HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 超低頻耐壓試驗(yàn)裝置生產(chǎn)廠家產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

適用範(fàn)圍：變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標(biāo)準(zhǔn)雷電衝擊，雷電截?cái)嗖?，操作衝擊及用戶要求的非標(biāo)準(zhǔn)衝擊波的各類衝擊電壓試驗(yàn)。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗(yàn)波形（標(biāo)準(zhǔn)的和非標(biāo)準(zhǔn)的波形，用戶提出來(lái)的波形）。 適用領(lǐng)域：質(zhì)檢鑒定計(jì)量檢測(cè)監(jiān)督機(jī)構(gòu)，電力設(shè)備製造廠，鐵路通信，航天和航天飛行器,科研單位，大專院校以及氣象等部門(mén)的防雷和雷電試驗(yàn)。電子元器件的降額等級(jí)可以參考《標(biāo)準(zhǔn)——元器件降額準(zhǔn)則GJB/Z35-93》，一般可分成三個(gè)降額等級(jí)：Ⅰ級(jí)降額：I級(jí)降額是的降額，適用於設(shè)備故障將會(huì)危及**，導(dǎo)致任務(wù)失敗和造成嚴(yán)重經(jīng)濟(jì)損失的情況。Ⅱ級(jí)降額：工作應(yīng)力減小對(duì)元器件可靠性增長(zhǎng)有明顯效益，適用於設(shè)備故障會(huì)使工作任務(wù)降級(jí)，或需支付不合理的維修費(fèi)用。Ⅲ級(jí)降額：Ⅲ級(jí)降額是的降額，相對(duì)來(lái)說(shuō)元器件成本也較低。適用於設(shè)備故障對(duì)工作任務(wù)的完成隻有小的影響，或可迅速、經(jīng)濟(jì)地加以修複。

產(chǎn)品彆稱：衝擊電壓發(fā)生器，雷電衝擊電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置，雷電衝擊電流發(fā)生器，電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置

MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被製造成增強(qiáng)型或耗儘型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的隻有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。右圖是這兩種MOS管的符號(hào)。至於為什麼不使用耗儘型的MOS管，不建議刨根問(wèn)底。對(duì)於這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小且容易製造。所以開(kāi)關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，一般都用NMOS。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

1、回路電感小，並采取帶阻濾波措施，在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)衝擊波，負(fù)載能力大。

2、電壓利用係數(shù)高，雷電波和操作波分彆不低於85%和80%。

3、調(diào)波方便，操作簡(jiǎn)單，同步性能好，動(dòng)作可靠。按照存儲(chǔ)芯片MicroSD卡供電要求的範(fàn)圍：2.7V-3.6V；不允許超出此範(fàn)圍，否則，芯片在不穩(wěn)定的電壓下工作會(huì)有比較大的風(fēng)險(xiǎn)，甚至?xí)?duì)卡片的正常工作帶來(lái)影響。需要考慮的是示波器的設(shè)置，究竟是否需要進(jìn)行20MHZ的帶寬限製？詳細(xì)的使用環(huán)境如下圖所示：如何去測(cè)試“高頻開(kāi)關(guān)電源”噪聲IPAD剛引出來(lái)的那個(gè)端口可以當(dāng)做電源的源端，而通過(guò)後端的外圍模塊後在末端進(jìn)行測(cè)試的時(shí)候，電源通過(guò)了一段PCB走線，包括一些芯片回路，應(yīng)該存在高頻的噪聲，如果采用20MHZ的帶寬限製，實(shí)際上是將原本屬於模塊的噪聲給濾掉了，為此，我們進(jìn)行了對(duì)比測(cè)試進(jìn)行驗(yàn)證：步，我先驗(yàn)證IPAD的供電端在工作時(shí)的輸出，如下圖：通過(guò)直接驗(yàn)證IPAD的輸出口的電壓,保證源端的供電是正常的；通過(guò)測(cè)試，我們發(fā)現(xiàn)在源端測(cè)量的電壓值在3.4V（500MHZ帶寬測(cè)量）左右，峰峰值29mV，是非常穩(wěn)定的供電；可以排除源端供電的問(wèn)題，接下來(lái)，我們直接在通過(guò)整個(gè)模塊後在MicroSD卡的供電腳SDVCC對(duì)電行測(cè)量，如下圖：當(dāng)我們?cè)趫D片上的點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試的時(shí)候，發(fā)現(xiàn)在高頻開(kāi)關(guān)電源上有相當(dāng)大的噪聲，使得電壓超出了規(guī)範(fàn)要求的範(fàn)圍，值達(dá)到了3.814V，峰峰值達(dá)854mV；但當(dāng)我們將示波器設(shè)置為20MHZ帶寬的時(shí)候，高頻開(kāi)關(guān)電源變的非常好，完全在供電要求的範(fàn)圍內(nèi)；正如在本文開(kāi)頭描述的，在本次高頻開(kāi)關(guān)電源測(cè)試過(guò)程中，已經(jīng)不是高頻開(kāi)關(guān)電源紋波測(cè)量，而應(yīng)該是噪聲。衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 超低頻耐壓試驗(yàn)裝置生產(chǎn)廠家

4、采用恒流充電自動(dòng)控製技術(shù)，自動(dòng)化程度高，抗乾擾能力強(qiáng)。