壓發(fā)生裝置 HNCJ係列 調(diào)頻串聯(lián)諧振定製定做

4、采用恒流充電自動(dòng)控製技術(shù)，自動(dòng)化程度高，抗乾擾能力強(qiáng)。